积极向上
混频器
产品特点
集成的单片GaAs MESFET
有源混频器模块包
无铅3毫米16引脚QFN封装
降低制造成本
更高的生产力和可靠性
超低噪声指数&低失真
MO4Q
应用
中继器
基站
描述
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
封装类型： QFN - 3
该IC工作在积极的+ 5V电源消耗的电流130毫安而只有需要2 dBm的LO驱动器。
特定网络阳离子
RF
频率
（兆赫）
1850
1950
2140
2160
（工作温度： -30 ° C + 80 ° C）
LO
频率
（兆赫）
1780
1880
2070
2090
IF
频率
（兆赫）
转变
收益
（ dB）的
6
OIP3
LO至IF
泄漏
IF与RF
泄漏
（ dBm的）
-60
-60
-60
-60
5V/130mA
5V/130mA
5V/130mA
5V/130mA
VDD / IDD
（ dBm的）
24
24
24
24
（ dBm的）
-15
-15
-15
-15
70
6
6
6
包装尺寸
（型号： QFN3 ）
功能引脚布局
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
干扰素在
NC
在IF
NC
CUR
地
地
BIAS
PIN号
16
15
14
13
12
11
10
9
功能
RFN出
NC
RF OUT
地
BIAS
NC
LO_IN
LON_In
工作原理图
14
16
IF
输入
3
RF
产量
10
LO
输入
电话： 82-31-250-5011
rfsales@rfhic.com
所有规格如有变更，恕不另行通知。
8.01版本
积极向上
混频器
PCS ， IMT - 在25℃时的典型性能
MO4Q
测试条件： IF = 70MHz时， LO = 1630 2230MHz @ 2dBm的， RF = 1700 2300MHz
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