MP04TT600
MP04TT600
双晶闸管水冷模块
初步信息
2001年DS5466-1.1月
特点
s
s
s
s
s
s
双驱动器模块
电气隔离套餐
压接施工
国际标准的足迹
氧化铝（无毒）分离培养基
整体式水冷散热器
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM （每组）
I
T（ RMS ）
V
ISOL
1800V
580A
14000A
912A
3000V
5 (G1)
4 (K1)
3
(A)
1
（ AK ）
2
(A)
应用
s
s
s
s
6 (G2)
7 (K2)
电机控制
可控整流桥
加热器控制
AC相位控制
图。 1 TT电路图
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
1800
1700
1600
1500
条件
MP04TT600-18
MP04TT600-17
MP04TT600-16
MP04TT600-15
T
vj
= 0至125℃ ，
I
DRM
= I
RRM
= 50毫安
V
帝斯曼
= V
RSM
=
V
DRM
= V
RRM
+ 100V
分别
模块的外形类型代码：
MP04-W3
模块的外形类型代码：
MP04-W3A
较低的电压等级可供选择
订购信息
订单号：
MP04TT600-XX-W2
MP04TT600-XX-W3
MP04TT600-XX-W3A
1/4 - 18 NPT连接
1/4 - 18 NPT连接
1/4 - 18 NPT水管接头
线
显示的零件号XX有关代表V
DRM
/100
需要选择，例如。 MP04TT600-27 -W2
注：订货时，请使用完整的零件编号。
模块的外形类型代码：
MP04-W2
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2模块封装变种 - （不按比例）
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MP04TT600
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
符号
I
T（ AV ）
参数
意思是通态电流
测试条件
半波阻性负载，
4.5升/分钟
I
T（ RMS
有效值
T
水（中）
= 25° @ 4.5升/分钟
T
水（中）
= 40°C @ 4.5升/分钟
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
V
ISOL
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
隔离电压
10ms的半正弦波，T
j
= 125C
V
R
= 0
10ms的半正弦波，T
j
= 125C
V
R
= 50% V
DRM
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
T
水（中）
= 25C
T
水（中）
= 40C
马克斯。
650
580
1020
912
14
0.975x10
6
11.2
0.625x10
6
3000
单位
A
A
A
A
kA
A
2
s
kA
A
2
s
V
热学和力学额定值
符号
R
号（j - w）的
参数
热阻 - 结水
（每晶闸管）
测试条件
DC ， 4.5升/分钟
半波， 4.5升/分钟
3相， 4.5升/分钟
T
vj
T
英镑
-
虚拟结温
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M10
-
重量（标称）
-
反向（阻塞）
-
分钟。
-
-
-
-
–40
6(53)
-
-
马克斯。
0.102
0.106
0.112
125
125
-
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
C
C
纳米（ lb.ins ）
12 （ 106 ）牛米（ lb.ins ）
请参阅
图纸
g
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MP04TT600
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 125C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125C
从67 ％V
DRM
到500A ，门源10V ， 5Ω
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 125C
V
T（ TO ）
r
T
阈值电压
通态斜率电阻
在T
vj
= 125C
在T
vj
= 125C
-
-
0.85
0.38
V
m
分钟。
-
-
-
马克斯。
50
1000
500
单位
mA
V / μs的
A / μs的
注意：
在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
在V
DRM
T
例
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
-
阳极相对于阴极为正的
见附表所示。五
-
马克斯。
3.5
200
0.25
30
0.25
5
10
150
10
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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