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MOC3009 MOC3012 THRU

光耦合器/光隔离器

SOES024A - 1985年8月 - 修订1998年4月

250 V可控硅驱动器输出

砷化镓二极管的红外源

和光耦合硅TRAIC驱动程序

（双向开关）

UL认证。。。文件编号E65085

高隔离度。。。 7500 V峰值

输出驱动器，设计用于115伏交流

标准的6引脚塑料DIP

直接互换与摩托罗拉

MOC3009 ， MOC3010 ， MOC3011和

MOC3012

MOC30209- MOC3012 。。。包装

（ TOP VIEW ）

阳极

阴极

主要TERM

TRIAC SUB

主要TERM

请勿端连接

NC - 无内部连接

逻辑图

典型的115V交流电（ RMS ）的应用

螺线管/阀门控制

灯镇流器

接口微处理器115 -VAC

外设

电机控制

白炽灯调光器

绝对最大额定值在25℃自由空气的温度（除非另有说明）

输入至输出电压峰值， 5 s的最大持续时间， 60赫兹（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7.5千伏

输入二极管的反向电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3 V

输入二极管的正向电流，连续的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

输出重复峰值断态电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 250 V

输出通态电流，总均方根值（ 50-60赫兹，全正弦波）：T已

= 25°C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

= 70℃。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

输出驱动器的非重复性峰值通态电流（T

= 10毫秒，占空比= 10 ％，参见图7）。。。。。 1.2 A

连续功率耗散（或低于） 25℃自由空气的温度：

红外发光二极管（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 100毫瓦

可控硅（见注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 300毫瓦

总的设备（见注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 330毫瓦

工作结温范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 100℃

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 150℃

从案例10秒焊接温度1,6 （ 1/16英寸）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入 - 输出峰值电压是器件内部的电介质击穿的评价。

2.减免线性至100℃自由空气的温度在1.33毫瓦/ ℃的速率。

3.减免线性至100℃自由空气的温度在4毫瓦/ ℃的速率。

4.减免线性至100℃自由空气的温度为4.4毫瓦/ ℃的速率。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1998年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

MOC3009 MOC3012 THRU

光耦合器/光隔离器

SOES024A - 1985年8月 - 修订1998年4月

在25℃下自由空气的温度的电特性（除非另有说明）

参数

IDRM

dv / dt的

dv / dt的（C ）

静态反向电流

静态正向电压

断态重复当前，任何一个方向

断态电压临界上升率

整流电压临界上升率

MOC3009

IFT

输入触发电流，无论是

方向

MOC3010

MOC3011

MOC3012

VTM

峰值通态电压，任一方向

保持电流，两个方向

ITM =百毫安

1.8

100

输出电源电压= 3V

测试条件

VR = 3 V

IF = 10毫安

VDRM = 250 V ，

见图1

IO = 15 mA时，

见注5

见图1

民

典型值

0.05

1.2

0.15

最大

100

1.5

100

单位

V / μs的

注5 ：测试电压必须在dv / dt的评级被应用。

参数测量信息

VCC

VIN = 30 V有效值

10 k

输入

（见注一）

2N3904

注A.关断状态电压的上升的临界速度，的dv / dt ，则在0V输入电压的频率被增加，直到所测量的与所述输入

可控硅刚刚开启。这个频率被用于计算所述的dv /根据公式dt的：

DT的dV

Δfv

换向电压， dv / dt的（ c）所示，上升的临界速率由施加偶然的5V脉冲到输入和增加的测量

Vin的输入脉冲后的频率，直到光敏可控硅停留在（锁存器）已经停止。没有进一步的输入脉冲，所述

Vin的频率，然后逐渐下降，直至光敏可控硅关断。在该关断发生然后可使用的频率

根据以上所示的公式来计算的dv / dt （ c）所示。

崛起测试电路如图1爆击率

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SOES024A - 1985年8月 - 修订1998年4月

典型特征

发光二极管触发电流（归）

自由空气的温度

1.4

发光二极管触发电流（归）

800

600

1.3

我TM - 峰值通态电流 - 毫安

400

200

– 200

– 400

– 600

– 800

–3

通态特性

输出TW = 80

IF = 20毫安

F = 60赫兹

TA = 25°C

1.2

1.1

0.9

0.8

– 50

– 25

100

TA自由空气的温度 -

°C

–2

–1

VTM - 峰值通态电压 - V

图2

RISE输出电压的爆击率

科幻gure 3

RISE输出电压的爆击率

关闭状态dv / dt和换向dv / dt的（C ）

负载电阻

TA = 25°C

见图1

关闭状态的dv / dt - V /

0.24

关闭状态dv / dt和换向dv / dt的（C ）

自由空气的温度

dv / dt的

dv / dt的（C ）

换向dv / dt的 - V /

0.20

关闭状态的dv / dt - V /

0.2

换向dv / dt的 - V /

0.24

关闭状态

0.16

换向

0.16

0.12

RL = 510

RL = 2 kΩ的

0.08

dv / dt的

dv / dt的（C ）

0.4

1.6

0.8

1.2

RL - 负载电阻 - kΩ的

0.08

0.04

TA - 自由空气的温度 -

°C

100

图4

图5

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光耦合器/光隔离器

SOES024A - 1985年8月 - 修订1998年4月

典型特征

RMS施加电压

（对于DV / DT （C ） = 0.15 V / μs）内

频率

1000

400

V I - RMS应用电压 - V

RL = 1 kΩ的

TA = 25°C

的dv / dt = 2

√

2πF VI

见图1

I TSM - 非重复性峰值通态电流 - 毫安

TA = 25°C

非重复性峰值通态电流

脉冲持续时间

100

的dv / dt = 0.15 V / μs的

100

400

10 k

40 k

100 k

0.01

0.1

100

的F - 频率 - 赫兹

TW - 脉冲持续时间 - 毫秒

图6

图7

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SOES024A - 1985年8月 - 修订1998年4月

