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MOCD213M - 双通道光电晶体管小外形表面贴装光电耦合器
2013年4月
MOCD213M
双通道光电晶体管小外形
表面贴装型光电耦合器
特点
■
U.L.认可（文件＃ E90700 ，第2卷）
■
VDE认可（文件＃ 136616 ） （添加选项“V”的
■
■
■
■
■
■
描述
该MOCD213M装置由两个砷化镓
红外发光二极管光耦合到2单
岩屑硅光电晶体管检测器，在一个面
安装，小外形塑料封装。它是理想的
适合于高密度的应用，并消除了
需要通过最板上安装。
VDE认证，即， MOCD213VM ）
双通道耦合器
方便的塑料SOIC - 8表面贴装
包装样式
最小电流传输比100 ％ ，具有输入
电流为10mA
最低BV
首席执行官
70 V保证
标准的SOIC - 8封装，具有0.050"引线间隔
2500 V高输入输出隔离
AC （ RMS）
保证
应用
■
反馈控制电路
■
接口和不同的耦合系统
势和阻抗
■
通用开关电路
■
监控和检测电路
概要
包装外形
阳极1
8集热器1
阴极1 2
7发光体1
图2.包装外形
阳极2 3
6集热器2
阴极2 4
5发射器2
图1.原理图
2005仙童半导体公司
MOCD213M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
MOCD213M - 双通道光电晶体管小外形表面贴装光电耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
辐射源
等级
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
价值
60
1.0
6.0
90
0.8
70
7.0
150
150
1.76
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
设备总
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
输入输出隔离电压（ F = 60Hz时， T = 1分钟）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
2005仙童半导体公司
MOCD213M版本1.0.2
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2
MOCD213M - 双通道光电晶体管小外形表面贴装光电耦合器
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
辐射源
参数
输入正向电压
反向漏电流
电容
测试条件
I
F
= 30毫安
V
R
= 6.0 V
分钟。
（典型值） *最大。
1.25
0.001
18
1.55
100
单位
V
A
pF
V
F
I
R
C
探测器
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
再加
集电极 - 发射极暗电流
V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
F = 1.0兆赫，V
CE
= 0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 2.0毫安，我
F
= 10毫安
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
（图8）的
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
（图8）的
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
（图8）的
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
（图8）的
F = 60赫兹，T = 1分钟
V
我-O
= 500 V
V
我-O
= 0 V ， F = 1兆赫
1.0
1.0
70
7.0
120
7.8
7.0
100
0.15
3.0
2.8
1.6
2.2
2500
10
11
0.2
50
nA
A
V
V
pF
%
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极电容
电流传输比
(4)
电压
CTR
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极饱和
t
on
t
关闭
t
r
t
f
V
ISO
R
ISO
C
ISO
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
隔离浪涌电压
(1)(2)(3)
绝缘电阻
(2)
隔离电容
(2)
0.4
V
s
s
s
s
VAC （ RMS）
Ω
pF
*在T典型值
A
= 25°C
注意事项：
1，输入输出隔离电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1 ，2，3和4中是常见的，销5 ，图6，图7和8是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/ I
F
x 100%.
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MOCD213M - 双通道光电晶体管小外形表面贴装光电耦合器
典型性能曲线
1.8
10
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.5
1
V
CE
= 5 V
归到我
F
= 10毫安
1.4
T
A
= -55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
0.1
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
100
I
F
- LED正向电流（mA ）
图3. LED正向电压与正向电流
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED输入电流（mA）
10
图4.输出个当前与输入电流
1.6
I
C
- 输出集电极电流（归）
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.4
1.2
1.0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I
F
= 10毫安
归到V
CE
= 5 V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
归一化到T
A
= 25
o
C
0.1
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
o
80
100
120
T
A
=环境温度（℃）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
图5.输出电流与环境温度
10000
图6.输出电流 - 集电极 - 发射极电压
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
1000
V
CE
= 10V
100
10
1
0.1
0
20
40
60
o
80
100
T
A
=环境温度（℃）
图7.暗电流与环境温度
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MOCD213M - 双通道光电晶体管小外形表面贴装光电耦合器
测试电路
V
CC
= 10 V
波形
输入脉冲
I
F
输入
I
C
R
L
10%
90%
t
r
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
产量
输出脉冲
t
f
t
关闭
t
on
图8.开关时间测试电路和波形
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