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MP1230A/31A/32A
CMOS微处理器兼容
双缓冲12位
数位类比转换器
特点
卓越的坚固耐用的1230系列: 2 KV ESD
四象限乘法
稳定,更精确的分段DAC方法
- 0.2 PPM / ° C线性温度系数
- 为2ppm / ° C(最大值)增益误差温度系数
- 灵敏度最低为放大器的失调
- 最低的输出电容(C
OUT
= 80pF )
- 更低的毛刺能量
单调性温度范围
较低的数据总线穿心@ CS = 1
V
DD
从+11 V至+16 V
闭锁免费的CMOS技术
12位总线版本: MP1208 /一千二百十分之一千二百〇九
16位升级: MP7636A
概述
该MP1230A系列是优异的引脚对引脚替代品
对于1230系列。该MP1230A系列是采用制造
在双金属CMOS工艺先进的薄膜电阻
这促进在可靠性显著改进,闩锁
免费的性能和ESD保护。
该MP1230A系列采用了独特的解码技
NIQUE收益较低的毛刺,更高的速度和出色的精度
在整个温度和时间。 12位线性度实现无
修整。它的主要特性包括:
稳定性:积分和微分线性温度系数被评为
0.2 PPM /
°
C典型值。单调性是保证在所有
温度范围。比例因子是温度系数低2 PPM /
°
C
最大。
低输出电容:由于更小的MOSFET开关
的几何形状允许通过解码,输出电容
I
OUT1
OUT2
是低80pF / 40pF和25PF / 65 pF的。这
不到一半的有竞争力的DAC 1230系列。较低的钙
pacitance让MP1230A系列实现稳定
快过1次
为了一个10 V的一步。
低灵敏度输出放大器偏移:线性ER-
引起的放大器偏移ROR被系数的减小的2
MP1230A系列比传统的R-2R DAC的。
该MP1230A系列采用的电路从而降低瞬变
在CS = 1导致的数据总线转换的用品。
简化的框图
V
DD
输入锁存
DB11-DB4
DB3-DB0
BYTE1/BYTE2
D
8
8
V
REF
R
FB
V
REF
I
OUT1
I
OUT2
DAC锁存器
D
Q
Q
8
12
LE
LE
D
4
Q
4
12
CS
WR1
LE
XFER WR2 DGND
AGND
修订版2.00
1
MP1230A/31A/32A
订购信息
TYPE
塑料DIP
塑料DIP
塑料DIP
SOIC
SOIC
SOIC
温度
范围
-40至+85
°
C
-40至+85
°
C
-40至+85
°
C
-40至+85
°
C
-40至+85
°
C
-40至+85
°
C
产品型号
MP1230ABN
MP1231ABN
MP1232ABN
MP1230ABS
MP1231ABS
MP1232ABS
INL
( LSB )
+1/2
+1
+2
+1/2
+1
+2
DNL
( LSB )
+3/4
+1
+2
+3/4
+1
+2
增益误差
( % FSR )
+0.4
+0.4
+0.4
+0.4
+0.4
+0.4
销刀豆网络gurations
CS
WR1
AGND
DB7
DB6
DB5
DB4
V
REF
R
FB
DGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
见包装科封装尺寸
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
DD
BYTE1/BYTE2
WR2
XFER
DB8 ( DB0 , LSB )
DB9 ( DB1 )
DB10 ( DB2 )
DB11 MSB ( DB3 )
I
OUT2
I
OUT1
CS
WR1
AGND
DB7
DB6
DB5
DB4
V
REF
R
FB
DGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
DD
BYTE1/BYTE2
WR2
XFER
DB8 ( DB0 , LSB )
DB9 ( DB1 )
DB10 ( DB2 )
DB11 MSB ( DB3 )
I
OUT2
I
OUT1
20引脚PDIP ( 0.300 “ )
N20
20引脚SOIC (JEDEC , 0.300 “ )
S20
OUT引脚定义
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
名字
CS
WR1
AGND
DB7
DB6
DB5
DB4
V
REF
R
FB
DGND
I
OUT1
描述
片选(低电平有效)
写1 (低电平有效)
模拟地
数据输入7位
数据输入6位
数据输入5位
数据输入4位
参考输入电压
反馈电阻
数字地
电流输出1
20
16
17
18
19
DB8 ( DB0 )
XFER
WR2
BYTE1/
BYTE2
V
DD
14
15
DB10 ( DB2 )
DB9 ( DB1 )
PIN号
12
13
名字
I
OUT2
DB11 ( DB3 )
描述
电流输出2
数据输入11位( MSB )
数据输入3位
数据输入位10
数据输入2位
数据输入9位
数据输入位1
数据输入位8
DATA INPUT 0位( LSB )
传输控制信号(低电平有效)
写2 (低电平有效)
字节顺序控制
正电源。
修订版2.00
2
MP1230A/31A/32A
电气特性
(V
DD
= + 15 V, V
REF
= + 10V ,除非另有说明)
参数
静态性能
1
分辨率(所有级别)
积分非线性
(相对精度)
MP1230ABN/ATD/ABS
MP1231ABN/ATD/ABS
MP1232ABN/ATD/ABS
微分非线性
MP1230ABN/ATD/ABS
MP1231ABN/ATD/ABS
MP1232ABN/ATD/ABS
增益误差
增益温度COEF网络cient
2
电源抑制比
输出漏电流
动态性能
2
目前的稳定时间
AC穿心在I
OUT1
参考输入
输入阻抗
数字输入
逻辑“1”的电压
逻辑“0”电压
输入漏电流
输入电容
2
模拟输出
2
输出电容
C
OUT1
C
OUT1
C
OUT2
C
OUT2
电源
功能电压范围
4
电源电流
V
DD
I
DD
+4.5
1.2
+16
2.0
+4.5
+16
2.0
V
mA
80
40
65
25
100
60
85
45
100
60
85
45
pF
pF
pF
pF
DAC输入全1
