6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
包
MOC3082M
MOC3083M
概要
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
5 NC *
N / C 3
零
路口
电路
*不要连接
（ TRIAC基板）
4主要名词。
描述
该MOC3081M ， MOC3082M和MOC3083M设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片砷化镓
硅检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。
它们被设计用于在逻辑系统到设备的接口的离散功率可控硅从240伏交流线供电，
如固态继电器，工业控制，电机，电磁阀及消费类电子产品等。
特点
美国保险商实验室（ UL ）的认可 - 网络文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认可 - 网络文件＃ 102497 - 添加选项V（例如， MOC3083VM ）
简化网络连接的ES逻辑控制的240 VAC电源
零电压穿越
1500 V的dv / dt /μs的保证典型， 600 V / μs的
兼容飞兆半导体的FKPF12N80分立功率TRIAC
应用
螺线管/阀门控制
照明控制
静态电源开关
交流马达驱动器
温度控制
E.M.接触
交流电动机起动器
固态继电器
2005仙童半导体公司
分页： 11 1
6/15/05
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(4)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
V
DRM
I
TSM
P
D
800
1
150
1.76
V
A
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2005仙童半导体公司
第11 2
6/15/05
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流，两个方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 800V ，我
F
= 0（注1 ）
I
F
= 0 （FI gure 9 ，注3）
I
DRM1
dv / dt的
600
10
1500
500
nA
V / μs的
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
F
I
R
1.3
0.005
1.5
100
V
A
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
主要终端
电压= 3V （注2 ）
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
符号
设备
MOC3081M
LED触发电流
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
I
FT
MOC3082M
MOC3083M
V
TM
I
H
所有
所有
1.8
500
民
典型*
最大
15
10
5
3
V
A
mA
单位
过零特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
测试条件
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
,
V
DRM
= 800V ，关闭状态
符号
V
INH
I
DRM2
设备
所有
所有
民
典型*
12
200
最大
20
500
单位
V
A
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
*在T典型值
A
= 25°C
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安MOC3081M 10毫安MOC3082M 5毫安MOC3083M ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
4.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，
和引脚4 ， 5和6是常见的。
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒（注4）
符号
V
ISO
民
7500
典型*
最大
单位
VAC （ PK）
2005仙童半导体公司
第11 3
6/15/05
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
包
MOC3082M
MOC3083M
概要
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
5 NC *
N / C 3
零
路口
电路
*不要连接
（ TRIAC基板）
4主要名词。
描述
该MOC3081M ， MOC3082M和MOC3083M设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片砷化镓
硅检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。
它们被设计用于在逻辑系统到设备的接口的离散功率可控硅从240伏交流线供电，
如固态继电器，工业控制，电机，电磁阀及消费类电子产品等。
特点
美国保险商实验室（ UL ）的认可 - 网络文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认可 - 网络文件＃ 102497 - 添加选项V（例如， MOC3083VM ）
简化网络连接的ES逻辑控制的240 VAC电源
零电压穿越
1500 V的dv / dt /μs的保证典型， 600 V / μs的
兼容飞兆半导体的FKPF12N80分立功率TRIAC
应用
螺线管/阀门控制
照明控制
静态电源开关
交流马达驱动器
温度控制
E.M.接触
交流电动机起动器
固态继电器
2003仙童半导体公司
分页： 11 1
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(4)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
V
DRM
I
TSM
P
D
800
1
150
1.76
V
A
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第11 2
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流，两个方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 800V ，我
F
= 0（注1 ）
I
F
= 0 （FI gure 9 ，注3）
I
DRM1
dv / dt的
600
10
1500
500
nA
V / μs的
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
F
I
R
1.3
0.005
1.5
100
V
A
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
主要终端
电压= 3V （注2 ）
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
符号
设备
MOC3081M
LED触发电流
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
I
FT
MOC3082M
MOC3083M
V
TM
I
H
所有
所有
1.8
