CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 , CNY172 , CNY173 , CNY174 , CNY17F1 , CNY17F2 ,
CNY17F3 , CNY17F4 , MOC8101 , MOC8102 , MOC8103 ,
MOC8104 , MOC8105 , MOC8106 , MOC8107 , MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ,可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X (如CNY17F2M )
■
UL认证(文件号E90700 )
■
VDE认可
- 添加选项V白色包(如, CNY17F2VM )
- 文件# 102497
- 添加选项' 300'黑包(如, CNY17F2300 )
- 文件# 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低( CNY17X / M , CNY17FX / M ,
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
( CNY17FX / M , MOC810X )
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 , CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装( -M SUF网络X)
黑色包装(无-M SUF网络X)
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C (LED加检测器)
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
( PK)
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值( 1 μs的脉冲, 300 ,PPS)
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M , CNY17FX / M ,
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ,持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V , F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性(续)
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ,我
F
= 0
I
E
= 100 A ,我
F
= 0
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
V
CB
= 10 V,I
F
= 0
V
CE
= 0中,f = 1 MHz的
V
CB
= 0中,f = 1 MHz的
V
EB
= 0中,f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹,吨= 1分钟。 (4)
F = 60赫兹,吨= 1秒。 (4)
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC ( RMS) *
VAC ( PK)
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC ( 4 )
V
我-O
= O,F = 1兆赫(4)
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流(有效值) 1分钟,相当于约9000伏交流( pk)的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
(I
F
= 10 mA时,我
C
= 2.5 mA)的
—
—
0.3
V
V
CE ( SAT )
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
( CTR )
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
t
on
—
(典型值) *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,请参阅图20 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5 V ,R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5 V ,R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
MOC8101/MOC8102/MOC8103/MOC8104/MOC8105
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出,
没有基连接
特点
隔离测试电压, 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
用于改进没有相应的终端连接
共模接口免疫
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅(Pb) -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179009
描述
该MOC8101 / 2/3/ 4/5系列光耦组成的
砷化镓红外发光二极管光耦合到
在塑料插件中一个硅平面光电晶体管检测器
DIP - 6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。潜力
要被连接的电路之间的差别不应该
超出允许的最大参考电压。
该MOC8101 / 2/3 /4/5的基端被连接不上,
产生了显着改善的共模
抗干扰性。
机构认证
UL1577 ,文件号。 E52744系统代号H或按J ,双
保护
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-2 ( VDE 0884 ) / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8101-X006
MOC8101-X007
MOC8101-X009
MOC8102-X006
MOC8102-X007
MOC8102-X009
MOC8104-X006
MOC8104-X009
MOC8105-X006
MOC8105-X009
记
有关可用选项的更多信息,请参阅选项的信息。
备注
点击率5080% , DIP-6
点击率73 117 % , DIP - 6
CTR 108 173 % , DIP - 6
CTR 160 256 % , DIP - 6
点击率65 133 % , DIP - 6
点击率5080 % , DIP - 6 400万(选项6 )
点击率5080% ,SMD -6(选项7 )
点击率5080% ,SMD -6(选项9 )
点击率73 117 % , DIP - 6 400万(选项6 )
点击率73 117 % , SMD - 6 (选项7 )
点击率73 117 % , SMD - 6 (选件9 )
CTR 160 256 % , DIP - 6 400万(选项6 )
CTR 160 256 % , SMD - 6 (选件9 )
点击率65 133 % , DIP - 6 400万(选项6 )
点击率65 133 % , SMD - 6 (选件9 )
文档编号: 83660
修订版1.5 11 -JAN- 08
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
MOC8101/MOC8102/MOC8103/MOC8104/MOC8105
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出,
没有基连接
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
线性降额从25℃
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极电流
线性降额从25℃
功耗
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ,第1部分
绝缘电阻
从25° C减免线性
总功耗
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
(2)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
mm
mm
mm
t
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
