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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8111
包
MOC8112
MOC8113
概要
阳极1
6 N / C
6
1
6
阴极2
5收藏家
1
N / C 3
4发射器
6
1
描述
该MOC811X系列由一个砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管。该晶体管的基极是不
结合到一个外部引脚，以提高抗噪声能力
特点
高隔离电压
5300 VAC RMS 1分
高BV
首席执行官
最低70伏
在选定组电流传输率：
MOC8111 ： 20 ％以上。
MOC8112 ： 50 ％以上。
MOC8113 ：100％分钟。
饱和特定网络版最大开关时间
美国保险商实验室（ UL）的认可（文件＃ E90700 ）
VDE认可（文件号： 94766 ）
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
家电传感器系统
工业控制
2004仙童半导体公司
分页： 10 1
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8111
MOC8112
MOC8113
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
260
3.5
-55到+100
-55到+150
260
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
P
D
200
2.67
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
90
3
6
135
1.8
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8111
MOC8112
MOC8113
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向电压
电容
反向漏电流
探测器
Breakdow电压
集电极到发射极
Breakdow电压
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
所有
所有
所有
所有
70
7
5
8
50
V
V
V
pF
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
= 1 V ， F = 1.0 MHz的
V
R
= 3.0 V
V
F
V
R
C
J
I
R
所有
所有
所有
所有
6.0
1.35
1.15
15
50
65
.35
10
1.65
1.50
V
V
pF
A
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
10
11
0.5
典型值
最大
单位
V
RMS
pF
2004仙童半导体公司
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8111
MOC8112
MOC8113
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
输出/输入电流传输
比
集电极 - 发射极饱和
电压
AC特征 -
非饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和开关时间
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
on
t
r
t
关闭
t
f
MOC8111
MOC812 ， MOC8113
MOC8111
MOC812 ， MOC8113
MOC8111
MOC812 ， MOC8113
MOC8111
MOC812 ， MOC8113
3.0
4.2
2.0
3.0
18
23
11
14
5.5
8.0
4.0
6.0
34
39
20
24
S
S
S
S
R
L
= 100
, I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10 V
参见图7
t
on
t
关闭
所有
所有
6.0
5.5
10
10
S
S
测试条件
符号
设备
MOC8111
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5V
CTR
MOC8112
MOC8113
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
测试条件
V
CE （ SAT ）
符号
所有
设备
民
民
20
50
100
0.27
典型值
0.4
最大
V
单位
%
典型值
最大
单位
2004仙童半导体公司
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8111
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
T
A
= 25°C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
MOC8112
MOC8113
图。 2归CTR与正向电流
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.0
1.5
T
A
= -55°C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25°C
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.6
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 4集电极发射极饱和电压
VS集电极电流
100
1.4
I
F
= 5毫安
10
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.01
I
F
= 5毫安
T
A
= 25°C
0.001
0.01
0.1
1
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
0.4
-75
10
T
A
- 环境温度（ ° C）
I
C
- 集电极电流（毫安）
2004仙童半导体公司
第10个5
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MI-PC2N1-IW
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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