小外形表面贴装
光电晶体管光耦合器
MOC215-M
描述
这些器件由一个砷化镓红外发光二极管的光耦合到的
单片硅光电晶体管探测器，在一个表面贴装，小外形塑料
封装。它们理想地适合于高密度的应用，并省去了
通的主板安装。
MOC216-M
MOC217-M
特点
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
VDE认可（文件号： 13616 ） （添加选项“V”的VDE认证，即MOC215V -M ）
方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装形式
低LED输入电流要求，更容易为逻辑接口
标准SOIC - 8封装，具有0.050 “引线间隔
兼容双波峰焊，气相，红外再溢流焊接
高投入产出的2500伏交流（RMS ）隔离保证
阴极2
7基地
阳极1
8 N / C
应用
低功耗逻辑电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
电信设备
便携式电子设备
N / C 3
6收藏家
N / C 4
5发射
标识信息：
MOC215 -M = 215
MOC216 -M = 216
MOC217 -M = 217
2002仙童半导体公司
第1页9
4/10/03
小外形表面贴装
光电晶体管光耦合器
MOC215-M
MOC216-M
MOC217-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1,2)
（60赫兹1分钟的持续时间）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+125
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
I
C
P
D
30
70
7.0
150
150
1.76
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
60
1.0
6.0
90
0.8
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2002仙童半导体公司
第2 9
4/10/03
小外形表面贴装
光电晶体管光耦合器
MOC215-M
MOC216-M
MOC217-M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
辐射源
正向电压
反向漏电流
电容
探测器
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
输出集电极电流
(4)
MOC215-M
MOC216-M
MOC217-M
(I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100μA ，我
F
= 1.0毫安）
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(V
我-O
= 500 V)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
CTR
V
CE （ SAT ）
t
on
t
关闭
t
r
t
f
V
ISO
R
ISO
C
ISO
20
50
100
—
—
—
—
—
2500
10
11
—
—
—
—
—
4.0
4.0
3.0
3.0
—
—
0.2
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
—
%
V
s
s
s
s
VAC （ RMS）
pF
(V
CE
= 5.0 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 5.0 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 100 A)
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
—
—
30
7.0
—
1.0
1.0
100
10
7.0
50
—
—
—
—
nA
A
V
V
pF
(I
F
= 1.0 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
C
—
—
—
1.07
0.001
18
1.3
100
—
V
A
pF
符号
民
典型**
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
输入输出隔离电压
(1,2,3)
绝缘电阻
(2)
隔离电容
(2)
在T **典型值
A
= 25_C除非另有说明。
1，输入输出隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
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第3 9
4/10/03
小外形表面贴装
光电晶体管光耦合器
MOC215-M
描述
这些器件由一个砷化镓红外发光二极管的光耦合到的
单片硅光电晶体管探测器，在一个表面贴装，小外形塑料
封装。它们理想地适合于高密度的应用，并省去了
通的主板安装。
MOC216-M
MOC217-M
特点
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
VDE认可（文件号： 13616 ） （添加选项“V”的VDE认证，即MOC215V -M ）
方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装形式
低LED输入电流要求，更容易为逻辑接口
标准SOIC - 8封装，具有0.050 “引线间隔
兼容双波峰焊，气相，红外再溢流焊接
高投入产出的2500伏交流（RMS ）隔离保证
阴极2
7基地
阳极1
8 N / C
应用
低功耗逻辑电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
电信设备
便携式电子设备
N / C 3
6收藏家
N / C 4
5发射
标识信息：
MOC215 -M = 215
MOC216 -M = 216
MOC217 -M = 217
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第1页9
6/15/05
小外形表面贴装
光电晶体管光耦合器
MOC215-M
MOC216-M
MOC217-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1,2)
（60赫兹1分钟的持续时间）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+125
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
I
C
P
D
30
70
7.0
150
150
1.76
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
60
1.0
6.0
90
0.8
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2005仙童半导体公司
第2 9
6/15/05
小外形表面贴装
光电晶体管光耦合器
MOC215-M
MOC216-M
MOC217-M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
辐射源
正向电压
反向漏电流
电容
探测器
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
输出集电极电流
(4)
MOC215-M
MOC216-M
MOC217-M
(I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100μA ，我
F
= 1.0毫安）
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
, g. 10)
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(V
我-O
= 500 V)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
CTR
V
CE （ SAT ）
t
on
t
关闭
t
r
t
f
V
ISO
R
ISO
C
ISO
20
50
100
—
—
—
—
—
2500
10
11
—
—
—
—
—
4.0
4.0
3.0
3.0
—
—
0.2
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
—
%
V
s
s
s
s
VAC （ RMS）
pF
(V
CE
= 5.0 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 5.0 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 100 A)
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
—
—
30
7.0
—
1.0
1.0
100
10
7.0
50
—
—
—
—
nA
A
V
V
pF
(I
F
= 1.0 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
C
—
—
—
1.07
0.001
18
1.3
100
—
V
A
pF
符号
民
典型**
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
输入输出隔离电压
(1,2,3)
绝缘电阻
(2)
隔离电容
(2)
在T **典型值
A
= 25_C除非另有说明。
1，输入输出隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2005仙童半导体公司
第3 9
6/15/05
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