P
DISS
V
ISO
30
7.0
50
2.0
150
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
CTI
V
IO
= 500 V
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
最大。 10秒,浸焊:
距离飞机座位
≥
1.5 mm
T
SLD
175
10
12
3.33
250
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
毫瓦/°C的
mW
°C
°C
°C
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃,除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件( SMD )焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件( DIP ) 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极 - 发射极暗电流
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
热阻
www.vishay.com
2
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V ,T
AMP
= 25 °C
V
CE
= 10 V ,T
AMP
= 100 °C
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
μA
MOC8101
MOC8102
C
CE
I
CEO1
I
CEO1
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJA
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
30
7.0
500
5.2
1.0
1.0
50
pF
nA
A
V
V
K / W
文档编号: 83660
修订版1.5 11 -JAN- 08
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.5
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101/MOC8102/MOC8103/MOC8104/MOC8105
光电耦合器,光电晶体管输出,
威世半导体
没有基连接
电气特性
参数
耦合器
饱和电压集电极 - 发射极
耦合电容
I
F
= 5.0毫安
V
CESAT
C
C
0.25
0.6
0.4
V
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃,除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
MOC8101
MOC8102
电流传输比
V
CE
= 10 V,I
F
= 10毫安
MOC8103
MOC8104
MOC8105
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
73
108
160
65
典型值。
马克斯。
80
117
173
256
133
单位
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
截止频率
测试条件
V
CC
= 10 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
Ω
V
CC
= 10 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
Ω
V
CC
= 10 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
Ω
V
CC
= 10 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
Ω
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
f
co
分钟。
典型值。
3.0
2.3
2.0
2.0
250
马克斯。
单位
s
s
s
s
千赫
典型特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有说明
1.7
1.5
10
1
归
到我
F
= 10毫安
1.3
T
A
= 55 °C
1.1
0.9
I C (标准化)
V
F( V)的
T
A
= 25 °C
0.1
T
A
= 100 °C
0.7
0.1
imoc8101_02
0.01
1
I F (毫安)
10
100
imoc8101_03
0.1
1
I F (毫安)
10
100
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 2 - 集电极电流与LED正向电流
文档编号: 83660
修订版1.5 11 -JAN- 08
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
3
MOC8101/MOC8102/MOC8103/MOC8104/MOC8105
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出,
没有基连接
25
I F = 10毫安
MOC8104
10000
归
to
V
CE
= 10
V
20
15
10
5
0
0
imoc8101_04
1000
(归一化)
I C (毫安)
MOC8103
MOC8105
MOC8102
MOC8101
100
V
CE
= 30
V
10
I CEO
1
V
CE
= 10
V
1
2
3
4
5
V
CE ( V)
6
7
8
9
10
imoc8101_06
0.1
0
20
40
的Ta (℃)
60
80
100
图。 3 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 5 - 集电极发射极暗电流与环境温度
10
归
给T
A
= 25 °C
20
18
16
F = 1 MHz的
C
LED
- 电容(pF )
IC (MA )
I
F
= 10毫安
V
CE
= 10
V
14
12
10
8
6
4
2
0
C
CE
1
0.1
- 60 - 40
- 20
imoc8101_05
0
20 40
T( ℃)
60
80
100 120
imoc8101_07
0.01
0.1
1
电压
(V)
1 0
100
图。 4 - 集电极电流与环境温度
图。 6 - 电容与电压
V
CC
= 10
V
R
L
= 100
Ω
10
%
输入
产量
90
%
t
r
t
on
测试电路
imoc81010_01
输入脉冲
I
F
I
C
输出脉冲
t
f
t
的F
波形
图。 7 - 开关时间测试电路和波形
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
文档编号: 83660
修订版1.5 11 -JAN- 08
MOC8101/MOC8102/MOC8103/MOC8104/MOC8105
光电耦合器,光电晶体管输出,
威世半导体
没有基连接
包装尺寸
以英寸(毫米)
3
2
1
引脚1号
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 ( 0.80 )分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 ( 2.54 ) TYP 。
i178004
18 °
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
( 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.028 (0.7)
分钟。
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03 )
0.300 (7.62)
REF 。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1) 0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51 )
0.040 (1.02 )
0.315 (8.00)
分钟。
18450
0.315 (8.0)
分钟。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.012 ( 0.30 ) (典型值) 。
15最大。
文档编号: 83660
修订版1.5 11 -JAN- 08
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
5