DAC输入全0
DAC输入全1
DAC输入全0
V
IH
V
IL
I
LKG
10
3.0
2.4
0.8
+1
3.0
0.8
+1
V
V
A
pF
R
IN
5
10
20
5
20
k
t
S
F
T
1.0
1.0
微秒
mV的P-P
N
INL
+1/2
+1
+2
DNL
+3/4
+1
+2
GE
TC
GE
PSRR
I
OUT
0.5
5
1
+20
+10
+0.4
+3/4
+1
+2
+0.4
+2
+20
+200
% FSR
PPM /°C的
PPM / %
nA
R
L
=100, C
L
=13pF
满量程变化到1/2 LSB
V
REF
= 100kHz时, 20Vp -P ,正弦波
使用内部研发
FB
ΔGain / ΔTemperature
| ΔGain / ΔV
DD
| V
DD
= + 0.25V
+1/2
+1
+2
最低位
12
12
最低位
最佳拟合直线规格。
( INL最大值 - 最小值INL ) / 2
符号
25
°
C
典型值
最大
TMIN至TMAX
最大
单位
测试条件/评论
FSR =满量程范围
V
IN
= 0, 5 V
所有数字输入= 0 V或全部= 5 V
修订版2.00
3
MP1230A/31A/32A
电气特性(续)
参数
开关
特征
2, 3
片选写的建立时间
片选写保持时间
数据有效到写建立时间
数据有效到写保持时间
写脉冲宽度,
t
CS
t
CH
t
DS
t
DH
t
WR
200
10
100
90
100
100
0
50
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
符号
25
°
C
典型值
最大
TMIN至TMAX
最大
单位
测试条件/评论
注意事项:
1
2
3
4
满量程范围( FSR )为10V 。
保证,但未经生产测试。
参见时序图。
指定的值可保证功能。参考其他参数的准确性。
规格若有变更,恕不另行通知
绝对最大额定值(T
A
= +25
°
C除非另有说明)
1, 2
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +17 V
数字输入电压至GND 。 。 。 。 GND -0.5到V
DD
+0.5 V
I
OUT1
, I
OUT2
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.5到+6.5 V
V
REF
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +25 V
V
RFB
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +25 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +1 V
(功能保证+ 0.5V )
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
°
C至+150
°
C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 +300
°
C
封装功耗额定值为75
°
C
CDIP , PDIP , SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900MW
减额以上75
°
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12MW /
°
C
注意事项:
1
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
是不是值仅为运行在或高于本规范暗示的保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
任何输入引脚,可以看到的绝对最大额定值之外的值应该由肖特基二极管钳位得到保护
( HP5082-2835 )从输入引脚连接到电源。
所有的输入有保护二极管
这将防止短路装置
对小于100mA的电源瞬态外不到100
s.
3
GND是指AGND和DGND 。
修订版2.00
4
MP1230A/31A/32A
时序图
V
IH
V
IL
t
WR
50%
t
DS
50%
50%
t
CS
50%
t
CH
50%
CS , BYTE1 / BYTE2
V
IH
WR
V
IL
V
IH
数据位
V
IL
t
DH
50%
t
S
入驻
+0.01%
I
OUT1
, I
OUT2
定义控制信号:
CS :
WR1 :
片选(低电平有效)
它将使WR1 。
写1 (低电平有效)
该WR1用于加载的数字数据位(数据块)到
输入锁存器。
I
OUT2
:
R
FB
:
DAC电流输出2总线。
I
OUT2
是I的补
OUT1
.
反馈电阻。
这个内部反馈电阻应始终使用
(外部电阻器),因为它相匹配的电阻器
在DAC和跟踪这些电阻在温度
真实存在。
参考电压输入。
该输入端连接一个外部电压精度
源到内部DAC 。在V
REF
可以选择
以上为+ 25V的范围内,以-25V或所述模拟信号为
一个4象限乘法模式的应用程序。
电源电压。
这是电源引脚的一部分。在V
DD
可以
从+5 V DC到15 V DC ,但是最佳的电压
年龄12至15 V DC 。
BYTE1 / BYTE2 :字节顺序控制。
字节1 / BYTE2控制引脚用来选择这两种
MSB和LSB输入锁存器。
WR2 :
XFER :
写2 (低电平有效)
它将使XFER 。
传输控制信号(低电平有效)
与WR2组合这个信号使16位
数据是可用的,在输入锁存器传输
DAC寄存器
V
REF
:
V
DD
:
DB0到DB11 :数字输入。
DB0是至少显著数字输入( LSB),而
DB11是最显著数字输入(MSB)。
I
OUT1
:
DAC电流输出1总线。
I
OUT1
是一个最大为全1中的数字码
DAC寄存器,并且是全0 DAC寄存器中的零。
AGND :模拟地
DAC的N沟道电流控制的后门
开关。
DGND :数字地
修订版2.00
5
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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