【MP4005东芝功率晶体管模块硅NPN&PNP外延型（四达林顿功率晶体管一）MP4005高功】,IC型号MP4005,MP4005 PDF资料,MP4005经销商,ic,电子元器件-51电子网

MP4005

东芝功率晶体管模块

硅NPN&PNP外延型（四达林顿功率晶体管一）

MP4005

高功率开关应用

锤驱动器，脉冲马达驱动器和感性负载

开关

工业应用

单位：mm

小包装由全成型（ SIP 10脚）

高集电极耗散功率（ 4 -设备操作）

: P

T

= 4 W （ TA = 25 ° C）

高集电极电流：I

C（ DC ）

= ± 4 A（最大）

高直流电流增益：H

FE

= 2000 （分钟）（V

CE

= -2 V，I

C

= ±1 A)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

连续基极电流

集电极耗散功率

（ 1 -设备操作）

集电极耗散功率

（ 4设备操作）

结温

存储温度范围

DC

脉冲

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

等级

NPN

100

80

5

4

6

0.4

2.0

PNP

100

80

5

4

6

0.4

单位

V

A

W

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-25A1B

重2.1克（典型值）

P

T

j

T

英镑

4.0

150

55

150

W

°C

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

1

2006-10-27

MP4005

阵列配置

R1 R2

10

6

8

7

3

9

5

2

4

R1 R2

1

R1

≈

4.5 k

R2

≈

300

热特性

特征

热阻结到

环境

（ 4 -设备操作， TA = 25 ° C）

铅的最大温度

焊接用途

（从案例3.2毫米10秒）

T

L

260

°C

符号

最大

单位

ΣR

号（j -a）的

31.3

° C / W

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ NPN晶体管）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极

基射

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE （1）

h

FE （2）

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

f

T

C

ob

t

on

输入

开关时间

20

μs

贮存时间

t

英镑

I

B1

I

B2

测试条件

V

CB

= 100 V，I

E

= 0 A

V

CE

= 80 V，I

B

= 0 A

V

EB

= 5 V，I

C

= 0 A

I

C

= 1毫安，我

E

= 0 A

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0 A

V

CE

= 2 V，I

C

= 1 A

V

CE

= 2 V，I

C

= 3 A

I

C

= 3 A，I

B

= 6毫安

I

C

= 3 A，I

B

= 6毫安

V

CE

= 2 V，I

C

= 0.5 A

V

CB

= 10 V，I

E

= 0 ， F = 1兆赫

产量

10

民

―

0.5

100

80

2000

1000

―

典型值。

―

60

30

0.2

最大

20

2.5

―

1.5

2.0

―

单位

μA

mA

V

―

饱和电压

V

兆赫

pF

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

I

B1

I

B2

―

1.5

―

μs

V

CC

= 30 V

―

0.6

―

下降时间

t

f

I

B1

=

I

B2

= 6毫安，占空比

≤

1%

2

2006-10-27

MP4005

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ PNP晶体管）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极

基射

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE （1）

h

FE （2）

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

f

T

C

ob

t

on

I

B1

测试条件

V

CB

=

100

V，I

E

= 0 A

V

CE

=

80

V，I

B

= 0 A

V

EB

=

5

V，I

C

= 0 A

I

C

=

1

妈，我

E

= 0 A

I

C

=

10

妈，我

B

= 0 A

V

CE

=

2

V，I

C

=

1

A

V

CE

=

2

V，I

C

=

3

A

I

C

=

3

A，I

B

=

6

mA

I

C

=

3

A，I

B

=

6

mA

V

CE

=

2

V，I

C

=

0.5

A

V

CB

=

10

V，I

E

= 0 ， F = 1兆赫

民

―

0.5

100

80

2000

1000

―

典型值。

―

40

55

0.15

最大

20

2.5

―

1.5

2.0

―

单位

μA

mA

V

―

饱和电压

V

兆赫

pF

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

I

B2

输入

20

μs

I

B2

I

B1

产量

10

开关时间

贮存时间

t

英镑

―

0.80

―

μs

V

CC

=

30

V

下降时间

t

f

I

B1

= I

B2

= 6毫安，占空比

≤

1%

―

0.40

―

记号

MP4005

日本

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

3

2006-10-27

MP4005

（ NPN晶体管）

I

C

– V

CE

6

常见

5

辐射源

TA = 25°C

5

1

0.5

6

共发射极

5 VCE = 2 V

I

C

– V

BE

(A)

集电极电流I

C

3

集电极电流I

C

4

(A)

0.3

4

0.23

3

2

IB = 0.2毫安

2

TA = 100℃

1

25

55

1

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

基射极电压

V

BE

(V)

h

FE

– I

C

20000

10000 VCE = 2 V

2.4

共发射极

V

CE

– I

B

V

CE

(V)

