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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1024页 > MOC206-M
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
描述
这些器件由一个砷化镓红外发光二极管的光耦合到的
单片硅光电晶体管探测器,在一个表面贴装,小外形塑料
封装。它们理想地适合于高密度的应用,并省去了
通过 - 的 - 板安装。
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
特点
U.L.认可(文件# E90700 ,第2卷)
VDE认可(文件# 136616 ) (用于VDE认证,即添加选项"V" , MOC205V -M )
紧密匹配的电流传输比
方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装形式
最小BV
首席执行官
70伏保证
标准SOIC - 8封装,具有0.050"引线间隔
兼容双波峰焊,气相,红外再溢流焊接
高投入产出的2500 V隔离
AC ( RMS)
保证
阳极1
8 N / C
阴极2
7基地
应用
反馈控制电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
通用开关电路
监控和检测电路
N / C 3
6收藏家
N / C 4
5发射
2003仙童半导体公司
分页: 10 1
4/10/03
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 100微秒, 120 ,PPS)
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压( 1,2,3 )
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
V
ECO
V
CBO
I
C
P
D
7.0
70
150
150
1.76
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
V
首席执行官
60
1.0
6.0
90
0.8
70
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第10 2
4/10/03
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
输入电容
探测器
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
集电极输出电流
(4)
MOC205-M
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
40
63
100
40
2500
10
11
0.2
7.5
5.7
3.2
4.7
80
125
200
125
0.4
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
(I
C
= 100 A)
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
70
7.0
1.0
1.0
100
10
7.0
50
nA
A
V
V
pF
(I
F
= 10 mA)的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
C
IN
1.15
0.001
18
1.5
100
V
A
pF
测试条件
符号
典型**
最大
单位
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
CTR
%
隔离浪涌电压
(1,2,3)
绝缘电阻
(2)
集电极 - 发射极饱和电压
隔离电容
(2)
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
( F = 60 Hz的交流峰值, T = 1分。 )
(V = 500 V)
(I
C
= 2毫安,我
F
= 10 mA)的
(V = 0 V , F = 1兆赫)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
V
ISO
R
ISO
V
CE (SAT)
C
ISO
t
on
t
关闭
t
r
t
f
VAC ( RMS)
V
pF
s
s
s
s
在T **典型值
A
= 25°C
1.隔离浪涌电压,V
ISO
,是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中,引脚1和2是常见的,销5 , 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC ( RMS)
对于t = 1分钟。相当于3000伏的额定
AC ( RMS)
对于t = 1秒。
4.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
2003仙童半导体公司
第10 3
4/10/03
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
1.8
MOC206-M
MOC207-M
10
MOC208-M
图。 1 LED的正向电压与正向电流
I
C
- 输出集电极电流(归)
图。 2个当前输出与输入电流
1.7
V
F
- 正向电压( V)
1.6
1.5
1
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
1.4
T
A
= –55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
0.1
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
100
I
F
- LED正向电流(mA )
0.01
0.1
1
10
100
图。 3输出电流与环境温度
10
I
F
- LED输入电流(mA)
图。 4输出电流 - 集电极 - 发射极电压
I
C
- 输出集电极电流(归)
1.6
I
C
- 输出集电极电流(归)
1.4
1.2
1.0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I
F
= 10毫安
归到V
CE
= 5V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
归一化到T
A
= 25°C
0.1
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
A
- 环境温度( ° C)
V
CE
- 集电极发射极电压( V)
图。 5暗电流与环境温度
10000
1.0
0.9
V
CE
=10V
图。 6 CTR主场迎战
BE
(不饱和)
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流( NA)
I
F
= 20mA下
0.8
0.7
0.6
0.5
1000
I
F
= 10毫安
100
归一化CTR
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
10
1
0.1
0.0
10
V
CE
= 5V ,T
A
= 25°C
标准化为:
CTR为R
BE
=打开
100
100 0
0.1
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
T
A
- 环境温度( ° C)
2003仙童半导体公司
第10 4
4/10/03
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
1.0
0.9
3.5
MOC206-M
MOC207-M
4.0
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
标准化为:
t
on
在r
BE
=打开
MOC208-M
图。 7 CTR主场迎战
BE
(饱和)
图。 8归一吨
on
BE
0.8
I
F
= 20mA下
3.0
归一化CTR
0.7
0.6
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
V
CE
= 0.3V ,T
A
= 25°C
标准化为:
CTR为R
BE
=打开
100
1000
0.5
I
F
= 10毫安
归一吨
on
2.5
2.0
1.5
1.0
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
R
BE
- 基极电阻(M
)
图。 9归一吨
关闭
BE
1.6
1.4
1.2
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
标准化为:
t
关闭
在r
BE
=打开
f
归一吨
关闭
f
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻
(M
)
2003仙童半导体公司
第10个5
4/10/03
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
描述
这些器件由一个砷化镓红外发光二极管的光耦合到的
单片硅光电晶体管探测器,在一个表面贴装,小外形塑料
封装。它们理想地适合于高密度的应用,并省去了
通过 - 的 - 板安装。
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
特点
U.L.认可(文件# E90700 ,第2卷)
