MP4025
东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型
（四达林顿功率晶体管一）
MP4025
高功率开关应用
锤驱动器，脉冲电机驱动和感应
负载开关
工业应用
单位：mm
小包装由全成型（ SIP 10脚）
内置的电阻（R
B
).
浪涌电压由齐纳二极管（ C-B ）夹紧。
低V
CE （SAT）
: V
CE （SAT）
= 1.2伏（最大） （我
C
= 0.5 A ，V
BH
= 4.2 V)
高直流电流增益：H
FE
= 2000 （分钟） （V
CE
=
2 V，I
C
= 0.7 A)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
集电极电流
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
B
I
C
I
CP
P
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
60 ± 10
6
20
1.5
2.0
2.0
4.0
150
55~150
单位
V
V
V
V
A
W
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-25A1A
集电极耗散功率
（ 1 -设备操作）
集电极耗散功率
（ 4设备操作）
结温
存储温度范围
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
阵列配置
2
R
B
3
4
5
6
7
8
9
1
R1 R2
R
B
≈
3.6千欧， R1
≈
5千欧， R2
≈
300
10
1
2006-10-27
MP4025
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2006-10-27
MP4025
东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型
（在1达林顿功率晶体管4）
MP4025
高功率开关应用
锤驱动器，脉冲电机驱动和感应
负载开关
·
·
·
·
·
小包装由全成型（ SIP 10脚）
内置的电阻（R
B
).
浪涌电压由齐纳二极管（ C-B ）夹紧。
低V
CE （SAT）
: V
CE （SAT）
=
1.2伏（最大） （我
C
=
0.5 A ，V
BH
=
4.2 V)
高直流电流增益：H
FE
=
2000 （分钟） （V
CE
=
2 V，I
C
=
0.7 A)
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC
集电极电流
脉冲
集电极耗散功率
（ 1设备操作）
集电极耗散功率
（ 4设备操作）
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
B
I
C
I
CP
P
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
60
±
10
6
20
1.5
A
2.0
2.0
4.0
150
-55~150
W
W
°C
°C
单位
V
V
V
V
阵列配置
2
R
B
3
4
5
6
7
8
9
1
R1 R2
R
B
3.6千瓦， R1
5千瓦， R2
300
W
10
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
2000-08-21
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MP4025
热特性
特征
结到环境的热阻（ 4设备操作，TA
=
25°C)
最大无铅焊接温度的目的（从案例3.2毫米10秒）
符号
SR
号（j -a）的
T
L
最大
31.3
260
单位
° C / W
°C
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
阻力
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（低）
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CEO
R
B
h
FE
V
CE （饱和）（1）
V
CE （饱和）（2）
V
BL
开启时间
t
on
输入
开关时间
贮存时间
t
英镑
0
下降时间
t
f
20
ms
V
CC
~
24 V
-
占空比
＆ LT ;
1%
=
0.6
34
9
测试条件
V
CB
=
45 V，I
E
=
0
V
CE
=
45 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.7 A
I
C
=
0.5 A ，V
BH
=
4.2 V
I
C
=
0.7 A，V
BH
=
9 V
V
CE
=
30 V，I
C
=
100
mA
民
0.46
50
2.5
2000
典型值。
60
3.6
0.3
最大
10
10
1.25
70
4.7
1.2
V
1.5
0.7
V
单位
mA
mA
mA
V
kW
4.0
ms
V
BH
=
5 V
000707EAA2
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2000-08-21
2/2
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