微型电路数据表
MNDS90LV031A -X REV 1C0
原始创建日期: 99年2月9日
最后更新日期: 03年8月15日
最后一个主要的修订日期: 00年2月21日
3V LVDS四路CMOS差分线路驱动器
概述
该DS90LV031A是采用低电压四通道CMOS差分线路驱动器
Differentional信号(LVDS )技术。它是专为要求低的应用
功耗和高数据速率。
该DS90LV031A接受TTL / CMOS输入电平,并将其转换为低电压( 350毫伏)
差分输出siginals 。此外,该驱动程序支持三态功能
可以用于禁止输出级,禁用负载电流,并且因此滴加
器件的低功耗闲置状态。
EN和EN *输入允许低电平有效或高电平有效控制的三态输出。
在使通用于所有四个驱动器。该DS90LV031A和配套线路接收器
( DS90LV032A )提供了一个新的替代大功率伪ECL器件高速
点至点的接口的应用程序。
此外, DS90LV031A提供断电高阻抗LVDS输出。此功能
保证在LVDS总线线路最小的负载效应,当VCC的不存在。
工业编号
DS90LV031A
NS零件编号
DS90LV031AW-MLS
DS90LV031AW-QML
DS90LV031AWGMLS
DS90LV031AWGQML
总理模
DS90LV031A
控制文件
SEE功能部分
处理
MIL -STD -883方法5004
Subgrp说明
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
温度(
o
C)
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005
1
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特点
- 高阻抗LVDS具有断电输出
- 3.3V的电源设计
- +/- 350mV的差分信号
- 低功耗。
- 低差分偏移。
- 低传播延迟
- 互操作性与现有的5V LVDS器件
- 军事工作温度图范围
- 引脚与DS26C31兼容。
- 兼容IEEE 1596.3 SCI LVDS标准
- 兼容提出了TIA / EIA- 644 LVDS标准
- 800PS典型的上升/下降时间。
- 典型的三态启用/小于5ns的禁用延迟。
管制文件:
DS90LV031AW-QML
DS90LV031AWGQML
5962-9865101QFA
5962-9865101QXA
2
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微型电路数据表
(绝对最大额定值)
(注1 )
电源电压(VCC )
-0.3 + 4V
输入电压( DIN)
-0.3至(VCC + 0.3V )
使能输入电压( EN , EN * )
-0.3至(VCC + 0.3V )
输出电压(DOUT + , DOUT- )
-0.3 + 3.9V
存储温度范围
-65℃至+ 150℃
无铅焊接温度( 4秒)
260C
ESD额定值。
6000伏。
最高结温
+150C
最大功率耗散@ + 25℃
(注2 )
16 PIN CERPAK (W PKG )
16引脚SOIC陶瓷( WG PKG )
热阻。 (西塔JA )
16 PIN CERPAK (W PKG )
16引脚SOIC陶瓷( WG PKG )
热阻。 (西塔JC )
16 PIN CERPAK (W PKG )
16引脚SOIC陶瓷( WG PKG )
注1 :
845mW
845mW
148C/W
148C/W
22C/W
22C/W
注2 :
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性
不能得到保证。它们不意味着暗示该设备应当被操作
在这些限制条件。 "Electrical Characteristics"的表提供了条件
实际设备的操作。
减额(W & WG的PKG )在6.8mW / ℃,温度高于+ 25°C 。
推荐工作条件
电源电压
3.0 3.6V
经营自由空气温度
-55 + 125
3
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电气特性
DC参数
(以下条件适用于以下所有参数,除非另有说明)。
DC : VCC = 3.0 / 3.6V ,除非另有说明
符号
Vod1
DVod1
参数
迪FF erential
输出继电器的电压
改变
Vod1的幅度
互补
输出国家
失调电压
改变
沃斯的幅度
互补
输出国家
输出电压
高
输出电压
低
输入电压
高
输入电压低
输入电流
输入电流
输入钳位
电压
输出短路
短路电流
关机泄漏
输出三态
当前
空载
启用
当前
DRIVERS
供应
VIN = VCC或2.5V , VCC = 3.6V
VIN = GND或0.4V , VCC = 3.6V
ICL = -8mA , VCC = 3.0V
启用
DIN = Vcc时, Dout的+ = 0V或
DIN = GND , DOUT- = 0V
VOUT = 0V或3.6V
VCC = 0V或VCC =打开
EN = 0.8V和EN * = 2.0V
VOUT = 0V或VCC , VCC = 3.6V
DIN = VCC或GND
RL = 100欧姆
RL = 100欧姆
条件
笔记
PIN的
名字
DOUT- ,
DOUT +
DOUT- ,
DOUT +
民
250
最大
450
50
单位
mV
mV
SUB -
群体
1, 2,
3
1, 2,
3
VOS
DVos
RL = 100欧姆
RL = 100欧姆
DOUT- ,
DOUT +
DOUT- ,
DOUT +
1.125
1.625
50
V
mV
1, 2,
3
1, 2,
3
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
IIL
VCL
IOS
IOFF
IOZ
ICC
RL = 100欧姆
RL = 100欧姆
1
1
DOUT- ,
DOUT +
DOUT- ,
DOUT +
.9
1.85
V
V
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
DIN ,
2.0
EN , EN *
DIN ,
GND
EN , EN *
DIN ,
EN , EN *
DIN ,
EN , EN *
DIN ,
EN , EN *
DOUT- ,
DOUT +
DOUT- ,
DOUT +
DOUT- ,
DOUT +
VCC
VCC
0.8
+10
+10
-1.5
-9.0
+20
+10
18
V
V
uA
uA
V
mA
uA
uA
mA
ICCL
加载的驱动程序
使供应
当前
加载或无负载
驱动器被禁止
电源电流
RL = 100欧姆的所有频道,
DIN = VCC或GND (所有输入)
DIN = VCC或GND , EN = GND ,恩* = VCC
VCC
35
mA
ICCZ
VCC
12
mA
4
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电气特性
AC参数
(以下条件适用于以下所有参数,除非另有说明)。
AC : VCC = 3.0 / 3.3 / 3.6V , RL = 100欧姆, CL = 20pF的
符号
Tphld
参数
迪FF erential
传播延迟
前高后低
迪FF erential
传播延迟
从低到高
差分偏移
tPHLD - tPLHD
通道
通道偏移
芯片到芯片倾斜
注1 :
注2 :
注3 :
2
3
条件
笔记
PIN的
名字
民
0.3
最大
3.5
单位
ns
SUB -
群体
9, 10,
11
9, 10,
11
9, 10,
11
9, 10,
11
9, 10,
11
tPLHD
0.3
3.5
ns
tskD
tSK1
tSK2
1.5
1.75
3.2
ns
ns
ns
在VOH / VOL试验测试。
通道到通道偏移被定义为的传播延迟之间的差
一个信道,并且在同一芯片上的输入中的任何事件的其他人。
芯片到芯片的偏斜定义为最小值和最大值之间的差
指定的差分传播延迟。
5