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MCP111/112
微功耗电压检测器
特点
超低电源电流: 1.75 μA (最大值)
精密的监测选项:
- 1.90V, 2.32V, 2.63V, 2.90V, 2.93V, 3.08V,
4.38V和4.63V
复位单片机在电源丢失事件
低电平有效V
OUT
脚:
-
MCP111
低电平有效,漏极开路
-
MCP112
低电平有效,推挽
提供SOT23-3 , TO- 92 , SC- 70和
SOT- 89-3封装
温度范围:
- 扩展: -40 ° C至+ 125°C
(除了
MCP1XX-195)
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C ( MCP1XX - 195
只)
无铅器件
封装类型
3引脚SOT23-3 / SC- 70
V
OUT
1
MCP111/112
3引脚SOT- 89
V
DD
3 V
DD
MCP111/112
1
V
OUT
2
3
V
DD
V
SS
V
SS
2
3引脚TO- 92
V
OUT
V
DD
V
SS
应用
关键单片机和微处理器
电源监控应用
计算机
- 智能仪表
- 便携式电池供电设备
框图
V
DD
比较
+
产量
司机
V
OUT
描述
该MCP111 / 112为电压检测设备
目的是让微控制器处于复位状态,直到
系统电压稳定在适当的水平
可靠的系统运行。这些器件还
用作保护欠压条件时,
系统电源电压降至低于指定的
阈值电压电平。八种不同的行程电压
可用。
带隙
参考
V
SS
表1:
设备
设备特点
产量
TYPE
上拉电阻
No
No
No
内部( 95千欧)
复位延时
(典型值)
No
No
120毫秒
120毫秒
120毫秒
120毫秒
封装引脚
(引脚1 , 2 , 3 )
V
OUT
, V
SS
, V
DD
V
OUT
, V
SS
, V
DD
RST ,V
DD
, V
SS
V
SS
, RST ,V
DD
RST ,V
DD
, V
SS
RST ,V
DD
, V
SS
SEE
MCP102/103/121/131
数据表
(DS21906)
SEE
MCP102/103/121/131
数据表
(DS21906)
SEE
MCP102/103/121/131
数据表
(DS21906)
SEE
MCP102/103/121/131
数据表
(DS21906)
评论
MCP111
MCP112
MCP102
MCP103
MCP121
MCP131
漏极开路
推挽
推挽
推挽
漏极开路
漏极开路
2005年Microchip的科技公司
DS21889D第1页
MCP111/112
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.0V
输入电流(V
DD
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10毫安
输出电流( RST ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10毫安
V额定上升时间
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100V / μs的
所有输入和输出(除RST ) w.r.t. V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至(Ⅴ
DD
+ 1.0V)
RST输出w.r.t. V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至13.5V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源应用。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
最大结温。电源应用。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
所有引脚的ESD保护
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥
2千伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 1V至5.5V ,R
PU
= 100 kΩ的(只
MCP111),
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
工作电压范围
特定网络版V
DD
价值V
OUT
工作电流
V
DD
TRIP POINT
MCP1XX-195
MCP1XX-240
MCP1XX-270
MCP1XX-290
MCP1XX-300
MCP1XX-315
MCP1XX-450
MCP1XX-475
V
DD
跳变点温度系数
注1 :
2:
3:
T
TPCO
符号
V
DD
V
DD
I
DD
V
1.0
1.0
1.872
1.853
2.285
2.262
2.591
2.564
2.857
2.828
2.886
2.857
3.034
3.003
4.314
4.271
4.561
4.514
典型值
<1
1.900
1.900
2.320
2.320
2.630
2.630
2.900
2.900
2.930
2.930
3.080
3.080
4.380
4.380
4.630
4.630
±100
1.75
1.929
1.948
2.355
2.378
2.670
2.696
2.944
2.973
2.974
3.003
3.126
3.157
4.446
4.490
4.700
4.746
最大
5.5
单位
V
V
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
PPM / °
C
T
A
= +25°C
(注1 )
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
(注2 )
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
T
A
= +25°C
(注1 )
注2
I
RST
= 10 μA ,V
RST
& LT ; 0.2V
条件
4:
触发点为± 1.5 %的典型值。
触发点为±从典型值2.5 % 。
该规范允许的PICmicro使用此设备
需要在电路的微控制器应用
串行编程(ICSP )功能(请参阅特定器件的编程规范电压要求) 。
该规范不允许连续高电压存在于漏极开路输出引脚(V
OUT
) 。该
总时间在V
OUT
引脚可超过最大器件工作电压( 5.5V )为100秒。当前进
V
OUT
销应该限制在2毫安。因此建议该设备的操作温度维持在
0 ° C至70 ° C( + 25°C首选) 。有关更多信息,请参见图2-28 。
此参数得到的,不是100%测试。
DS21889D第2页
2005年Microchip的科技公司
MCP111/112
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 1V至5.5V ,R
PU
= 100 kΩ的(只
MCP111),
