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MP2012
低电压, 2.7-6V输入, 1.5A , 1.2MHz的
同步降压转换器
模拟IC技术的未来
描述
该MP2012是一个完全集成,内部
补偿1.2MHz的固定频率PWM
升降压转换器。它是理想的供电
这是从一个单细胞的便携式设备
锂离子(Li + )电池,与输入范围
2.7V至6V 。该MP2012可以提供高达
负载电流1.5A与输出电压为低
为0.8V 。它也可以在100 %的占空比操作
针对低压差的应用程序。峰值电流
模式控制及内部补偿时,
MP2012是稳定的陶瓷电容和
小型电感器。故障状态下保护
包括逐周期电流限制和
热关断。
MP2012可在一个小QFN6 ( 3x3毫米)
封装。
特点
2.7-6V输入操作范围
输出可调范围为0.8V至VIN
最大1μA关断电流。
高达95%的英法fi效率
100 %占空比低压差
应用
1.2MHz的固定开关频率
稳定的低ESR陶瓷输出
电容器
热关断
逐周期过流保护
短路保护
可在QFN6 ( 3x3毫米)
应用
DVD +/- RW驱动器
智能手机
掌上电脑
数码相机
便携式仪器
对于MPS绿色状态,请访问以下质量保证MPS的网站。
“ MPS ”和“模拟IC技术的未来”是单片的商标
电源系统有限公司
典型用途
V
IN
2.7V至6V
效率与
负载电流
100
4
PVIN
EN
6
L1
R1
2
GND
FB 1
Rt
C2
R2
EN
V
OUT
1.8V/1.5A
90
80
效率(%)
5
C1
VIN
MP2012
SW
3
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Vin=5V
Vin=3V
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
负载电流(A )
MP2012牧师1.01
9/22/2011
www.monolithicpower.com
MPS专有信息。专利保护。未经授权影印和复制禁止的。
2011 MPS 。版权所有。
1
MP2012 - 1.5A同步降压转换器
订购信息
零件号*
MP2012DQ
QFN6(3x3mm)
顶部标记
9E
自由空气温度(T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
*对于带卷轴& ,加后缀-Z (如MP2012DQ -Z ) 。
对于符合RoHS标准的封装,加后缀-LF (如MP2012DQ -LF -Z )
包装说明
顶视图
FB
1
6
EN
GND
2
5
VIN
SW
3
4
PVIN
裸露焊盘
连接到GND
绝对最大额定值
(1)
PVIN , VIN至GND ......................- 0.3V至+ 6.5V
SW到GND .......................... -0.3V到V
IN
+ 0.3V
EN , FB到GND ...........................- 0.3V至+ 6.5V
工作温度............. -40C至+ 85C
(2)
连续功率耗散(T
A
= +25°C)
………………………………………………....2.5W
结温............................... 150℃
焊接温度.................................... 260℃
存储温度............. -65 ° C至+ 150°C
热阻
(4)
QFN6 ( 3x3毫米) ....................... 50 ...... 12 ......
° C / W
注意事项:
1 )超过这些额定值可能会损坏设备。
2)最大允许功耗为的函数
最高结温T
J
( MAX)的结点到
环境的热阻
θ
JA
和环境温度
T
A
。在允许的最大连续功率耗散
任何环境温度下用P来计算
D
(MAX)= (T
J
(最大) -t
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗
耗将导致过多的模头温度,并在
监管机构将进入热关断。内部热
关断电路保护永久设备
损害。
3 )该设备是不能保证功能以外的
操作条件。
4 )测量在JESD51-7 , 4层PCB 。
θ
JA
θ
JC
推荐工作条件
(3)
电源电压V
IN
............................. 2.7V至6V
工作Junct 。温度(T
J
) ..... -40 ° C至+ 125°C
MP2012牧师1.01
9/22/2011
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2
MP2012 - 1.5A同步降压转换器
电气特性
(5)
V
IN
= V
EN
= 3.6V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
参数
电源电流
关断电流
热关断阈值之旅
EN旅行门槛
EN输入电流
EN输入电流
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
稳压电压FB
FB输入偏置电流
SW PFET导通电阻
SW NFET导通电阻
SW漏电流
SW漏电流
SW PFET峰值电流限制
开关频率
条件
V
EN_
= V
IN
, V
FB
= 0.9V
V
EN_
= 0V, V
IN
= 6V
滞后= 20℃
-40°C
T
A
+85°C
V
EN
= 0V
V
EN
= 6V
上升沿
T
A
= +25°C
-40C≤牛逼
A
+85°C
V
FB
= 0.8V
I
SW
= 100毫安
I
SW
= -100mA
V
EN
=0V; V
IN
=6V
V
SW_
=0V
V
EN
=0V; V
IN
=6V
V
SW_
=6V
占空比= 100 %
占空比= 50 %
(6)
典型值
600
0.01
150
1.0
0.1
6
2.40
160
0.800
0.800
-2
0.25
0.2
0.1
1.5
3.0
3.5
1.2
最大
750
1
1.5
1.0
2.65
0.816
0.824
+50
0.28
0.24
1
5
单位
μA
μA
°C
V
μA
μA
V
mV
V
nA
μA
μA
A
1.4
兆赫
0.3
2.15
0.784
0.776
-50
0.18
0.14
-1
-5
2.1
1.0
注意事项:
5 )生产测试在+ 25°C 。规格的温度范围内被设计和特性保证。
引脚功能