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)窗口转换到一个狭窄的,可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备,该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA)的
(I
F
= 10 mA)的
反向漏电流(V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
( F = 60赫兹,T = 1.0分。 )
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(4)
V
CE ( SAT )
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC ( RMS)
pF
( CTR )
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA)的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,参见图11 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)窗口转换到一个狭窄的,可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备,该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA)的
(I
F
= 10 mA)的
反向漏电流(V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
( F = 60赫兹,T = 1.0分。 )
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(4)
V
CE ( SAT )
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC ( RMS)
pF
( CTR )
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA)的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,参见图11 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MOC8101 / D
MOC8101
[ CTR = 50-80% ]
GlobalOptoisolator
6引脚DIP光隔离器
电源应用
(没有基连接)
在MOC8101 , MOC8102 , MOC8103 , MOC8104和MOC8105设备
由一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管
在双列直插式封装。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)的Windows ,并转化为狭隘的,可预测的开环增益
窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地的连接
最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备中,
后缀为“ V”必须包含在零件编号最后。 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关模式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
不同的潜能和阻抗的接口和连接系统
最大额定值
( TA = 25° C除非另有说明)
等级
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 100
s,
120 PPS )
反向电压
LED功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流 -
探测器功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压( 1 )
中(f = 60Hz时, t为1秒)。
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作环境温度范围( 2 )
存储温度范围( 2 )
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
VISO
PD
TA
TSTG
TL
7500
250
2.94
- 55 + 100
- 55 + 150
260
VAC ( PK)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
VCEO
VECO
IC
PD
30
7
150
150
1.76
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
IF
IF ( PK)
VR
PD
60
1
6
120
1.41
mA
A
符号
价值
单位
MOC8102
[ CTR = 73-117 % ]
MOC8103
[ CTR = 108-173 % ]
MOC8104
[ CTR = 160-256 % ]
MOC8105 *
[ CTR = 65-133 % ]
*摩托罗拉的首选设备
方式3塑料
6
1
标准通孔
CASE 730A -04
概要
1
伏
mW
毫瓦/°C的
2
3
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
NC
NC
6
5
4
阳极
阴极
无连接
辐射源
集热器
无连接
1,输入输出隔离电压, VISO ,是内部设备绝缘击穿的评价。
1.
对于本试验中,引脚1和2是常见的,并且引脚4和图5是共同的。
2.参考质量和可靠性科光电数据手册,了解有关试验条件。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
GlobalOptoisolator是摩托罗拉公司的一个商标。
REV 1
摩托罗拉光电设备数据
1
MOC8101 MOC8102 MOC8103 MOC8104 MOC8105
电气特性
( TA = 25 ° C除非另有说明) ( 1 )
特征
输入LED
正向电压( IF = 10 mA)的
反向漏电流( VR = 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
( VCE = 10 V , TA = 25 ° C)
( VCE = 10 V , TA = 100 ° C)
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 1.0 mA)的
发射极 - 集电极击穿电压(IE = 100
A)
集电极 - 发射极电容( F = 1.0 MHz时, VCE = 0 )
再加
输出集电极电流
( IF = 10 mA时, VCE = 10 V)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
集成电路( CTR), (2)
5.0 (50)
7.3 (73)
10.8 (108)
16 (160)
6.5 (65)
—
—
—
—
—
7500
1011
—
6.5 (65)
9.0 (90)
14 (140)
20 (200)
10 (100)
0.15
7.5
5.7
3.2
4.7
—
—
0.2
8.0 (80)
11.7 (117)
17.3 (173)
25.6 (256)
13.3 (133)
0.4
20
20
—
—
—
—
—
MA( % )
ICEO1
ICEO2
V( BR ) CEO
V( BR ) ECO
CCE
—
—
30
7.0
—
1.0
1.0
45
7.8
7.0
50
—
—
—
—
nA
A
V
V
pF
VF
IR
C
1.0
—
—
1.15
0.05
18
1.5
10
—
V
A
pF
符号
民
典型值
(1)
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压( IC = 500
A,
IF = 5.0 mA)的
导通时间( IC = 2.0 mA时, VCC = 10 V , RL = 100
)
(3)
关断时间( IC = 2.0 mA时, VCC = 10 V , RL = 100
)
(3)
上升时间( IC = 2.0 mA时, VCC = 10 V , RL = 100
)
(3)
下降时间( IC = 2.0 mA时, VCC = 10 V , RL = 100
)
(3)
隔离电压中(f = 60Hz时, t为1.0秒) (4)
绝缘电阻( VI - O = 500 V) ( 4 )
隔离电容( VI -O = 0 , F = 1.0兆赫) ( 4 )
1.
