MP04---590
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
符号
I
T（ AV ）
参数
意思是通态电流
测试条件
半波阻性负载
T
例
= 75C
T
例
= 85C
I
T（ RMS
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
V
ISOL
有效值
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
隔离电压
T
例
= 75C
8.3ms的正弦半波，T
j
= 125C
V
R
= 0
8.3ms的正弦半波，T
j
= 125C
V
R
= 50% V
DRM
10ms的半正弦波，T
j
= 125C
V
R
= 0
10ms的半正弦波，T
j
= 125C
V
R
= 50% V
DRM
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
马克斯。
595
505
935
16.8
1411 X 10
3
13.5
911 X 10
3
15.7
1232 X 10
3
12.6
794 X 10
3
3000
单位
A
A
A
kA
A
2
s
kA
A
2
s
kA
A
2
s
kA
A
2
s
V
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MP04---590
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
（每晶闸管或二极管）
dc
半波
3相
R
TH（ C- HS ）
热电阻 - 案件散热器
（每晶闸管或二极管）
T
vj
T
英镑
-
虚拟结温
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M10
-
重量（标称）
-
安装扭矩= 5Nm的
与安装复合
反向（阻塞）
-
-
–40
-
-
-
125
130
C
C
测试条件
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
0.056
0.060
0.066
0.02
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
6 （ 35 ），牛（ lb.ins ）
12 （ 106 ）牛米（ lb.ins ）
1580
g
动态特性 - 晶闸管
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 125C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125C
从67 ％V
DRM
至1500A ，门源1.5A ，
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 125C
V
T（ TO ）
r
T
阈值电压
通态斜率电阻
在T
vj
= 125℃ 。见注1
在T
vj
= 125℃ 。见注1
-
-
0.85
0.38
V
m
分钟。
-
-
-
马克斯。
50
1000
500
单位
mA
V / μs的
A / μs的
注1 ：
在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
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