【6引脚DIP零交叉光三驱动光电耦合器（ 600V PEAK ）MOC3061-MMOC3062-M包】,IC型号MOC3162SVM,MOC3162SVM PDF资料,MOC3162SVM经销商,ic,电子元器件-51电子网

6引脚DIP零交叉

光三驱动光电耦合器

（ 600V PEAK ）

MOC3061-M

MOC3062-M

包

MOC3063-M

MOC3162-M

MOC3163-M

概要

阳极1

6个主要的术语。

N / C 3

阴极2

5 NC *

零

路口

电路

4主要名词。

*不要连接

（ TRIAC基板）

描述

该MOC306X -M和MOC316X -M的设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片硅砷化镓

检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。它们设计用于在一间三端双向可控硅

面对逻辑系统设备从二百四分之一百一十五VAC线路，如固态继电器，工业控制，电机，驱动的电磁铁

noids和消费类电子产品等。

特点

帮助Simpli科幻ES逻辑控制二百四十〇分之一百十五VAC电源

零电压穿越

1000 V的dv / dt /μs的保证（ MOC316X -M ）

- 600 V / ms的保证（ MOC306X -M ）

VDE认可（文件号： 94766 ）

- 订购选项V（例如， MOC3063V -M ）

美国保险商实验室（ UL）的认可（文件＃ E90700 ，第2卷）

应用

螺线管/阀门控制

静态电源开关

温度控制

交流电动机起动器

照明控制

交流马达驱动器

E.M.接触

固态继电器

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MOC3162-M

MOC3163-M

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

设备总

储存温度

工作温度

无铅焊锡温度

结温范围

隔离浪涌电压

(4)

（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）

器件总功耗@ 25°C

减免上述25℃

辐射源

连续正向电流

反向电压

总功率耗散25 ° C环境

减免上述25℃

探测器

断态输出端子电压

重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）

总功率耗散@ 25 ° C环境

减免上述25℃

DRM

TSM

所有

600

150

1.76

毫瓦/°C的

所有

120

1.41

毫瓦/°C的

英镑

OPR

SOL

ISO

所有

-40到+150

-40至+85

260 ，持续10秒

-40至+100

7500

250

2.94

°C

VAC （ PK）

毫瓦/°C的

符号

设备

价值

单位

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电气特性

（ TA = 25° C除非另有规定编）

单个组件特性

参数

辐射源

输入正向电压

反向漏电流

探测器

高峰阻断电流，两个方向

断态电压临界上升率

测试条件

= 30毫安

= 6 V

DRM

= 600V ，我

= 0（注1 ）

= 0 （FI gure 9 ，注3）

符号

DRM1

dv / dt的

设备

所有

MOC316X-M

MOC306X-M

MOC316X-M

民

典型*

1.3

0.005

1500

最大

1.5

100

500

单位

V / μs的

600

1000

传输特性

= 25 ° C除非另有规定编）

DC特性

测试条件

符号

设备

MOC3061-M

MOC3062-M/

MOC3162-M

MOC3063-M/

MOC3163-M

所有

1.8

500

民

典型*

最大

单位

LED触发电流

（额定我

)

主要终端

电压= 3V （注2 ）

峰值通态电压，任一方向

保持电流，两个方向

= 100 mA峰值，

=额定我

过零特性

特征

抑制电压（ MT1 - MT2电压

以上这些设备将不会

触发）

泄漏抑制状态

测试条件

=额定我

DRM

= 600V ，关闭状态

符号

INH

DRM2

设备

MOC3061-M/2M/3M

MOC3062-M/3M

所有

民

典型*

150

最大

500

单位

隔离特性

特征

隔离电压

*在T典型值

= 25°C

笔记

1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。

2.所有设备都保证在触发的I

值小于或等于最大余

。因此，推荐的工作我

谎

我最大的

（15毫安MOC3061 -M ，1000毫安MOC3062 -M & MOC3162 -M ， 5毫安为MOC3063 -M & MOC3163 - M）和

绝对最大值我

（60 mA）的。

3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。

4.隔离浪涌电压，V

ISO

，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，

和引脚4 ， 5和6是常见的。

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测试条件

F = 60Hz时， t为1秒

符号

ISO

设备

所有

民

7500

典型*

最大

单位

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MOC3062-M

MOC3063-M

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MOC3163-M

图1. LED正向电压与正向电流

1.7

1.6

，正向电压（ V）

1.5

1.4

归一化

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.1

= -40°C

= 25°C

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

-40

1.6

1.5

图2.触发电流比。温度

= 3V

归一化到T

= 25°C

= 85°C

100

-20

100

， LED正向电流（mA ）

，环境温度（ ° C）

图3. LED电流来触发与

LED脉冲宽度

， LED触发电流（归）

， LED触发脉冲宽度（ μS ）

100

= 25°C

标准化为PW

>>为100μs

10000

图4.漏电流， IDRM与温度的关系

DRM

漏电流（ NA）

1000

100

0.1

-40

-20

100

，环境温度（ ° C）

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图5.我

DRM2

，泄漏在禁止状态与温度的关系

2.4

2.2

，通态电流（毫安）

2.0

1.8

DRM2

归一化

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-40

=额定我

归一化到T

= 25°C

800

600

400

200

-200

-400

-600

-800

-4

-3

图6.开启状态特性

= 25°C

-20

100

-2

-1

，环境温度（ ° C）

，导通电压（伏）

图7.我

，保持电流与温度的关系

3.2

，保持电流（归一化）

2.8

2.4

INH

归一化

2.0

1.6

1.2

0.8

0.85

0.4

0.0

-40

0.80

-40

-20

100

，环境温度（ ° C）

1.20

1.15

图8.禁止电压与温度的关系

归一化到T

= 25°C

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

-20

100

，环境温度（ ° C）

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