2.
3.
4.
VCE ( SAT )
吨
花花公子
tr
tf
VISO
RISO
CISO
V
s
s
s
s
VAC ( PK)
pF
始终以设计规定的最小/最大电限(如适用) 。
电流传输比( CTR) = IC / IF ×100% 。
测试电路的设置和波形,请参阅图7 。
对于本试验中,引脚1和2是常见的,并且引脚4和图5是共同的。
典型特征
2
VF ,正向电压(伏)
1.8
PULSE ONLY
脉冲或DC
我C,输出集电极电流(归)
标准化为:
IF = 10毫安
1
1.6
1.4
TA = -55°C
25°C
100°C
1
10
100
IF , LED正向电流(mA )
1000
1.2
1
0.1
0.01
0.5
1
2
5
10
20
IF , LED输入电流(mA)
50
图1. LED正向电压与正向电流
图2.输出电流与输入电流
2
摩托罗拉光电设备数据
MOC8101 MOC8102 MOC8103 MOC8104 MOC8105
IC ,输出集电极电流(归)
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
TA ,环境温度( ° C)
100
标准化为TA = 25°C
IC ,输出集电极电流(mA)
IF = 10毫安
20
MOC8104
16
12
8
4
0
0
1
MOC8103
MOC8105
MOC8102
MOC8101
2
3
4
5
6
7
8
9
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
10
图3.集电极电流与
集电极 - 发射极电压
ICEO ,集电极 - 发射极暗电流
(归一化)
图4.输出电流与环境温度
20
C,电容(pF )
100
标准化为:
VCE = 10 V
TA = 25°C
18
16
14
12
10
8
6
4
2
CLED
F = 1 MHz的
10
VCE = 30 V
1
10 V
0
20
40
60
80
TA ,环境温度( ° C)
100
CCE
0.1
0
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
5
V,电压(V )
10
20
50
图5.暗电流与环境温度
图6.电容与电压
测试电路
VCC = 10 V
IF = 10毫安
输入
RL = 100
10%
产量
波形
输入脉冲
输出脉冲
90%
tr
吨
tf
花花公子
图7.开关时间测试电路和波形
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
摩托罗拉光电设备数据
3
MOC8101 MOC8102 MOC8103 MOC8104 MOC8105
包装尺寸
–A–
6
4
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.320
0.350
0.240
0.260
0.115
0.200
0.016
0.020
0.040
0.070
0.010
0.014
0.100 BSC
0.008
0.012
0.100
0.150
0.300 BSC
0
_
15
_
0.015
0.100
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
MILLIMETERS
民
最大
8.13
8.89
6.10
6.60
2.93
5.08
0.41
0.50
1.02
1.77
0.25
0.36
2.54 BSC
0.21
0.30
2.54
3.81
7.62 BSC
0
_
15
_
0.38
2.54
–B–
1
3
F
4 PL
N
C
L
–T–
座位
飞机
K
G
J
6 PL
0.13 (0.005)
T A
M
M
E
6 PL
D
6 PL
0.13 (0.005)
M
M
T B
M
A
M
B
M
阳极
阴极
NC
辐射源
集热器
NC
CASE 730A -04
ISSUE摹
–A–
6
1
4
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
民
最大
0.320
0.350
0.240
0.260
0.115
0.200
0.016
0.020
0.040
0.070
0.010
0.014
0.100 BSC
0.020
0.025
0.008
0.012
0.006
0.035
0.320 BSC
0.332
0.390
MILLIMETERS
民
最大
8.13
8.89
6.10
6.60
2.93
5.08
0.41
0.50
1.02
1.77
0.25
0.36
2.54 BSC
0.51
0.63
0.20
0.30
0.16
0.88
8.13 BSC
8.43
9.90
–B–
3
S
F
4 PL
H
C
L
–T–
G
E
6 PL
D
6 PL
0.13 (0.005)
M
J
K
6 PL
0.13 (0.005)
T A
M
M
座位
飞机
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
S
M
T B
M
A
B
M
CASE 730C -04
版本D
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
*MOC8101/D*
摩托罗拉光电
MOC8101/D
设备数据
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)窗口转换到一个狭窄的,可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备,
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1,输入输出隔离电压, VISO ,是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压(I
F
= 60 mA)的
反向漏电流(V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
( BR ) ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
( CTR )
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE ( SAT )
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC ( RMS)
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
( BR ) CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
( F = 60赫兹,T = 1.0分。 )
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(4)
www.fairchildsemi.com
2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA)的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,请参阅图7 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
DS300266
9/18/01
3 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)窗口转换到一个狭窄的,可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备,
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1,输入输出隔离电压, VISO ,是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压(I
F
= 60 mA)的
反向漏电流(V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
( BR ) ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
( CTR )
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE ( SAT )
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC ( RMS)
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
( BR ) CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
