6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
（ 600V PEAK ）
MOC3061-M
MOC3062-M
包
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
概要
阳极1
6个主要的术语。
6
6
1
N / C 3
阴极2
5 NC *
1
零
路口
电路
4主要名词。
*不要连接
（ TRIAC基板）
6
1
描述
该MOC306X -M和MOC316X -M的设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片硅砷化镓
检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。它们设计用于在一间三端双向可控硅
面对逻辑系统设备从二百四分之一百一十五VAC线路，如固态继电器，工业控制，电机，驱动的电磁铁
noids和消费类电子产品等。
特点
帮助Simpli科幻ES逻辑控制二百四十〇分之一百十五VAC电源
零电压穿越
1000 V的dv / dt /μs的保证（ MOC316X -M ）
- 600 V / ms的保证（ MOC306X -M ）
VDE认可（文件号： 94766 ）
- 订购选项V（例如， MOC3063V -M ）
美国保险商实验室（ UL）的认可（文件＃ E90700 ，第2卷）
应用
螺线管/阀门控制
静态电源开关
温度控制
交流电动机起动器
照明控制
交流马达驱动器
E.M.接触
固态继电器
2003仙童半导体公司
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6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
（ 600V PEAK ）
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(4)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
V
DRM
I
TSM
P
D
所有
所有
所有
600
1
150
1.76
V
A
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
所有
所有
所有
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
所有
所有
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
2003仙童半导体公司
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6引脚DIP零交叉
光三驱动光电耦合器
（ 600V PEAK ）
MOC3061-M
MOC3062-M
MOC3063-M
MOC3162-M
MOC3163-M
电气特性
（ TA = 25° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流，两个方向
断态电压临界上升率
测试条件
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
DRM
= 600V ，我
F
= 0（注1 ）
I
F
= 0 （FI gure 9 ，注3）
符号
V
F
I
R
I
DRM1
dv / dt的
设备
所有
所有
MOC316X-M
MOC306X-M
MOC306X-M
MOC316X-M
民
典型*
1.3
0.005
10
10
1500
最大
1.5
100
100
500
单位
V
A
nA
V / μs的
600
1000
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
符号
设备
MOC3061-M
MOC3062-M/
MOC3162-M
MOC3063-M/
MOC3163-M
所有
所有
1.8
500
民
典型*
最大
15
10
5
3
V
A
mA
单位
LED触发电流
（额定我
FT
)
主要终端
电压= 3V （注2 ）
I
FT
峰值通态电压，任一方向
保持电流，两个方向
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
V
TM
I
H
过零特性
特征
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会
触发）
泄漏抑制状态
测试条件
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
,
V
DRM
= 600V ，关闭状态
符号
V
INH
I
DRM2
设备
MOC3061-M/2M/3M
MOC3062-M/3M
所有
民
典型*
12
12
150
最大
20
15
500
V
A
单位
隔离特性
特征
隔离电压
*在T典型值
A
= 25°C
笔记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安MOC3061 -M ，1000毫安MOC3062 -M & MOC3162 -M ， 5毫安为MOC3063 -M & MOC3163 - M）和
绝对最大值我
F
（60 mA）的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
4.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，
和引脚4 ， 5和6是常见的。
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测试条件
F = 60Hz时， t为1秒
符号
V
ISO
设备
所有
民
7500
典型*
最大
单位
V
第10 3
5/29/03
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