MOC8021M ， MOC8050M光电复合光耦（无底座的连接）
2007年11月
MOC8021M ， MOC8050M
光电复合光耦（无底座的连接）
特点
■
高BV
首席执行官
tm
描述
该MOC8021M和MOC8050M是photodarlington-
型光学耦合光耦合器。该装置具有一个
加上一个砷化镓红外发光二极管
硅达林顿晶体管。
■
■
■
■
■
- 最小50V （ MOC8021M ）
- 最小80V （ MOC8050M ）
高电流传输比：
- 最低1000 ％ （ MOC8021M ）
- 最低500 ％ （ MOC8050M ）
500%
不为提高抗干扰基地连接
美国保险商实验室（ UL）的认可
文件＃ E90700 ，第2卷
IEC 60747-5-2批准（订购选项V）
应用
■
家电，测量仪器
■
计算机I / O接口
■
可编程控制器
■
便携式电子产品
■
接口和不同的耦合系统
势和阻抗
■
固态继电器
概要
阳极1
6 N / C
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
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MOC8021M ， MOC8050M版本1.0.3
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MOC8021M ， MOC8050M光电复合光耦（无底座的连接）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
MOC8021M
MOC8050M
储存温度
工作温度
参数
价值
-55到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
60
3
120
1.41
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
无铅焊锡温度（波峰焊）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
50
80
150
1.76
150
V
mW
毫瓦/°C的
mA
P
D
I
C
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
连续集电极电流
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MOC8021M ， MOC8050M光电复合光耦（无底座的连接）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
参数
辐射源
V
F
I
R
BV
首席执行官
输入正向电压
反向漏电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8021M
MOC8050M
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0V
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
50
80
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 60V ，我
F
= 0
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
8
5
100
100
10
1
V
V
A
pF
1.18
0.001
2.00
10
V
A
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
传输特性
符号
参数
DC特性
CTR
电流传输比，
集电极到发射极
MOC8021M
MOC8050M
AC特性
t
on
t
关闭
非饱和导通时间
打开-O FF时间
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1.5V
I
F
= 5毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
I
F
= 5毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
1,000
500
8.5
95
%
s
s
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500V直流
V
我-O
= O，F = 1MHz的
分钟。
7500
10
11
典型值。
马克斯。
单位
VAC （ PK）
0.2
2
pF
注意：
*在T典型值
A
= 25°C
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MOC8021M ， MOC8050M光电复合光耦（无底座的连接）
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
归一化CTR - 电流传输比
1.8
图。 2归CTR与正向电流
V
CE
= 10V
T
A
= 25 C
o
归到我
F
= 10毫安
1.6
V
F
- 正向电压（ V）
1.4
T
A
= -40
o
C
T
A
= 0 C, 25 C
o
o
T
A
= -40 C
o
1
T
A
= 7 0 C
T
A
= 110
o
C
o
1.2
1.0
T
A
= 25
o
C
T
A
= 110
o
C
0.8
0.6
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 4开启时间与正向电流
1000
图。 3归CTR与环境温度
归一化CTR - 电流传输比
1.6
I
F
= 10毫安
V
= 10V
归一化到T
A
= 25 C
o
R
L
= 1k
V
CC
= 10V
T
A
= 25
o
C
1.4
CE
100
T
ON
- 导通时间（μs ）
R
L
= 100
R
L
= 10
1.2
10
1.0
0.8
1
0.6
0.4
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.1
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 5关断时间与正向电流
V
CC
= 10V
T
A
= 25
o
C
1000
图。 6归集电极 - 发射极电流
与集电极 - 发射极电压
归一化我
CE
- COLLECOTR射极电流
16
T
A
= 25 C
14
I
F
= 10毫安
12
10
I
F
= 5毫安
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
o
标准化为：
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5V
T
关闭
- 导通时间（μs ）
R
L
= 1K
100
R
L
= 100
R
L
= 10
10
I
F
= 2毫安
I
F
= 1毫安
1
0
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
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MOC8021M ， MOC8050M光电复合光耦（无底座的连接）
典型性能曲线
（续）
图。 7暗电流与环境温度
100,000
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
V
CE
= 10V
10,000
1.000
100
10
1
0.1
0.01
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
A
- 环境温度（ ° C）
测试电路
V
CC
= 10V
波形
输入脉冲
I
F
输入
R
BE
I
C
R
L
10%
90%
t
r
t
on
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
图8.开关时间测试电路和波形
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