( F = 60赫兹,T = 1.0分。 )
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(4)
www.fairchildsemi.com
2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA)的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,请参阅图7 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
DS300266
9/18/01
3 10
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2006年9月
CNY171 , CNY172 , CNY173 , CNY174 , CNY17F1 , CNY17F2 ,
CNY17F3 , CNY17F4 , MOC8101 , MOC8102 , MOC8103 ,
MOC8104 , MOC8105 , MOC8106 , MOC8107 , MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证(文件号E90700 )
■
VDE认可
- 添加选项V白色包(如, CNY17F2VM )
- 文件# 102497
- 添加选项' 300'黑包(如, CNY17F2300 )
- 文件# 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低( CNY17X / M , CNY17FX / M ,
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化
单元到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
( CNY17FX / M , MOC810X )
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 , CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装( -M SUF网络X)
黑色包装(无-M SUF网络X)
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.6
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
储存温度
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C (LED加检测器)
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
I
F
V
R
I
F
( PK)
P
D
连续正向电流
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值( 1 μs的脉冲, 300 ,PPS)
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
I
C
V
首席执行官
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
所有
CNY17X / M , CNY17FX / M ,
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
V
ECO
P
D
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ,持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
参数
设备
价值
单位
2
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
V
F
= 0 V , F = 1.0MHz的
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
BV
首席执行官
击穿电压
集电极到发射极
I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
30
70
100
100
V
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10μA ,我
F
= 0
I
E
= 100μA ,我
F
= 0
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
V
CB
= 10 V,I
F
= 0
V
CE
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
= 0中,f = 1MHz的
V
EB
= 0中,f = 1MHz的
70
7
120
10
1
50
20
8
20
10
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹,吨= 1分钟,
I
我-O
≤
2A
(4)
F = 60赫兹,吨= 1秒,
I
我-O
≤
2A
(4)
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
分钟。
5300
7500
10
11
TYP。 **最大。
单位
VAC ( RMS) *
VAC ( PK)
R
ISO
C
ISO
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O,F = 1MHz的
(4)
0.5
0.2
pF
注意:
* 5300伏交流(有效值) 1分钟,相当于约9000伏交流( pk)的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
符号
再加
( CTR )
(2)
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安,我
C
= 2.5毫安
I
F
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
DC特性
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101 / 2 /3/4 /5/6 /7/ 8 I
C
= 500μA ,我
F
= 5.0毫安
CNY17X/FX
0.3
V
符号
t
on
AC特性
(3)
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
测试条件
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
分钟。 (典型值) *最大。
2
20
单位
s
不饱和开关时间
10
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
3
20
t
关闭
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
10
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75
2
3.5
1
4.0
4.1
s
s
5.6
s
s
t
d
t
r
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
4
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(续)
符号
t
on
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
AC特性
(3)
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
测试条件
I
F
= 20mA时, V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 0.4V
分钟。
典型值。
MAX 。单位
5.5
8.0
s
饱和开关时间
t
r
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时, V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
s
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 20mA时, V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
延迟时间
t
d
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
t
f