500
民
典型*
最大
15
10
5
3
V
A
mA
单位
过零特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
测试条件
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
,
V
DRM
= 800V ，关闭状态
符号
V
INH
I
DRM2
设备
所有
所有
民
典型*
12
200
最大
20
500
单位
V
A
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
*在T典型值
A
= 25°C
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安MOC3081M 10毫安MOC3082M 5毫安MOC3083M ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
4.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，
和引脚4 ， 5和6是常见的。
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒（注4）
符号
V
ISO
民
7500
典型*
最大
单位
VAC （ PK）
2003仙童半导体公司
第11 3
4/14/03
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M - 6引脚零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 800伏峰）
2010年9月
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M
6引脚零交叉光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
特点
■
美国保险商实验室（ UL ）的认可 -
■
■
■
■
■
描述
该MOC3081M ， MOC3082M和MOC3083M设备
包括在一个GaAs红外发光二极管的光
耦合到一个单片硅检测器进行
功能的零电压穿越两国双向可控硅驱动器。
它们设计用于在分立功率TRIAC
逻辑系统对设备供电的接口
从240 VAC线，如固态继电器，工业
控制器，电机，电磁阀及消费类电子产品，
等等
文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认可 - 文件＃ 102497 - 添加选项V
（例如， MOC3083VM ）
简化网络连接的ES逻辑控制的240 VAC电源
零电压穿越
1500V中的dv / dt /μs的典型， 600V /μs的保证
兼容飞兆半导体的分立FKPF12N80
功率TRIAC
应用
■
螺线管/阀门控制
■
照明控制
■
静态电源开关
■
交流马达驱动器
■
温度控制
■
E.M.接触
■
交流电动机起动器
■
固态继电器
概要
包装纲要
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
5 NC *
N / C 3
零
路口
电路
*不要连接
（ TRIAC基板）
4主要名词。
2005仙童半导体公司
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M - 6引脚零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 800伏峰）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
DRM
I
TSM
P
D
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
参数
价值
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
60
6
120
1.41
800
1
150
1.76
单位
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
V
A
mW
毫瓦/°C的
结温范围
隔离浪涌电压
(1)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25 ° C环境
减免上述25℃
连续正向电流
反向电压
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流（ PW = 100μs的， 120pps ）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
注意：
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和图2是
常见，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
2005仙童半导体公司
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
2
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M - 6引脚零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 800伏峰）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
探测器
I
DRM1
dv / dt的
高峰阻断电流，
任一方向
的临界上升率
断态电压
V
DRM
= 800V ，我
F
= 0
(2)
I
F
= 0 （图9）
(4)
600
10
1500
500
nA
V / μs的
输入正向电压
反向漏电流
I
F
= 30毫安
V
R
= 6V
1.3
0.005
1.5
100
V
A
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
符号
I
FT
DC特性
LED触发电流
测试条件
主要终端
电压= 3V
(3)
设备
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
所有
所有
分钟。
TYP 。 *
MAX 。单位
15
10
5
mA
V
TM
I
H
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，无论是
方向
I
TM
= 100毫安高峰，
I
F
=额定我
FT
1.8
500
3
V
A
过零特性
符号
V
INH
I
DRM2
特征
测试条件
分钟。
TYP 。 *
12
马克斯。
20
2
单位
V
mA
禁止电压（ MT1 - MT2电压I
F
=额定我
FT
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
I
F
=额定我
FT
, V
DRM
= 800V,
关国
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
(5)
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
分钟。
7500
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ PK）
*在T典型值
A
= 25°C
注意事项：
2.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
3.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，建议
我的操作
F
我最大的谎言
FT
（ 15毫安的MOC3081M ， 10毫安为MOC3082M ， 5毫安的MOC3083M ）和
绝对最大值我
F
(60mA).