2.0

5

1.6

3

1.2

1

0.8

0.3

0.4

共发射极

TA = 25°C

0

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

2

4

IC = 6的

直流电流增益

FE

5000

3000

TA = 100℃

25

1000

500

300

0.05

0.1

0.3

55

0.5

1

3

5

10

集电极电流I

C

(A)

集电极 - 发射极电压

基极电流I

B

（MA ）

V

CE （SAT）

– I

C

10

共发射极

5

3

IC / IB = 500

V

BE （SAT）

– I

C

基射极饱和电压

V

BE （SAT）

(V)

共发射极

5

3

TA =

55°C

25

1

100

IC / IB = 500

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

1

25

0.5

0.3

0.1

TA =

55°C

100

0.5

0.3

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

0.3

0.5

1

3

5

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

4

2006-10-27

MP4005

（ PNP晶体管）

I

C

– V

CE

6

常见

5

辐射源

TA = 25°C

0.5

0.4

1.5

1.0

6

0.7

共发射极

5

VCE =

2

V

I

C

– V

BE

(A)

集电极电流I

C

4

3

集电极电流I

C

4

3

0.3

2

IB =

0.2

mA

2

TA = 100℃

1

0

1

2

3

4

5

6

7

1

25

55

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

基射极电压

V

BE

(V)

h

FE

– I

C

20000

2.4

共发射极

10000 VCE =

2

V

CE

– I

B

V

CE

(V)

2.0

直流电流增益

FE

5000

3000

TA = 100℃

25

55

1000

500

300

0.05

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

1.6

4

1.2

1

0.8

0.3

0.4

2

3

5

IC =

6

A

集电极 - 发射极电压

共发射极

0

0.1

TA = 25°C

0.3

1

3

10

30

100

300

集电极电流I

C

(A)

)

基极电流I

B

（MA ）

V

CE （SAT）

– I

C

10

IC / IB = 500

V

BE （SAT）

– I

C

共发射极

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

基射极饱和电压

V

BE （SAT）

(V)

共发射极

5

3

5

3

TA =

55°C

25

1

100

IC / IB = 500

1

25

0.5

0.3

0.1

TA =

55°C

100

0.5

0.3

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

0.3 0.5

1

3

5

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

5

2006-10-27

MCC

特点

安装孔＃ 8螺丝

塑料外壳，金属底

任何安装位置

浪涌额定值400安培

?????????? ?????? omponents

21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

MP4005

THRU

MP4010

40安培单相

桥式整流器

50到1000伏特

MP-50

B

最大额定值

工作温度： -50 ° C至+ 150°C

存储温度： -50 ° C至+ 150°C

MCC

数

MP4005

MP401

MP402

MP404

MP406

MP408

MP4010

设备

记号

最大

复发

反向峰值

电压

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000v

最大

RMS

电压

35V

70V

140V

280V

420V

560V

700V

最大

DC

闭塞

电压

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000v

C

MP4005

MP401

MP402

MP404

MP406

MP408

MP4010

E

G

AC

D

+

H

-

AC

A

电气特性@ 25 ° C除非另有说明

平均正向

当前

峰值正向浪涌

当前

最大正向

压降每

元素

I

F（ AV ）

I

FSM

40.0A

400A

T

J

= 55°C

8.3ms的，半正弦

J

A

V

F

1.2V

I

FM

= 20A元

元;

T

J

= 25°C*

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

英寸

民

---

.425

.693

.637

.188

.633

.543

尺寸

MM

民

---

10.80

17.54

16.20

4.77

16.10

13.80

最大直流

反向电流

I

R

10A

T

J

= 25°C

额定DC阻断

1.0毫安牛逼

J

= 100°C

电压

*脉冲测试：脉冲宽度300

微秒，

占空比1 ％

最大

1.140

.452

.480

.732

.677

---

.673

.582

最大

29.00

11.50

12.20

18.6

17.20

---

17.10

14.80

记

www.mccsemi.com

MP4005通MP4010

图1

典型的正向特性

100

60

40

20

10

6

4

2

25°C

安培

1

.6

.4

.2

.1

.06

.04

.02

.01

.2

.4

.6

.8

1.0

1.2

1.4

10

6

4

2

1

.6

.4

.2

μAMPS

.1

.06

.04

.02

.01

.006

.00

4

.002

.001

20

40

60

T

J

=25°C

图2

典型的反向特性

MCC

80

伏

100

120

140

伏

瞬时正向电流 - 安培

与

正向电压 - 伏特

科幻gure 3

远期降额曲线

60

瞬时反向漏电流 - 微安

与

％的额定峰值反向电压 - 伏特

图4

峰值正向浪涌电流

600

50

500

400

300

安培

200

100

40

30

安培

20

10

单相半波

60Hz的阻性或感性负载

0

25

50

75

°C

平均正向整流电流 - 安培

与

环境温度 -

°C

100

150

175

0

1

2

4

6

8 10

周期

峰值正向浪涌电流 - 安培

与

周期在60Hz数 - 周期

20

40

00

60 80 100

www.mccsemi.com