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PD - 94363A

IRF6602

的DirectFET

TM

功率MOSFET

l

专用的MOSFET

l

理想的CPU内核的DC -DC转换器

l

低传导损耗

l

低开关损耗

l

薄型（ <0.7毫米）

l

双面冷却兼容

l

兼容现有的表面贴装

V

DSS

20V

R

DS （ ON）

最大

13m

@V

GS

= 10V

19m

@V

GS

= 4.5V

I

D

11A

8.8A

技术

的DirectFET

等距

描述

该IRF6602结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET

TM

包装

实现最低的通态电阻的电荷产物在一个包具有一个SO-8和只有0.7毫米的足迹

个人资料。 DirectFET封装与功率应用中使用现有的几何布局，PCB组装兼容机

设备和汽相，红外线或对流焊接技术。 DirectFET封装允许双面冷却

最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。

该IRF6602平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通

和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器，电源

最新一代的在较高频率下操作的处理器。该IRF6602进行了优化参数

在同步降压转换器，包括RDS（ON）和栅极电荷的关键，以尽量减少在控制FET插座的损失。

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 70°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

20

11

8.8

88

2.3

1.5

18

± 20

-55到+ 150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJA

R

θJA

R

θJC

R

θJ -PCB

参数

结到环境

结到外壳

结到PCB安装

典型值。

–––

12.5

20

3.0

1.0

马克斯。

55

–––

单位

° C / W

www.irf.com

1

04/24/02

IRF6602

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

20

–––

1.0

–––

典型值。

–––

0.022

10

14

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

13

V

GS

= 10V ，我

D

= 11A

m

19

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 8.8A

3.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

A

125

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

g

fs

Q

g

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷续FET

总栅极电荷同步此Fet

预Vth的栅源电荷

后Vth的栅源电荷

栅漏电荷

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

20

–––

典型值。

–––

13

11

3.5

1.3

4.8

6.1

19

11

58

15

5.5

1420

960

100

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 8.8A

20

V

GS

= 5.0V, V

DS

= 10V ，我

D

= 8.8A

–––

V

GS

= 5.0V, V

DS

＆ LT ; 100mV的

–––

V

DS

= 16V ，我

D

= 8.8A

–––

nC

–––

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 8.8A

ns

–––

R

G

= 1.8

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 10V

–––

pF

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

97

8.8

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

恢复

时间

收费

时间

收费

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

11

A

88

1.2

–––

62

77

64

82

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

––– 0.83

––– 0.65

––– 42

––– 51

––– 43

––– 55

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.8A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 8.8A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.8A ，V

R

=15V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 8.8A ，V

R

=15V

的di / dt = 100A / μs的

2

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IRF6602

1000

VGS

顶部

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

10

2.7V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.00

2.0

T J = 150℃

I

D

= 11A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

1.5

10.00

（归一化）

T J = 25°C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

1.0

0.5

1.00

2.0

2.5

3.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.0

4.5

5.0

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100

120

140

160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF6602

100000

6

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，C

gs

gd

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

=

8.8A

V

DS

= 16V

5

10000

C，电容（pF ）

4

1000

西塞

科斯

2

100

CRSS

1

10

1

10

100

0

4

8

12

16

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

T

J

= 150

°

C

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

10

1msec

10msec

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

0

1

10

100

VDS ，漏toSource电压（V ）

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

= 0 V

1.2

1.4

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF6602

12

V

DS

V

GS

9

R

D

D.U.T.

+

R

G

-

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

4.5V

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

3

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

100

(Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

10

0.10

热响应

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

J

= P

DM

X Z

thJA

P

DM

t

1

t

2

+T

A

10

1

100

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图10 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5