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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2830页 > MOC810X
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
T
A
= 25C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.0
1.5
T
A
= 55C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25C
1.1
T
A
= 100C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.6
1.0
0.9
1.4
I
F
= 5毫安
0.8
图。 4 CTR与RBE （饱和）
归一化CTR
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-50
-25
0
25
50
75
o
I
F
= 5毫安
0.2
0.1
0.0
100
125
10
100
1000
T
A
= 25C
V
CE
= 0.3 V
标准化为CTR 1 R
BE
=打开
0.4
-75
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
图。 5 CTR与RBE （不饱和）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 6集电极发射极饱和电压
VS集电极电流
100
10
归一化CTR
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
T
A
= 25C
V
CE
= 5.0 V
标准化为CTR 1 R
BE
=打开
0.01
I
F
= 5毫安
T
A
= 25C
0.001
0.01
0.1
1
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
10
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 7归一吨
on
与
BE
6.0
5.5
5.0
4.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
图。 8归一吨
关闭
与
BE
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
归一化到T
关闭
@ RBE =打开
归一吨
on
归一吨
关闭
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
归一化到T
on
@ RBE =打开
10
100
1000
10000
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
10
100
1000
10000
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
DS300266
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
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CNY17F-3
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典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
T
A
= 25C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.0
1.5
T
A
= 55C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25C
1.1
T
A
= 100C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.6
1.0
0.9
1.4
I
F
= 5毫安
0.8
图。 4 CTR与RBE （饱和）
归一化CTR
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-50
-25
0
25
50
75
o
I
F
= 5毫安
0.2
0.1
0.0
100
125
10
100
1000
T
A
= 25C
V
CE
= 0.3 V
标准化为CTR 1 R
BE
=打开
0.4
-75
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
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图。 5 CTR与RBE （不饱和）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 6集电极发射极饱和电压
VS集电极电流
100
10
归一化CTR
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
T
A
= 25C
V
CE
= 5.0 V
标准化为CTR 1 R
BE
=打开
0.01
I
F
= 5毫安
T
A
= 25C
0.001
0.01
0.1
1
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
10
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 7归一吨
on
与
BE
6.0
5.5
5.0
4.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
图。 8归一吨
关闭
与
BE
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
归一化到T
关闭
@ RBE =打开
归一吨
on
归一吨
关闭
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
归一化到T
on
@ RBE =打开
10
100
1000
10000
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
10
100
1000
10000
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
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