4.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
5.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和图2是
常见，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
2005仙童半导体公司
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
3
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M - 6引脚零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 800伏峰）
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
2005仙童半导体公司
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
4
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M - 6引脚零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 800伏峰）
典型性能曲线
图1. LED正向电压与正向电流
1.7
1.6
V
F
，正向电压（ V）
1.5
1.4
1.4
I
FT
归一化
1.3
T
A
= -40°C
1.2
T
A
= 25°C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
T
A
= 85°C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-40
1.6
1.5
图2.触发电流比。温度
V
TM
= 3V
归一化到T
A
= 25°C
1
10
100
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
， LED正向电流（mA ）
T
A
，环境温度（ ° C）
图3. LED电流来触发与
LED脉冲宽度
16
I
FT
， LED触发电流（归）
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
PW
IN
， LED触发脉冲宽度（ μS ）
100
T
A
= 25°C
标准化为PW
IN
>>为100μs
I
DRM
漏电流（ NA）
1000
10000
图4.漏电流， IDRM与温度的关系
100
10
1
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
，环境温度（ ° C）
2005仙童半导体公司
MOC3081M ， MOC3082M ， MOC3083M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
5
深圳市腾恩科技有限公司
深圳市TENAND TECHNOLOGY CO。， LTD。
http://www.tenand.com
l在ê - 0：N T E CH NO 1。·摹Y坐标RP RAT IO
精简版，关于财产只有
特点
*输入和输出电压V之间的隔离电压
ISO
: 5,000V
RMS
* 6PIN DIP零交叉光隔离器可控硅驱动器输出
*高重复峰值断态电压V
DRM
：最小。 800V
*断态电压上升的高爆击率
（ dv / dt的： MIN 800V /
s
)
*双列直插式封装：
MOC3083
*宽引脚间距封装：
MOC3083M
*表面贴装封装：
MOC3083S
*编带和卷轴包装：
MOC3083S-TA1
*安全认证
UL / CSA / FIMKO / VDE批准*
*必填“V”排序选项
2010年1月
应用
*交流马达驱动器
*交流电动机起动器
* E.M.接触
*照明控制
*电磁阀/阀门控制
*固态继电器
*静态电源开关
*温度控制
产品型号： MOC3083系列
PAGE ：
1第8
深圳市腾恩科技有限公司
http://www.tenand.com
BNS-OD-C131/A4
深圳市TENAND TECHNOLOGY CO。， LTD。
l在ê - 0：N T E CH NO 1。·摹Y坐标RP RAT IO
精简版，关于财产只有
外形尺寸
双列直插式封装：
宽引脚间距封装：
* 1 。新年日期代码。
* 2 。 2位工作周。
* 3 。工厂识别标志应标明。
（Z ：台湾， Y：泰国， X：中国- TJ ，W ：中国-CZ ）
* 4 。产品型号： MOC3083
产品型号
:
MOC3083系列
BNS-OD-C131/A4
页面
:
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l在ê - 0：N T E CH NO 1。·摹Y坐标RP RAT IO
精简版，关于财产只有
外形尺寸
表面安装封装：
* 1 。新年日期代码。
* 2 。 2位工作周。
* 3 。工厂识别标志应标明。
（Z ：台湾， Y：泰国， X：中国- TJ ，W ：中国-CZ ）
* 4 。产品型号： MOC3083
产品型号
:
MOC3083系列
BNS-OD-C131/A4
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精简版，关于财产只有
大坪尺寸
磁带和卷轴包装：
MOC3083S-TA1
描述
带广
齿孔间距
车厢的距离
车厢的距离为室内
符号
W
P
0
F
P
2
P
1
尺寸mm （英寸）
16
±
0.3 ( .63 )
4
±
0.1 ( .15 )
7.5
±
0.1 ( .295 )
2
±
0.1 ( .079 )
12
±
0.1 ( .472 )
产品型号
:
MOC3083系列
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精简版，关于财产只有
绝对最大额定值
（大= 25℃）
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
断态输出端子电压
产量
峰值重复浪涌电流
（ PW = 100μs的， 120pps ）
集电极耗散功率
总功耗
* 1绝缘电压
工作温度范围
存储温度范围
* 2焊接温度
符号
I
F
V
R
P
D
V
DRM
I
TSM
P
C
P
合计
V
ISO
T
A
T
英镑
T
L
等级
50
6
120
800
1
150
250
5,000
-40 ~ +100
-55 ~ +150
260
单位
mA
V
mW
V
A
mW
mW
VRMS
°C
°C
°C
* 1 。 AC 1分钟，相对湿度= 40 ％60％
隔离电压应采用下面的方法来测定。
（1）短的阳极和阴极之间的初级侧和集电极之间，
发射器在次级侧上。
（2）隔离电压测试仪具有零交叉电路，应使用。
（3）施加的电压的波形必须是正弦波。
* 2 。 10秒
产品型号
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MOC3083系列
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