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MP4009
东芝功率晶体管模块
PNP硅三重扩散型(四达林顿功率晶体管一)
MP4009
高功率开关应用
锤驱动器,脉冲马达驱动器
感应负载开关
工业应用
单位:mm
小包装由全成型( SIP 10脚)
高集电极耗散功率( 4 -设备操作)
: P
T
= 4 W ( TA = 25 ° C)
高集电极电流:I
C( DC )
=
5
A(最大值)
高直流电流增益:H
FE
= 1000 (分钟) (V
CE
=
3
V,I
C
=
3
A)
为了配合MP4003
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
( 1设备操作)
集电极耗散功率
( 4设备操作)
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
100
100
5
5
8
0.1
2.0
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
2-25A1A
重2.1克(典型值)
P
T
T
j
T
英镑
4.0
150
55
150
W
°C
°C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
阵列配置
R1 R2
1
10
2
4
6
8
3
5
7
9
R1
5千欧, R2
120
1
2006-10-27
MP4009
热特性
特征
热阻结到
环境
( 4 -设备操作, TA = 25 ° C)
铅的最大温度
焊接用途
(从案例3.2毫米10秒)
T
L
260
°C
符号
最大
单位
ΣR
号(j -a)的
31.3
° C / W
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
100
V,I
E
= 0 A
V
CE
=
100
V,I
B
= 0 A
V
EB
=
5
V,I
C
= 0 A
I
C
=
1
妈,我
E
= 0 A
I
C
=
30
妈,我
B
= 0 A
V
CE
=
3
V,I
C
=
0.5
A
V
CE
=
3
V,I
C
=
3
A
I
C
=
3
A,I
B
=
12
mA
I
C
=
3
A,I
B
=
12
mA
V
CE
=
3
V,I
C
=
0.5
A
V
CB
= 50 V,I
E
= 0 , F = 1MHz的
产量
10
0.3
100
100
1000
1000
3
典型值。
40
最大
10
10
2.0
2.0
2.5
单位
μA
μA
mA
V
V
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
t
on
输入
I
B2
I
B1
0.5
I
B2
开关时间
贮存时间
I
B1
t
英镑
V
CC
=
30
V
3.0
μs
20
μs
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
= 12 mA时,占空比
1%
2.0
记号
MP4009
日本
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-10-27
MP4009
I
C
– V
CE
8
100
30
常见
15
辐射源
TA = 25°C
8
共发射极
VCE =
3
V
I
C
– V
BE
(A)
7
6
3
4
1
2
IB =
0.3
mA
0
0
0
2
4
6
8
10
(A)
集电极电流I
C
6
4
集电极电流I
C
2
TA = 100℃
25
55
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
5000
TA = 100℃
25
共发射极
VCE =
3
V
2.8
V
CE
– I
B
常见
辐射源
TA = 25°C
直流电流增益
FE
3000
V
CE
(V)
2.4
1000
500
300
集电极 - 发射极电压
55
2.0
8
7
6
5
4
3
2
1
IC =
0.1
A
1.6
1.2
100
50
0.05 0.1
0.8
0.3
1
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
0.4
0.1
0.3
1
3
10
30
100 300 500
基极电流I
B
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
10
10
共发射极
5
3
IC / IB = 250
共发射极
V
BE (SAT)
– I
C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
5
3
IC / IB = 250
TA =
55°C
25
100
1
TA =
55°C
1
0.5
0.3
0.1
100
25
0.5
0.3
0.1
0.3
1
3
10
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2006-10-27
MP4009
r
th
– t
w
300
瞬态热阻R
th
( ° C / W)
曲线应在热应用
100
有限的区域内。 (单非重复脉冲)
该图显示了每个热阻
设备与脉冲宽度。
(4)
(1)
(3)
(2)
30
10
3
1
0.3
0.001
- 无散热片/附着在电路板级
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
电路板
(4) 4-设备操作
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
30
8
P
T
- TA
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
附着在电路板上的
10
5
集成电路最大值(脉冲) *
10毫秒*
1毫秒*
100
μs*
P
T
(W)
总功耗
6
(A)
3
4
(4)
(3)
(2)
电路板
集电极电流I
C
1
0.5
0.3
2
(1)
0
0
40
80
120
160
200
环境温度Ta (C )
0.1
* :单非重复脉冲
TA = 25°C
最大VCEO
30
100
200
0.05
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.03
1
3
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
ΔT
j
– P
T
160
结温升高
ΔT
j
(°C)
(1)
120
(2)
(3)
(4)
80
电路板
附着在电路板上的
40
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
1
2
3
4
5
0
0
总功耗
P
T
(W)
4
2006-10-27
MP4009
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
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在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
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(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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5
2006-10-27
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