应用信息

180

凛

VCC

MOC3009 ， MOC3012

120伏， 60赫兹

图8.阻性负载

凛

VCC

MOC3009 ， MOC3012

180

2.4 k

0.1

120伏， 60赫兹

IGT

≤

15毫安

图9.感性负载敏感栅可控硅

凛

VCC

MOC3009 ， MOC3012

180

1.2 k

0.2

120伏， 60赫兹

15毫安< IGT < 50毫安

图10.感性负载不敏感栅可控硅

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MOC3009X ， MOC3010X ， MOC3011X ， MOC3012X

MOC3009 ， MOC3010 ， MOC3011 ， MOC3012

光耦合双边

SWITCH NON -ZERO CROSSING

TRIAC

认证

UL认证，文件号E91231

“X”规格认证

2.54

7.0

6.0

1.2

7.62

6.62

尺寸

7.62

4.0

3.0

0.5

13°

最大

0.26

VDE 0884中提供3引脚形式： -

- STD

- 摹形

- SMD批准CECC 00802

描述

该MOC3009,301_系列光学

耦合隔离器由一个镓

砷化镓红外发光二极管加上一个

光活化硅双向开关perform-

荷兰国际集团安装在一个三端双向可控硅的功能

标准的6针的双列直插式封装。

特征

选项： -

10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。

表面贴装 - 部分后添加SM没有。

Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。

高隔离电压（ 5.3kV

RMS

,7.5kV

)

峰值250V阻断电压

所有电气参数100％测试

定制电可用的选项

应用

CRTS

功率可控硅驱动器

汽车

消费类电子产品

打印机

OPTION SM

表面贴装

选项G

3.0

0.5

3.35

绝对最大额定值

（ 25 ° C除非另有说明）

储存温度

-55

C - +150

工作温度

-40

C - +100

引线焊接温度

260

（ 1.6毫米案件从10秒）

输入二极管

正向电流

50mA

反向电压

功耗

70mW

（减免线性0.93mW /℃以上25℃ ）

输出照片TRIAC

断态输出端子电压

250V

正向电流（峰值）

功耗

300mW

（减免线性4.0mW时/ C以上25°C ）

功耗

7.62

0.6

0.1

10.46

9.86

1.25

0.75

0.26

10.16

总功耗

330mW

（减免线性4.4MW / C以上25°C ）

ISOCOM COMPONENTS LTD

单元25B ，公园景观西路，

公园景工业村，布伦达路

哈特尔浦， TS25 1YD England电话：（ 01429 ） 863609

传真：（ 01429 ） 863581电子邮件sales@isocom.co.uk

http://www.isocom.com

30/8/02

DB90040mAAS/A3

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

输入

正向电压（V

)

反向电流（I

)

峰值断态电流（I

DRM

)

峰值阻断电压

( V

DRM

)

通态电压（V

)

崛起的断态临界速率

电压（ dv / dt的）（注1 ）

换向的临界上升率

电压（ dv / dt的）（注1 ）

250

1.5

0.1

0.2

3.0

最小典型最大单位

1.2

1.5

100

我LOAD = 15mA时

= 30V （图1 ）

测试条件

= 10毫安

= 6V

DRM

= 250V （注1 ）

DRM

= 100nA的

= 100毫安（峰值）

产量

再加

输入电流触发（I

）（注2 ）

MOC3009

MOC3010

MOC3011

MOC3012

= 3V （注2 ）

保持电流，两个方向（我

)

输入到输出隔离电压V

ISO

5300

7500

100

RMS

见注3

注1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。

注2.保证触发以我

值小于或等于最大值。我

，我推荐

谎

额定我之间

和绝对最大值。我

注3.测得的输入导线短接和输出引线短接在一起。

图1

+5v

换向

dv / dt的

STATIC

dv / dt的

120

30/8/02

DB90040m-AAS/A3

RMS通态电流与环境温度

正常化重复峰值断态电压

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-30

正常化重复峰值断态

电压与环境温度

RMS通态电流I

（武器）

0.1

0.05

正常化

给T

= 25°C

-30

100

125

环境温度T

( °C )

正向电流与环境温度

正向电流I

（MA ）

-30

100 125

环境温度T

( °C )

正常化输入触发电流

- 环境温度

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-30

100

环境温度T

( °C )

30/8/02

100

环境温度T

( °C )

导通电压与环境温度

2.8

2.4

导通电压V

(V)

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

-30

100

环境温度T

( °C )

通态电流与通态电压

100

通态电流I

（MA ）

正常化输入触发电流（I

)

= 20mA下

= 25°C

正常化

给T

= 25°C

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

导通电压V

(V)

DB90040m-AAS/A3