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H11D1M , H11D2M , H11D3M , 4N38M , MOC8204M高压光电晶体管光耦合器
2007年9月
H11D1M , H11D2M , H11D3M , 4N38M , MOC8204M
高压光电晶体管光耦合器
特点
高电压:
tm
概述
该H11DXM , 4N38M和MOC8204M是光电
晶体管型光耦合光隔离器。一种氮化镓
砷化镓红外发光二极管被加上一个高
电压NPN硅光电晶体管。该设备被抑制
合股在一个标准的塑料六针的双列直插式封装。
- MOC8204M , BV
CER
= 400V
- H11D1M , H11D2M , BV
CER
= 300V
- H11D3M , BV
CER
= 200V
高绝缘电压:
– 7500 V
AC
高峰,1次
美国保险商实验室( UL)的认可
文件# E90700 ,第2卷
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
家电传感器系统
工业控制
概要
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
2000仙童半导体公司
H11DXM , 4N38M , MOC8204M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
H11D1M , H11D2M , H11D3M , 4N38M , MOC8204M高压光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
( PK)
P
D
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度(波峰焊)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向直流电流
(1)
反向输入电压
(1)
正向电流 - 峰值( 1μs的脉冲, 300pps )
(1)
LED功耗@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
设备
所有
所有
所有
所有
价值
-55到+150
-40至+100
260 ,持续10秒
260
3.5
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
所有
所有
所有
所有
80
6.0
3.0
150
1.41
探测器
P
D
V
CER
功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
集电极到发射极电压
(1)
MOC8204M
H11D1M , H11D2M
H11D3M
4N38M
V
CBO
集电极 - 基极电压
(1)
MOC8204M
H11D1M , H11D2M
H11D3M
4N38M
V
ECO
发射极到集电极的电压
(1)
H11D1M , H11D2M ,
H11D3M,
MOC8204M
所有
所有
300
4.0
400
300
200
80
400
300
200
80
7
V
V
mW
毫瓦/°C的
V
I
C
集电极电流(连续)
100
mA
注意:
1.参数达到或超过JEDEC注册数据( 4N38M只) 。
2000仙童半导体公司
H11DXM , 4N38M , MOC8204M版本1.0.2
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2
H11D1M , H11D2M , H11D3M , 4N38M , MOC8204M高压光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 )
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
V
F
T
A
BV
R
C
J
I
R
正向电压
(2)
正向电压
温度。 COEF网络cient
反向击穿
电压
结电容
反向漏
当前
(2)
击穿电压
集电极到发射极
(2)
I
R
= 10A
V
F
= 0V , F = 1MHz的
V
F
= 1V , F = 1MHz的
V
R
= 6V
所有
I
F
= 10毫安
所有
所有
所有
所有
6
1.15
-1.8
25
50
65
0.05
10
1.5
V
毫伏/°C的
V
pF
pF
A
特征
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
BV
CER
R
BE
= 1M
, I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0
MOC8204M
H11D1M/2M
H11D3M
BV
首席执行官
BV
CBO
收藏家基地
(2)
不RBE ,我
C
= 1.0毫安
I
C
= 100μA ,我
F
= 0
4N38M
MOC8204M
H11D1M/2M
H11D3M
4N38M
BV
EBO
BV
ECO
I
CER
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
(2)
(R
BE
= 1M
)
I
E
= 100μA ,我
F
= 0
I
E
= 100μA ,我
F
= 0
V
CE
= 300V ,我
F
= 0, T
A
= 25°C
V
CE
= 300V ,我
F
= 0, T
A
= 100°C
V
CE
= 200V ,我
F
= 0, T
A
= 25°C
V
CE
= 200V ,我
F
= 0, T
A
= 100°C
V
CE
= 100V ,我
F
= 0, T
A
= 25°C
V
CE
= 100V ,我
F
= 0, T
A
= 100°C
I
首席执行官
没有R
BE
, V
CE
= 60V ,我
F
= 0,
T
A
= 25°C
4N38M
H11D3M
H11D1M/2M
4N38M
所有
MOC8204M
400
300
200
80
400
300
200
80
7
7
10
100
250
100
250
100
250
50
V
V
nA
A
nA
A
nA
A
nA
V
V
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
辐射源
CTR
电流传输
比,集电极
辐射源
饱和电压
(2)
特征
测试条件
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V,
R
BE
= 1M
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
I
F
= 10毫安,我
C
= 0.5毫安,
R
BE
= 1M
I
F
= 20mA时,我
C
= 4毫安
设备
H11D1M/2M/3M,
MOC8204M
4N38M
H11D1M/2M/3M,
MOC8204M
4N38M
所有
所有
分钟。
2 (20)
2 (20)
TYP 。 *
马克斯。
单位
MA( % )
V
CE ( SAT )
0.1
0.40
1.0
V
开关时间
t
ON
t
关闭
非饱和
开启时间
打开-O FF时间
V
CE
= 10V ,我
CE
= 2毫安,
R
L
= 100
5
5
s
s
*在T所有典型值
A
= 25°C
注意:
2.参数达到或超过JEDEC注册数据( 4N38M只) 。
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3
H11D1M , H11D2M , H11D3M , 4N38M , MOC8204M高压光电晶体管光耦合器
DC电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编) (续)
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹,吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
F = 1MHz的
设备
所有
所有
所有
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC
PEAK
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
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4
H11D1M , H11D2M , H11D3M , 4N38M , MOC8204M高压光电晶体管光耦合器
典型性能曲线
1.8
1.7
归一化我
CER
- 输出电流
V
F
- 正向电压( V)
10
I
F
= 50毫安
1
I
F
= 10毫安
1.6
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25C
1.2
1.1
T
A
= 100C
1.0
1
10
100
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
T
A
= 55C
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED FORWARDCURRENT (MA )
V
CE
- 集电极电压( V)
图。 1 LED的正向电压与正向电流
10
图。 2归一化输出特性
归一化我
CER
- 输出电流
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
1
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
1
I
F
= 5毫安
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
0.1
0.01
1
10
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- LED输入电流(mA)
T
A
- 环境温度( ° C)
图。 3归一化输出电流与LED的输入电流
图。 4归一化输出电流与温度的关系
归一化我
CBO
- 集电极 - 基极电流
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-60
I
F
= 5毫安
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归一化我
CER
- 暗电流
10000
标准化为:
V
CE
= 100 V
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
1000
V
CE
= 300 V
100
V
CE
= 100 V
V
CE
= 50 V
10
1
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
T
A
- 环境温度( ° C)
T
A
- 环境温度( ° C)
图。 5归暗电流与环境温度
图。 6归集电极 - 基极电流与温度的关系
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MOC8204M
    -
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    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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ON
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8029761
SMD
安森美PD电源芯片优势现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MOC8204M
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6-PDIP
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MOC8204M
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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电话:0755-82574045
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

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联系人:周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MOC8204M
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ON
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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电话:755-83252273
联系人:郑
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90000
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