MP2007
3A ， 1.3V - 6.0V
DDR存储器终端稳压器
模拟IC技术的未来
描述
该MP2007集成了DDR内存
与输出电压终端稳压器
（ VTT）和一个缓冲VTTREF输出是一个半
的VREF 。
在VTT - LDO是一个3A汇/源追踪
终端稳压器。它是专
低成本/低外部元件数量
系统中，空间是非常宝贵的。
该MP2007保持快速瞬态
回应只需要对20UF （ 2x10uF ）
陶瓷输出电容。该MP2007
支持开尔文检测功能。
该MP2007可在8引脚MSOP与
裸露焊盘
包，并从指定的
40
o
C至85
o
C.
特点
VDDQ电压范围： 1.3V 6.0 V
高达3A集成的吸入/源线性
稳压器，具有精确的VREF / 2分频器
参考DDR终端
只需要20UF陶瓷输出
电容
驱动电压范围： 4.5 V至5.5 V
1.3V输入（ VDDQ ）有助于降低总
功耗
综合除法跟踪VREF为VTT
和VTTREF
开尔文检测（ VTTSEN ）
为VTT和VTTREF ± 20mV的精度
内置软启动，欠压锁定和OCL
热关断
笔记本DDR2 / 3内存和供应
终止电压在符合ACPI
主动终止公共汽车
应用
“ MPS ”和“模拟IC技术的未来”的注册商标。
单片电源系统有限公司
典型用途
VDDQ
R3
20
C1
10uF
1206
6
C4
0.1uF
5V
R2
100k
EN
GND
5
C7
4.7uF
7
VDRV
VTTSEN
1
DDQ
REF
VTTREF
8
C6
0.1uF
VTTREF
MP2007DH
4
GND
VTTEN
VTT
2
C2
10uF
1206
C3
10uF
1206
VTT
C9
NC
GND
3
MP2007牧师0.9
7/23/2009
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2009 MPS 。版权所有。
1
MP2007 - 3A ， 1.3V - 6.0V输入， DDR存储器终端REGUALTOR
订购信息
零件号*
MP2007DH
包
MSOP8E
顶部标记
2007D
温度
-40 ° C至+ 85°C
*对于带卷轴& ，加后缀-Z （如MP2007DH -Z ） ;对于符合RoHS包装，加后缀-LF （如
MP2007DH–LF–Z)
包装说明
顶视图
DDQ
VTT
GND
VTTSEN
1
2
3
4
8
7
6
5
VTTREF
EN
REF
VDRV
绝对最大额定值
(1)
热阻
(4)
θ
JA
θ
JC
电源电压V
DDQ
......................... -0.3V到
6.0V
驱动电压VDRV ..................... -0.3V至6.0V
所有其他引脚................................ -0.3V至6.0V
连续功率耗散
(T
A
= +25°C)
(2)
........................................................... 1.56W
结温............................... 150
o
C
焊接温度.................................... 260
o
C
存储温度-50 ..............
o
C至+150
o
C
MSOP8E
.................................. 80...... 12...
o
C / W
注意事项：
1 ）超过这些额定值可能会损坏设备。
2）最大允许功耗为的函数
最高结温T
J
（ MAX）的结点到
环境的热阻
θ
JA
和环境温度
T
A
。在允许的最大连续功率耗散
任何环境温度下用P来计算
D
（MAX）= （T
J
（MAX） -
T
A
)/
θ
JA
。超过最大允许功耗
会导致芯片温度过高，而监管机构会去
进入热关断。内部热关断电路
可以防止永久性损坏设备。
3 ）该设备是不能保证其正常运行外
条件。
4 ）测量在JESD51-7 4层电路板。
推荐工作条件
(3)
驱动电压VDRV ....................... 4.5V至5.5V
工作温度.............- 40
o
C至+ 85
o
C
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2
MP2007 - 3A ， 1.3V - 6.0V输入， DDR存储器终端REGUALTOR
电气特性
V
DRV
= 5V ，T
A
= +25
o
C，除非另有说明。
参数
VDRV工作电压
VDRV关机电流
VDRV工作电流
VDRV UVLO阈值上限
VDRV UVLO迟滞
热跳变点
迟滞
VDDQ UVLO阈值上限
符号
VDRV
IDRV_SD
测试条件
-
VDRV = 5.0 V ， VDDQ = 0V
民
4.5
-
-
-
-
-
-
典型值
5.0
0.2
1.3
4.1
0.35
150
25
0.9
最大
5.5
1.0
3
4.4
-
-
-
1.3
单位
V
μA
mA
V
V
o
C
o
C
V
IDRV
VEN_H ， VTT 0.75V =
VDRVUV +
上升沿
VDRVUVHYS -
TSD
TSDHYS
VDDQUV +
上升沿;滞后= 55mV