VDE认可(文件# 136616 ) (用于VDE认证,即添加选项"V" , MOC205V -M )
紧密匹配的电流传输比
方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装形式
最小BV
首席执行官
70伏保证
标准SOIC - 8封装,具有0.050"引线间隔
兼容双波峰焊,气相,红外再溢流焊接
高投入产出的2500 V隔离
AC ( RMS)
保证
阳极1
8 N / C
阴极2
7基地
应用
反馈控制电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
通用开关电路
监控和检测电路
N / C 3
6收藏家
N / C 4
5发射
2005仙童半导体公司
分页: 10 1
6/14/05
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 100微秒, 120 ,PPS)
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压( 1,2,3 )
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
V
ECO
V
CBO
I
C
P
D
7.0
70
150
150
1.76
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
V
首席执行官
60
1.0
6.0
90
0.8
70
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
符号
价值
单位
2005仙童半导体公司
第10 2
6/14/05
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
输入电容
探测器
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
集电极输出电流
(4)
MOC205-M
MOC206-M
MOC207-M
MOC208-M
40
63
100
40
2500
10
11
0.2
7.5
5.7
3.2
4.7
80
125
200
125
0.4
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
(I
C
= 100 A)
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
70
7.0
1.0
1.0
100
10
7.0
50
nA
A
V
V
pF
(I
F
= 10 mA)的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
C
IN
1.15
0.001
18
1.5
100
V
A
pF
测试条件
符号
典型**
最大
单位
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
CTR
%
隔离浪涌电压
(1,2,3)
绝缘电阻
(2)
集电极 - 发射极饱和电压
隔离电容
(2)
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
( F = 60 Hz的交流峰值, T = 1分。 )
(V = 500 V)
(I
C
= 2毫安,我
F
= 10 mA)的
(V = 0 V , F = 1兆赫)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
)(图6)中
V
ISO
R
ISO
V
CE (SAT)
C
ISO
t
on
t
关闭
t
r
t
f
VAC ( RMS)
V
pF
s
s
s
s
在T **典型值
A
= 25°C
1.隔离浪涌电压,V
ISO
,是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中,引脚1和2是常见的,销5 , 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC ( RMS)
对于t = 1分钟。相当于3000伏的额定
AC ( RMS)
对于t = 1秒。
4.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
2005仙童半导体公司
第10 3
6/14/05
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
1.8
MOC206-M
MOC207-M
10
MOC208-M
图。 1 LED的正向电压与正向电流
I
C
- 输出集电极电流(归)
图。 2个当前输出与输入电流
1.7
V
F
- 正向电压( V)
1.6
1.5
1
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
1.4
T
A
= –55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
0.1
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
100
I
F
- LED正向电流(mA )
0.01
0.1
1
10
100
图。 3输出电流与环境温度
10
I
F
- LED输入电流(mA)
图。 4输出电流 - 集电极 - 发射极电压
I
C
- 输出集电极电流(归)
1.6
I
C
- 输出集电极电流(归)
1.4
1.2
1.0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I
F
= 10毫安
归到V
CE
= 5V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
归一化到T
A
= 25°C
0.1
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
A
- 环境温度( ° C)
V
CE
- 集电极发射极电压( V)
图。 5暗电流与环境温度
10000
1.0
0.9
V
CE
=10V
图。 6 CTR主场迎战
BE
(不饱和)
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流( NA)
I
F
= 20mA下
0.8
0.7
0.6
0.5
1000
I
F
= 10毫安
100
归一化CTR
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
10
1
0.1
0.0
10
V
CE
= 5V ,T
A
= 25°C
标准化为:
CTR为R
BE
=打开
100
100 0
0.1
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
T
A
- 环境温度( ° C)
2005仙童半导体公司
第10 4
6/14/05
小尺寸光耦合器
晶体管输出
MOC205-M
1.0
0.9
3.5
MOC206-M
MOC207-M
4.0
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
标准化为:
t
on
在r
BE
=打开
MOC208-M
图。 7 CTR主场迎战
BE
(饱和)
图。 8归一吨
on
BE
0.8
I
F
= 20mA下
3.0
归一化CTR
0.7
0.6
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
V
CE
= 0.3V ,T
A
= 25°C
标准化为:
CTR为R
BE
=打开
100
1000
0.5
I
F
= 10毫安
归一吨
on
2.5
2.0
1.5
1.0
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
R
BE
- 基极电阻(M
)
图。 9归一吨
关闭
BE
1.6
1.4
1.2
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
标准化为:
t
关闭
在r
BE
=打开
f
归一吨
关闭
f
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻
(M
)
2005仙童半导体公司
第10个5
6/14/05
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数量
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MOC206-M
    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

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联系人:胡先生 林小姐 朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区101栋西座602(公司是一般纳税人企业,可开17%增值税)公司网址:http://www.szolxd.com
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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地址:福田区深南中路3006号佳和大厦
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地址:深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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