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
阈值迟滞
(闵。
= 1% ,最大值= 6%)
MCP1XX-195
MCP1XX-240
MCP1XX-270
MCP1XX-290
MCP1XX-300
MCP1XX-315
MCP1XX-450
MCP1XX-475
V
OUT
低电平输出电压
V
OUT
高电平输出电压
漏极开路高压输出上
V
OL
V
OH
V
ODH
符号
V
HYS
0.019
0.023
0.026
0.029
0.029
0.031
0.044
0.046
V
DD
– 0.6
典型值
最大
0.114
0.139
0.158
0.174
0.176
0.185
0.263
0.278
0.4
13.5
(3)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
OL
= 500 μA ,V
DD
= V
TRIP (分钟)
I
OH
= 1毫安,仅适用于
MCP112
(推挽输出)
MCP111
只是,
V
DD
= 3.0V ,时间电压>
5.5V应用
100s,
当前进销限制为
2毫安, + 25°C操作
推荐
注3 ,注4
条件
T
A
= +25°C
开漏输出漏电流
(仅MCP111 )
注1 :
2:
3:
I
OD
0.1
A
4:
触发点为± 1.5 %的典型值。
触发点为±从典型值2.5 % 。
该规范允许的PICmicro使用此设备
需要在电路的微控制器应用
串行编程(ICSP )功能(请参阅特定器件的编程规范电压要求) 。
该规范不允许连续高电压存在于漏极开路输出引脚(V
OUT
) 。该
总时间在V
OUT
引脚可超过最大器件工作电压( 5.5V )为100秒。当前进
V
OUT
销应该限制在2毫安。因此建议该设备的操作温度维持在
0 ° C至70 ° C( + 25°C首选) 。有关更多信息,请参见图2-28 。
此参数得到的,不是100%测试。
2005年Microchip的科技公司
DS21889D第3页
MCP111/112
V
1V
V
DD
t
RPU
t
RPD
V
OH
1V
V
OUT
t
RT
V
OL
图1-1:
时序图。
AC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 1V至5.5V ,R
PU
= 100 kΩ
(仅适用于
MCP111),
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
V
DD
检测到V
OUT
待用
V
DD
检测到V
OUT
活跃
符号
t
RPU
t
RPD
典型值
90
130
最大
单位
s
s
条件
图1-1
和C
L
= 50 pF的
(注1 )
V
DD
从V憋足
TRIP (最大)
+
250毫伏下降到V
TRIP (分钟)
250毫伏,每
图1-1 ,
C
L
= 50 pF的
(注1 )
对于V
OUT
10 %至90%的最终
每值
图1-1 ,
C
L
= 50 pF的
(注1 )
V
OUT
上升时间V后
OUT
活跃
t
RT
5
s
注1 :
这些参数仅供设计参考,并不100 %测试。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 1V至5.5V ,R
PU
= 100 kΩ
(仅适用于
MCP111),
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
特定网络版温度范围
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻, 3L- SOT23
热阻, 3L -SC -70
热阻, 3L- TO- 92
热阻, 3L- SOT- 89
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
336
340
131.9
110
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
+85
+125
+150
+150
°C
°C
°C
°C
MCP1XX-195
除了
MCP1XX-195
符号
典型值
最大
单位
条件
DS21889D第4页
2005年Microchip的科技公司
MCP111/112
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 1V至5.5V ,R
PU
= 100 kΩ的(只
MCP111;
SEE
图4-1 ) ,
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
1.6
1.4
1.2
I
DD
( UA)
I
DD
( UA)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
温度(℃)
4.0V
2.8V
2.1V
1.7V
1.0V
1.6
MCP111-195
5.5V
5.0V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
MCP111-195
+125°C
+85°C
-40°C
+25°C
1.0
2.0
3.0
V
DD
(V)
4.0
5.0
6.0
图2-1:
(MCP111-195).
1.2
1
I
DD
( UA)
0.8
0.6
0.4
I
DD
与温度的关系
图2-4:
I
DD
与V
DD
(MCP111-195).
MCP112-300
5.5V
5.0V
4.0V
2.8V
1.7V
2.1V
1.6
1.4
1.2
I
DD
( UA)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
2.0
+85°C
-40°C
+25°C
+125°C
MCP112-300
0.2
0
20
40
60
80
100
120
-40
-20
0
1.0V
140
3.0
4.0
V
DD
(V)
5.0
6.0
温度(℃)
图2-2:
(MCP112-300).
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
DD
与温度的关系
图2-5:
I
DD
与V
DD
(MCP112-300).
1.6
MCP112-475
4.0V
2.8V
5.5V
2.1V
1.4
1.2
I
DD
( UA)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
MCP112-475
5.0V
I
DD
( UA)
+125°C
+85°C
-40°C
+25°C
1.7V
1.0V
20
40
60
-40
-20
80
100
120
140
1.0
2.0
3.0
V
DD
(V)
4.0
5.0
6.0
0
温度(℃)
图2-3:
(MCP112-475).
I
DD
与温度的关系
图2-6:
I
DD
与V
DD
(MCP112-475).
2005年Microchip的科技公司
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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