1 / 2VREF - VTT ，
VREF = 1.8 V ，
IVTT = 0到3的
（灌电流）
IVTT = 0至-3 A
（源电流）
1 / 2VREF - VTT ，
VREF = 1.5 V，
IVTT = 0到3的
（灌电流）
IVTT = 0至-3 A
（源电流）
VREF = 1.8 V
-
-
-
VREF = 1.8V ， VDRV = 5V
VREF = 1.5V ， VDRV = 5V
VREF = 1.8 V或1.5 V
1 / 2VREF - VTTR ，
VREF = 1.8 V ，
IVTTR = 0 mA至15毫安
1 / 2VREF - VTTR ，
VREF = 1.5 V，
IVTTR = 0 mA至15毫安
-
-
VEN = 5.0 V
-30
-
-
-
-
30
mV
VTT相对于1 / 2VREF
dVTT0
-30
-
40
-
-
-
-
-
15
-18
-
-
55
3.5
3.5
1.0
9
7
-
-
-
30
75
-
-
-
-
-
-
18
mV
参考输入电阻
源电流限制
灌电流限制
软启动源电流限制
最大的软启动时间
VTTREF源电流
VTTREF准确性简称
1/2VREF
REF_R
ILIMVTsrc
ILIMVTsnk
ILIMVTSS
tssvttmax
IVTTR
kΩ
A
A
A
us
mA
mV
dVTTR
-15
1.4
-
-
-
-
-
-
15
-
0.5
1.0
mV
V
V
μA
VEN引脚阈值高
VEN引脚阈值低
VEN引脚输入电流
Ven_H
VEN_L
IIN_VEN
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MP2007 - 3A ， 1.3V - 6.0V输入， DDR存储器终端REGUALTOR
引脚功能
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
DDQ
VTT
GND
裸露
PAD
VTTSEN
VDRV
REF
EN
VTTREF
描述
输入功率为VTT稳压器。连接到GND通过10uF的陶瓷电容。
它通常被连接到所述
VDDQ DDR内存轨道。
输出功率为VTT LDO 。
裸露焊盘和GND引脚必须连接到同一地平面。
开
感觉到
反馈信号。
片上偏置电压。
对于LDO的输入信号
产生VDDQ / 2
参考。
VTT稳压器的使能输入。高以使能芯片。
缓冲输出的系统。在DDR存储器单元的接收端需要这
信号为他们输入比较器。
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MP2007 - 3A ， 1.3V - 6.0V输入， DDR存储器终端REGUALTOR
典型性能特性
C1 = C2 = C3 = 10uF的， C4 = C6 = 0.1uF的电容， C7 = 4.7uF的，V
DRV
= 5V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。
1.37
1.33
1.29
1.25
1.21
1.17
-5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
1.02
0.98
0.94
0.87
0.83
0.79
V
DDQ
=2.5V
0.9
0.86
0.82
V
DDQ
=2.5V
0.75
0.71
0.67
V
DDQ
=1.8V
V
DDQ
=1.5V
-5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
V
DDQ
=1.8V
V
DDQ
=1.8V
-5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
源负载瞬态
V
DDQ
=V
REF
=1.8V, V
TT
=0.9V
沉负载瞬态
V
DDQ
=V
REF
=2.5V, V
TT
=0.9V, V
SINK
=1.8V
来源过流保护
V
DDQ
=V
REF
=2.5V, V
TT
=1.25V
V
TT
10mV/div.
V
TT
10mV/div.
V
IN
2
V / DIV 。
V
TTREF
1V/div.
V
TT
1V/div.
I
TT
1A/div.
20us/div
I
TT
1A/div.
400us/div
I
TT
2A/div.
400ms/div
功率斜升
V
DDQ
=V
REF
=1.8V, V
TT
=0.9V
启动时通过向下
V
DDQ
=V
REF
=1.8V, V
TT
=0.9V
汇过电流保护
V
DDQ
=V
REF
=2.5V, V
TT
=1.25V,V
SINK
=2.5V
V
DDQ
2V/div
V
TTREF
2V/div.
V
TT
0.5V/div.
I
TT
1A/div.
4ms/div
V
DDQ
2V/div
V
TTREF
2V/div.
V
TT
0.5V/div.
I
TT
1A/div.
10ms/div
V
DDQ
2V/div
V
TTREF
1V/div.
V
TT
1V/div.
I
TT
2A/div.
1s/div
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