MP04HB910
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该设备在这些或以上的任何其他条件在此业务部门所标明的只是和功能操作
规范是不是暗示。暴露于长时间绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
符号
I
F（ AV ）
参数
平均正向电流
条件
半波阻性负载
T
例
= 75
o
C
T
例
= 85
o
C
T
例
= 100
o
C
I
F（ RMS ）
有效值
T
例
= 75
o
C
T
例
= 85
o
C
T
例
= 100
o
C
I
FSM
I
2
t
I
FSM
I
2
t
V
ISOL
浪涌（非重复）正向电流
I
2
吨融合
浪涌（非重复）正向电流
I
2
吨融合
隔离电压
10ms的半正弦;牛逼
j
= 150
o
C
V
R
= 0
10ms的半正弦;牛逼
j
= 150
o
C
V
R
= 50% V
RRM
Commoned终端底板AC RMS ， 1分钟，50赫兹
马克斯。
915
830
695
1440
1305
1090
20
2.0 x 10
6
16
1.28 x 10
6
3000
单位
A
A
A
A
A
A
kA
A
2
s
kA
A
2
s
V
热学和机械数据
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
（每二极管）
dc
半波
3相
T
vj
T
英镑
-
虚拟结温
存储温度范围
螺杆转矩
MOUNTING
电气连接
-
重量（标称）
-
反向（阻塞）
-
条件
分钟。
-
-
马克斯。
0.056
0.060
0.066
150
150
-
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
o
-
-
–40
6 (53)
-
-
o
C
C
o
纳米（ lb.ins ）
12 （ 106 ）牛米（ lb.ins ）
1580
g
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MP04HB910
特征
符号
I
RRM
Q
S
I
RR
V
TO
r
T
参数
峰值反向电流
总存储电荷
峰值恢复电流
阈值电压。见注1 。
斜率电阻。见注1 。
条件
在V
RRM
, T
例
= 150
o
C
I
F
= 1000A ，二
RR
/ DT = 3A /微秒
T
例
= 150℃ ，V
R
= 100V
在T
vj
= 150C
在T
vj
= 150C
分钟。
-
-
-
-
-
马克斯。
50
1600
85
0.7
0.29
单位
mA
C
A
V
m
注1：在此数据表中给定的相对于正向压降的数据是对功耗的计算中
只在半导体元件。在电源端子测量正向电压降将超过这些数字因
从终端到半导体的导电条的阻抗。
曲线
2500
根据测得的脉搏
条件
2200
2000
1800
功耗（瓦，每臂）
瞬时正向电流I
F
- (A)
2000
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
30°
60°
90°
120°
180°
DC
1500
T
j
= 150C
T
j
= 25C
1000
500
0
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
0
0
正向电压V
F
- (V)
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
正向电流（平均每臂）I
F（ AV ）
- (A)
图3最大（极限）正向特性
图4的功耗曲线
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