CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ，可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X （如CNY17F2M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性（续）
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。 （4）
F = 60赫兹，吨= 1秒。 （4）
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC （ 4 ）
V
我-O
= O，F = 1兆赫（4）
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5 mA）的
—
—
0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
on
—
（典型值） *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2006年9月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化
单元到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
储存温度
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
连续正向电流
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
I
C
V
首席执行官
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
V
ECO
P
D
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
参数
设备
价值
单位
2
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
BV
首席执行官
击穿电压
集电极到发射极
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
30
70
100
100
V
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
70
7
120
10
1
50
20
8
20
10
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟，
I
我-O
≤
2A
(4)
F = 60赫兹，吨= 1秒，
I
我-O
≤
2A
(4)
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
分钟。
5300
7500
10
11
TYP。 **最大。
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
R
ISO
C
ISO
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O，F = 1MHz的
(4)
0.5
0.2
pF
注意：
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
再加
（ CTR ）
(2)
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
DC特性
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101 / 2 /3/4 /5/6 /7/ 8 I
C
= 500μA ，我
F
= 5.0毫安
CNY17X/FX
0.3
V
符号
t
on
AC特性
(3)
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
测试条件
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
分钟。 （典型值） *最大。
2
20
单位
s
不饱和开关时间
10
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
3
20
t
关闭
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
10
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
2
3.5
1
4.0
4.1
s
s
5.6
s
s
t
d
t
r
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
4
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
（续）
符号
t
on
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
测试条件
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
分钟。
典型值。
MAX 。单位
5.5
8.0
s
饱和开关时间
t
r
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
s
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
延迟时间
t
d
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
t
f
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
20
24
s
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ，可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X （如CNY17F2M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性（续）
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。 （4）
F = 60赫兹，吨= 1秒。 （4）
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC （ 4 ）
V
我-O
= O，F = 1兆赫（4）
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5 mA）的
—
—
0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
on
—
（典型值） *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
DS300266
9/18/01
3 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备，该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC （ RMS）
pF
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，参见图11 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备，该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC （ RMS）
pF
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，参见图11 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
DS300266
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摩托罗拉
半导体技术资料
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由MOC8106 / D
MOC8106
[ CTR = 50-150 ％ ]
GlobalOptoisolator
6引脚DIP光隔离器
电源应用
（没有基连接）
在MOC8106 ， MOC8107和MOC8108器件由镓
砷化镓LED光学耦合到一个硅光电晶体管中的双列直插式
封装。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）的Windows ，并转化为狭隘的，可预测的开环增益
窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地的连接
最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备中，
后缀为“ V”必须包含在零件编号最后。 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关模式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
不同的潜能和阻抗的接口和连接系统
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100
s,
120 PPS ）
反向电压
LED功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流 -
探测器功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压（ 1 ）
中（f = 60Hz时， t为1秒）。
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作环境温度范围（ 2 ）
存储温度范围（ 2 ）
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
VISO
PD
TA
TSTG
TL
7500
250
2.94
- 55 + 100
- 55 + 150
260
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
VCEO
VECO
IC
PD
70
7
150
150
1.76
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
IF
IF （ PK）
VR
PD
60
1
6
120
1.41
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
MOC8107
[ CTR = 100-300 ％ ]
MOC8108
[ CTR = 250-600 ％ ]
方式3塑料
6
1
标准通孔
CASE 730A -04
概要
1
2
3
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
NC
NC
6
5
4
阳极
阴极
无连接
辐射源
集热器
无连接
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
1.