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时, V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 0.4V
20
24
s
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1k
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,请参阅图20 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
MOC8101X,MOC8102X,MOC8103X,MOC8104X,MOC8105X
MOC8101 , MOC8102 , MOC8103 , MOC8104 , MOC8105
非铅基
光耦合隔离器
光电晶体管输出
认证
l
UL认证,文件号E91231
“X”规格认证
l
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
1
2
3
尺寸(mm)
6
5
4
VDE 0884中提供3引脚形式: -
- STD
- 摹形
- SMD批准CECC 00802
l
通过以下认证, EN60950
检验机构: -
NEMKO - 证书号P01102464
FIMKO - 证书编号FI18166
SEMKO - 编号为0202037 / 01-22
DEMKO - 证书311158-01号
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
l
BSI认可 - 证书8001号
描述
在MOC8101 , MOC8102 , MOC8103 , MOC8104 ,
MOC8105系列光耦合隔离器
由红外线发光二极管和NPN型的
在一个标准的6针双硅光电晶体管
在直插式塑料封装,管脚
悬空。
特点
l
选项: -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高隔离电压( 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
管脚悬空,以提高噪声
免疫力高EMI环境
应用
l
直流电机控制器
l
工业系统控制器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
绝对最大额定值
( 25°C除非另有说明)
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
( 1/16英寸( 1.6毫米)从案例10秒) 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
60mA
6V
105mW
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
30V
6V
160mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
总功耗
200mW
(减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C)
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ,公园景观西路,
公园景工业村,布伦达路
哈特尔浦,克利夫兰, TS25 1YD
联系电话: ( 01429 ) 863609传真: ( 01429 ) 863581
31/3/03
DB92193m-AAS/A4
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 , CNY172 , CNY173 , CNY174 , CNY17F1 , CNY17F2 ,
CNY17F3 , CNY17F4 , MOC8101 , MOC8102 , MOC8103 ,
MOC8104 , MOC8105 , MOC8106 , MOC8107 , MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ,可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X (如CNY17F2M )
■
UL认证(文件号E90700 )
■
VDE认可
- 添加选项V白色包(如, CNY17F2VM )
- 文件# 102497
- 添加选项' 300'黑包(如, CNY17F2300 )
- 文件# 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低( CNY17X / M , CNY17FX / M ,
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
( CNY17FX / M , MOC810X )
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 , CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装( -M SUF网络X)
黑色包装(无-M SUF网络X)
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C (LED加检测器)
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
( PK)
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值( 1 μs的脉冲, 300 ,PPS)
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M , CNY17FX / M ,
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ,持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V , F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性(续)
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ,我
F
= 0
I
E
= 100 A ,我
F
= 0
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
V
CB
= 10 V,I
F
= 0
V
CE
= 0中,f = 1 MHz的
V
CB
= 0中,f = 1 MHz的
V
EB
= 0中,f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹,吨= 1分钟。 (4)
F = 60赫兹,吨= 1秒。 (4)
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC ( RMS) *
VAC ( PK)
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC ( 4 )
V
我-O
= O,F = 1兆赫(4)
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流(有效值) 1分钟,相当于约9000伏交流( pk)的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
(I
F
= 10 mA时,我
C
= 2.5 mA)的
—
—
0.3
V
V
CE ( SAT )
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
( CTR )
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
t
on
—
(典型值) *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5
CNY17X , CNY17FX , MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,请参阅图20 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5 V ,R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5 V ,R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5 V ,R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X , CNY17FX , MOC810X版本1.0.5