针#
1
2
3
4
5
6
名字
FB
GND ,
裸露焊盘
SW
PVIN
VIN
EN
描述
反馈输入。从输出到GND一个外部电阻分压器,挖掘到FB
引脚设置输出电压。
接地引脚。裸露焊盘连接到地平面进行适当的热
性能。
交换节点到电感器。
输入电源引脚功率FET 。
输入电源引脚控制。把小的陶瓷去耦靠近该引脚。
使能输入, “高”使得MP2012 。 EN为低电平时,与1MEG内部电阻。
MP2012牧师1.01
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MPS专有信息。专利保护。未经授权影印和复制禁止的。
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3
MP2012 - 1.5A同步降压转换器
典型性能特性
V
IN
= 5V, V
OUT
= 1.8V , L =器3.3uH ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
效率与
负载电流
100
90
80
850
800
Vin=5V
Vin=3V
使供电电流 -
输入电压
35
30
25
20
15
10
5
3
3.5
4 4.5
V
IN
(V)
5
5.5
6
案例tem温度Risevs 。
输出电流
效率(%)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
750
700
650
600
550
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
500
2.5
0
0
负载电流(A )
0.5
1
1.5
输出电流(A )
负载调整率
0.1%
0.40%
线路调整
4.5
4
Io=0A
峰值电流与职务
负载调整率
线路调整
Vin=3V
峰值电流( A)
5 5.5
6
0.0%
-0.1%
-0.2%
-0.3%
-0.4%
Vin=5V
0.20%
0.00%
3.5
3
2.5
2
Io=0.75A
Io=1.5A
-0.20%
-0.40%
-0.60%
0
0.5
1
1.5
2 2.5
3 3.5
4 4.5
1.5
40% 50% 60% 70% 80% 90% 100%
占空比
负载电流(A )
输入电压( V)
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MP2012 - 1.5A同步降压转换器
典型性能特性
V
IN
= 5V, V
OUT
= 1.8V , L =器3.3uH ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
短期入境
满载
V
OUT
2V/div
V
OUT
1V/div
SW
2V/div
V
IN
10V/div
I
感应器
2A/div
SW
5V/div
V
IN
10V/div
I
感应器
2A/div
V
OUT
1V/div
SW
5V/div
V
IN
5V/div
I
感应器
1A/div
短的恢复
空载
上电无负载
电源与负载1.5A
EN启动时不加载
EN开始了1.5A负载
V
OUT
1V/div
SW
5V/div
V
IN
5V/div
I
感应器
1A/div
V
OUT
1V/div
SW
5V/div
EN
2V/div
I
感应器
1A/div
V
OUT
1V/div
SW
5V/div
EN
2V/div
I
感应器
1A/div
输入纹波电压
V
OUT
20mV/div
输出纹波电压
负载瞬态响应
I
OUT
= 0.75A , 1.5A步@ 1A /美国
V
IN
50mV/div
V
OUT
20mV/div
SW
2V/div
SW
2V/div
400ns/div
I
感应器
2A/div
400ns/div
I
OUT
500mA/div
400us/div
MP2012牧师1.01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-88291559
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地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MP2012
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MP2012
MPS(美国芯源)
23+
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只做原装 正品现货
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地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
MP2012
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全新原装正品专营品牌
普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MP2012
MPUISE专营射频芯片
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地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
MP2012
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百分百原装正品假一罚十!技术支持!代理
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电话:0755-82812004/82811605
联系人:朱先生
地址:广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
MP2012
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MP2012
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
MP2012
MPS
21+
50000
QFN6
现货热卖
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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