MP03XXX360
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
符号
I
T（ AV ）
参数
意思是通态电流
测试条件
半波阻性负载
T
例
= 75C
T
例
= 85C
I
T（ RMS
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
V
ISOL
有效值
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
隔离电压
T
例
= 75C
10ms的半正弦波，T
j
= 130C
V
R
= 0
10ms的半正弦波，T
j
= 130C
V
R
= 50% V
DRM
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
马克斯。
352
306
553
10.6
560 x 10
3
8.5
360 x 10
3
3000
单位
A
A
A
kA
A
2
s
kA
A
2
s
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
（每晶闸管或二极管）
dc
半波
3相
R
TH（ C- HS ）
热电阻 - 案件散热器
（每晶闸管或二极管）
T
vj
T
英镑
-
虚拟结温
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M5
电气连接 - M8
-
重量（标称）
-
安装扭矩= 5Nm的
与安装复合
反向（阻塞）
-
-
–40
-
-
-
135
135
5(44)
9(80)
950
C
C
纳米（ lb.ins ）
纳米（ lb.ins ）
g
测试条件
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
0.105
0.115
0.12
0.05
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
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MP03XXX360
动态特性 - 晶闸管
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 130C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 130C
从67 ％V
DRM
到600A ，门源10V ， 5Ω
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 130C
V
T（ TO ）
r
T
阈值电压
通态斜率电阻
在T
vj
= 135C 。见注1
在T
vj
= 135C 。见注1
-
-
0.75
0.7
V
m
分钟。
-
-
-
马克斯。
50
1000
500
单位
mA
V / μs的
A / μs的
注1 ：
在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
在V
DRM
T
例
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
-
阳极相对于阴极为正的
见附表所示。五
-
马克斯。
3
150
0.25
30
0.25
5
10
100
5
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
符号
I
T（ AV ）
参数
意思是通态电流
测试条件
半波阻性负载
T
例
= 75C
T
例
= 85C
T
散热器
= 75C
T
散热器
= 85C
I
T（ RMS
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
V
ISOL
有效值
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
浪涌（不重复）的电流
I
2
吨融合
隔离电压
T
例
= 75C
10ms的半正弦波，T
j
= 130C
V
R
= 0
10ms的半正弦波，T
j
= 130C
V
R
= 50% V
DRM
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
马克斯。
355
312
276
242
560
8.1
0.33x10
6
6.5
0.21x10
6
3000
单位
A
A
A
A
A
kA
A
2
s
kA
A
2
s
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
（每晶闸管或二极管）
dc
半波
3相
R
TH（ C- HS ）
热电阻 - 案件散热器
（每晶闸管或二极管）
T
vj
T
英镑
-
虚拟结温
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M5
电气连接 - M8
-
重量（标称）
-
安装扭矩= 5Nm的
与安装复合
反向（阻塞）
-
-
–40
-
-
-
135
135
5(44)
9(80)
950
C
C
纳米（ lb.ins ）
纳米（ lb.ins ）
g
测试条件
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
0.105
0.115
0.12
0.05
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
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动态特性 - 晶闸管
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 130C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 130C
从67 ％V
DRM
到600A ，门源10V ， 5Ω
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 130C
V
T（ TO ）
r
T
阈值电压
通态斜率电阻
在T
vj
= 135C 。见注1
在T
vj
= 135C 。见注1
-
-
0.78
0.79
V
m
分钟。
-
-
-
马克斯。
50
1000
500
单位
mA
V / μs的
A / μs的
注1 ：
在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
在V
DRM
T
例
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
-
阳极相对于阴极为正的
见附表所示。五
-
马克斯。
3
150
0.25
30
0.25
5
10
100
5
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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1100
导通角
30°
1000
60°
90°
120°
900
180°
功耗（瓦，每臂）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550
正弦波电流（平均每臂）
1100
功耗（瓦，每臂）
导通角
30°
1000
60°
90°
120°
900
180°
DC
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0 50
150
250
350
450
550
650
方波电流（平均值，每臂）
750
图。 7在状态每组功率损耗VS通态电流在
指定的导通角，正弦波50 / 60Hz的
图。 8通态每组功率损耗VS通态电流在
指定的导通角，方波50 / 60Hz的
100
90
导通角
30°
60°
90°
120°
180°
100
90
最大允差外壳温度 - （ ℃）
最大允许的情况下 - （C ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
导通角
30°
60°
90°
120°
180°
DC
150
200
250
300
350
400
450
500
550
正弦波电流（平均每臂） - （ A）
200
300
400
500
600
700
方波电流（平均每臂） - （ A）
800
图。 9最大允许外壳温度VS
通态电流在规定的导通角，
正弦波50 / 60Hz的
图。 10最大允许的情况下，温度VS
通态电流在规定的导通角，
方波50 / 60Hz的
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