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4和图5是共同的。
2.参考质量和可靠性科光电数据手册，了解有关试验条件。
GlobalOptoisolator是摩托罗拉公司的一个商标。
REV 3
摩托罗拉
公司1997
摩托罗拉，
光电设备数据
1
MOC8106 MOC8107 MOC8108
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
输入LED
正向电压（ IF = 10 mA）的
反向漏电流（ VR = 5.0 V）
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
（ VCE = 10 V ， TA = 25 ° C）
（ VCE = 10 V ， TA = 100 ° C）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 mA）的
发射极 - 集电极击穿电压（IE = 100
A)
集电极 - 发射极电容（ F = 1.0 MHz时， VCE = 0 ）
再加
输出集电极电流
（ IF = 10 mA时， VCE = 10 V）
MOC8106
MOC8107
MOC8108
集成电路（ CTR）， （2）
5.0 (50)
10 (100)
25 (250)
—
—
—
—
—
7500
1011
—
—
—
—
0.15
7.5
5.7
3.2
4.7
—
—
0.2
15 (150)
30 (300)
60 (600)
0.4
—
—
—
—
—
—
—
MA（ ％ ）
ICEO1
ICEO2
V（ BR ） CEO
V（ BR ） ECO
CCE
—
—
70
7.0
—
1.0
1.0
100
7.8
7.0
50
—
—
—
—
nA
A
伏
伏
pF
VF
IR
C
1.0
—
—
1.15
0.05
18
1.5
10
—
伏
A
pF
符号
民
典型值
(1)
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 500
A,
IF = 5.0 mA）的
导通时间（ IC = 2.0 mA时， VCC = 10 V ， RL = 100
)
(3)
关断时间（ IC = 2.0 mA时， VCC = 10 V ， RL = 100
)
(3)
上升时间（ IC = 2.0 mA时， VCC = 10 V ， RL = 100
)
(3)
下降时间（ IC = 2.0 mA时， VCC = 10 V ， RL = 100
)
(3)
隔离电压中（f = 60Hz时， t为1.0秒） （4）
绝缘电阻（ VI - O = 500 V） （ 4 ）
隔离电容（ VI -O = 0 ， F = 1.0兆赫） （ 4 ）
1.
2.
3.
4.
VCE （ SAT ）
吨
花花公子
tr
tf
VISO
RISO
CISO
伏
s
s
s
s
VAC （ PK）
pF
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR） = IC / IF ×100％ 。
测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4和图5是共同的。
典型特征
2
VF ，正向电压（伏）
1.8
PULSE ONLY
脉冲或DC
我C，输出集电极电流（归）
标准化为：
IF = 10毫安
1
1.6
1.4
TA = -55°C
25°C
100°C
1
10
100
IF ， LED正向电流（mA ）
1000
1.2
1
0.1
0.01
0.5
1
2
5
10
20
IF ， LED输入电流（mA）
50
图1. LED正向电压与正向电流
图2.输出电流与输入电流
2
摩托罗拉光电设备数据
MOC8106X ， MOC8107X ， MOC8108X
MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
非铅基
光耦合隔离器
光电晶体管输出
认证
UL认证，文件号E91231
封装代码" EE "
“X” SPECIFICATIONAPPROVALS
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
描述
在MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108系列
光耦合隔离器由红外
发光二极管和NPN型硅光电
晶体管在一个标准的6脚双列直插式塑料
封装与管脚悬空。
特点
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
管脚悬空，以提高
在高EMI噪声抑制能力
环境
应用
直流电机控制器
工业系统控制器
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
3.0
0.5
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
尺寸
mm
6
1
2
5
3
4
7.62
4.0
3.0
0.5
3.35
0.26
13°
最大
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
INPUTDIODE
正向电流
反向电压
功耗
60mA
6V
120mW
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
1.4
0.9
OPTION SM
表面
MOUNT
选项G
70V
7V
160mW
7.62
1.2
0.6
10.2
9.5
0.26
10.16
总功耗
200mW
（减免线性2.94mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOMCOMPONENTSLTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1UD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
18/2/09
DA92586
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电压（V
R
)
反向电流（I
R
)
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
（注2 ）
发射极 - 集电极击穿（ BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
输出集电极电流I
C
（ CTR ）
（注意： 2&3 ）
MOC8106
MOC8107
MOC8108
集电极 - 发射极SaturationVoltageV
CE （SAT）
输入到输出隔离电压V
ISO
输入输出隔离阻抗R
ISO
开启时间
吨
打开-O FF时间
花花公子
输出上升时间Tr
输出下降时间
tf
注1
注2
注3
5300
7500
5x10
10
7.5
5.7
3.2
4.7
20
20
民
1.0
6
TYP MAX
1.15
1.5
10
70
6
1.0
50
单位测试条件
V
V
μA
V
V
nA
I
F
= 10毫安
I
R
= 10μA
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安
I
E
= 100μA
V
CE
= 10V
产量
再加
5.0(50)
10(100)
25(250)
0.15
15 （ 150 ）， MA（ ％ ）
30 （ 300 ）， MA（ ％ ）
60 （ 600 ）， MA（ ％ ）
0.4
V
V
RMS
V
PK
Ω
μs
μs
μs
μs
10毫安我
F
, 10V V
CE
10毫安我
F
, 10V V
CE
10毫安我
F
, 10V V
CE
5毫安我
F
， 0.5毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V （注1 ）
V
CC
= 10V ,
I
C
= 2毫安，R
L
= 100Ω
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
生产测试 - 极限验证与脉冲测试
18/2/09
DA92586
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