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MP4303
东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型
(四达林顿功率晶体管一)
MP4303
高功率开关应用
锤驱动器,脉冲马达驱动器和感性负载
开关
工业应用
单位:mm
小包装由全成型( SIP 12脚)
高集电极耗散功率( 4 -设备操作)
: P
T
= 4.4 W( TA = 25 ° C)
高集电极电流:I
C( DC )
= 2 A(最大值)
高直流电流增益:H
FE
= 2000 (分钟) (V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
( 1 -evice操作)
集电极耗散功率
( 4设备操作)
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
120
100
6
2
4
0.5
2.2
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
2-32C1B
重量:3.9克(典型值)。
P
T
T
j
T
英镑
4.4
150
55
150
W
°C
°C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
阵列配置
2
3
4
9
10
11
1
5
8
12
6
R1 R2
R1
4.5 k
R2
300
7
1
2006-10-27
MP4303
记号
MP4303
日本
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
热特性
特征
热阻结到
环境
( 4 -设备操作, TA = 25 ° C)
铅的最大温度
焊接用途
(从案例3.2毫米10秒)
T
L
260
°C
符号
最大
单位
ΣR
号(j -a)的
28.4
° C / W
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
输入
开关时间
贮存时间
t
英镑
I
B1
20
μs
测试条件
V
CB
= 120 V,I
E
= 0 A
V
CE
= 100 V,I
B
= 0 A
V
EB
= 6 V,I
C
= 0 A
I
C
= 1毫安,我
E
= 0 A
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 1兆赫
0.5
120
100
2000
1000
典型值。
100
20
0.4
最大
10
10
2.5
15000
1.5
2.0
单位
μA
μA
mA
V
V
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
I
B1
I
B2
产量
30
4.0
μs
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 1 mA时,占空比
1%
I
B2
V
CC
= 30 V
0.6
2
2006-10-27
MP4303
发射极 - 集电极二极管额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
最大正向电流
浪涌电流
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
FM
I
FSM
V
F
t
rr
Q
rr
T = 1秒, 1次射门
I
F
= 0.5 A,I
B
= 0 A
I
F
= 2 A,V
BE
=
3
V ,二
F
/ DT =
50
A / μs的
测试条件
典型值。
1.0
5
最大
2
4
2.0
单位
A
A
V
μs
μC
反激式二极管额定值和特性,
( TA = 25°C )
特征
最大正向电流
反向电流
反向电压
正向电压
符号
I
FM
I
R
V
R
V
F
V
R
= 120 V
I
R
= 100
μA
I
F
= 0.5 A
测试条件
120
典型值。
最大
2
0.4
1.8
单位
A
μA
V
V
3
2006-10-27
MP4303
I
C
– V
CE
4
4
2
1
4
共发射极
TA = 25°C
I
C
– V
BE
共发射极
VCE = 2 V
(A)
(A)
0.5
3
3
集电极电流I
C
集电极电流I
C
2
0.4
0.3
0.2
2
TA = 100℃
1
55
0
0
25
1
IB = 0.15毫安
0
0
0
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
4.5
共发射极
5000 V
CE = 2 V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5 0.1
0.5
1
1.5
2
V
CE
– I
B
共发射极
TA = 25°C
直流电流增益
FE
3000
TC = 100℃
25
1000
500
300
55
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
3
IC = 4的
)
0
0.1
100
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
0.3
1
3
10
30
100
300 500
基极电流I
B
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
10
10
V
BE (SAT)
– I
C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
5
3
TA =
55°C
25
1
100
IC / IB = 500
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
5
3
IC / IB = 500
1
TA =
55°C
25
100
0.5
0.1
0.3
0.5
1
3
5
0.5
0.1
0.3
0.5
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
4
2006-10-27
MP4303
r
th
– t
w
300
曲线应在热应用
有限的区域内。 (单非重复脉冲)
该图显示了每个热阻
设备与脉冲宽度。
(4)
瞬态热阻
r
th
( ° C / W)
100
30
(1)
10
(3)
(2)
3
1
0.001
- 无散热片/附着在电路板级
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
电路板
(4) 4-设备操作
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
5最大的IC (脉冲) *
3
10
P
T
- TA
附着在电路板上的
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
P
T
(W)
总功耗
10毫秒*
100
μs*
1毫秒*
8
(A)
1
0.5
0.3
6
(4)
4
(3)
(2)
2 (1)
集电极电流I
C
电路板
0.1
0.05
0.03 * :单非重复脉冲
TA = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.01
1
3
5
10
30
0
0
40
80
120
160
200
环境温度Ta (C )
VCEO
最大
50
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
ΔT
j
– P
T
200
结温升高
ΔT
j
(°C)
160
(1)
120
(2)
电路板
(3)
(4)
80
附着在电路板上的
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
1
2
3
4
5
40
0
0
总功耗
P
T
(W)
5
2006-10-27
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封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MP4303
    -
    -
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    终端采购配单精选

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MP4303
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NA
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联系人:朱
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