小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC211-M
描述
这些器件由一个砷化镓红外发光二极管的光耦合到的
单片硅光电晶体管探测器，在一个表面贴装，小外形塑料
封装。它们理想地适合于高密度的应用，并省去了
通的主板安装。
MOC212-M
MOC213-M
特点
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
VDE认可（文件＃ 136616 ） （添加选项' V'的VDE认证，如MOC211V -M ）
方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装形式
标准SOIC - 8封装，具有0.050"引线间隔
兼容双波峰焊，气相，红外再溢流焊接
高投入产出的2500 V隔离
AC （ RMS）
保证
最小BV
首席执行官
30V的保证
阴极2
7基地
阳极1
8 N / C
应用
通用开关电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
调节反馈电路
监控和检测电路
N / C 3
6收藏家
N / C 4
5发射
2002仙童半导体公司
第1页9
4/10/03
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC211-M
MOC212-M
MOC213-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压（ 1,2,3 ）
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
V
CBO
I
C
P
D
30
7.0
70
150
150
1.76
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
60
1.0
6.0
90
0.8
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
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第2 9
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小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC211-M
MOC212-M
MOC213-M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
输入电容
探测器
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
集电极输出电流
(4)
MOC211-M
MOC212-M
MOC213-M
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
（ 60 Hz的交流峰值， 1分钟）
(V = 500 V)
(I
C
= 2.0毫安，我
F
= 10 mA）的
（V = 0 V ， F = 1兆赫）
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
（图6）的
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
（图6）的
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
（图6）的
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
（图6）的
CTR
V
ISO
R
ISO
V
CE （SAT）
C
ISO
t
on
t
关闭
t
r
t
f
20
50
100
2500
10
11
—
—
—
—
—
—
65
90
140
—
—
0.15
0.2
7.5
5.7
3.2
4.7
—
—
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
%
VAC （ RMS）
V
pF
s
s
s
s
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 100 A)
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
—
—
30
7.0
—
1.0
1.0
90
7.8
7.0
50
—
—
—
—
nA
A
V
V
pF
(I
F
= 10 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
C
IN
—
—
—
1.15
0.001
18
1.5
100
—
V
A
pF
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
隔离浪涌电压
(1,2,3)
绝缘电阻
(2)
集电极 - 发射极饱和电压
隔离电容
(2)
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
在T **典型值
A
= 25°C
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟。相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
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第3 9
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小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC211-M
描述
这些器件由一个砷化镓红外发光二极管的光耦合到的
单片硅光电晶体管探测器，在一个表面贴装，小外形塑料
封装。它们理想地适合于高密度的应用，并省去了
通过 - 的 - 板安装。
MOC212-M
MOC213-M
特点
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
VDE认可（文件＃ 136616 ） （添加选项' V'的VDE认证，如MOC211V -M ）
方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装形式
标准SOIC - 8封装，具有0.050"引线间隔
兼容双波峰焊，气相，红外再溢流焊接
高投入产出的2500 V隔离
AC （ RMS）
保证
最小BV
首席执行官
30V的保证
阴极2
7基地
阳极1
8 N / C
应用
通用开关电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
调节反馈电路
监控和检测电路
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分页： 10 1
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小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC211-M
MOC212-M
MOC213-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压（ 1,2,3 ）
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 16"分之1的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
T
L
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
V
CBO
I
C
P
D
30
7.0
70
150
150
1.76
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
60
1.0
6.0
90
0.8
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2005仙童半导体公司
第10 2
6/15/05
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC211-M
MOC212-M
MOC213-M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
输入电容
探测器
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
集电极输出电流
(4)
MOC211-M
MOC212-M
MOC213-M
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
F = （ 60 Hz的交流峰值， T = 1分。 ）
(V = 500 V)
(I
C
= 2.0毫安，我
F
= 10 mA）的
（V = 0 V ， F = 1兆赫）
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
）（图6）中
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
）（图6）中
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
）（图6）中
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
）（图6）中
CTR
V
ISO
R
ISO
V
CE （SAT）
C
ISO
t
on
t
关闭
t
r
t
f
20
50
100
2500
10
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
7.5
5.7
3.2
4.7
—
—
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
%
VAC （ RMS）
V
pF
s
s
s
s
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 100 A)
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
—
—
30
7.0
—
1.0
1.0
100
10
7.0
50
—
—
—
—
nA
A
V
V
pF
(I
F
= 10 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
C
IN
—
—
—
1.15
0.001
18
1.5
100
—
V
A
pF
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
隔离浪涌电压
(1,2,3)
绝缘电阻
(2)
集电极 - 发射极饱和电压
隔离电容
(2)
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
在T **典型值
A
= 25°C
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟。相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2005仙童半导体公司
第10 3
6/15/05
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