EEPROM的
MN63112S
2K位EEPROM
概观
该MN63112S是一个2K位EEPROM支持SE-
里亚尔的I / O和一个单电源工作
1.8和5.5 V之间的电压，提供以下
销，方便与微处理器或
微控制器：芯片选择（CS ），串行时钟（SK） ，数据
输入（DI） ，和数据输出（DO） 。它包括一个内置的
在自动擦除和写入数据的定时器的使用
在数据更新操作。
ORG引脚提供了两个内存选择奥尔加
nizations ： 256
×
8位时ORG为连接到地
和128
×
16位时ORG连接到V
CC
。一
内部上拉电阻，使后者的默认设置就能
成形。
外围电路的转换，以实现CMOS
大降低功耗。利用浮动
栅极存储器单元和一个内置的纠错电路
确保可靠运行10
5
写周期。
引脚分配
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
北卡罗来纳州
ORG
GND
（顶视图）
SOP008-P-0225
特点
选择内存组织： 256
×
8位和
128
×
16位
浮动栅极存储器单元
功能阻止错误的写
低功耗
- 读取：最大。 6.6毫瓦V
CC
= 3.3 V
- 待机：最大。 66
W
对于V
CC
= 3.3 V
内置自拍用于自动删除
与写作
内置的纠错电路，保证10
5
写周期
10年数据保存期
应用
无钥匙进入系统，无绳电话，存储
识别和调整数据终端等。
1
EEPROM的
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
CS
SK
DI
DO
GND
ORG
北卡罗来纳州
V
CC
引脚名称
芯片选择
串行时钟
数据输入
数据输出
地
内存配置选择
无连接
电源电压
MN63112S
电气特性
V
CC
= 1.8V至5.5V ，TA = -10℃至+ 70°C
2 3 V操作
5 V工作
参数
电源电压
在"L"电平输入漏电流
在"H"电平输入漏电流
输出漏电流
输入电压"L"水平
输入电压"H"水平
V
CC
电源电流
（工作中）
V
CC
电源电流
（待机时）
输出电压"L"水平
（在读）
输出电压"H"水平
（在读）
符号
V
CC
I
LIL
I
立
I
LO
V
IL
V
IH
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
测试条件
民
1.8
ORG引脚
其它引脚
–100
–10
–10
—
– 0.1
0.8
×
V
CC
SK=250kHz
SK=1MHz
CS ， SK ， DI = "L"
DO =打开
I
OL
=400
A
I
OL
=2.1mA
I
OH
=–10
A
I
OH
=–100
A
—
—
—
—
—
V
CC
– 0.3
—
最大
3.3
10
10
10
10
0.2
×
V
CC
V
CC
+0.3
2.0
—
20
0.3
—
—
—
民
4.5
–150
–10
–10
—
– 0.1
3.0
—
—
—
—
—
—
V
CC
– 0.7
最大
5.5
10
10
10
10
0.7
V
CC
+0.3
—
3.0
30
—
0.45
—
—
单位
V
A
A
A
V
V
mA
A
V
V
功能说明
订单
读
写
EWEN
EWDS
开始
位
1
1
1
1
手术
CODE
地址
256
×
8
A7–A0
A7–A0
11xxxxxxx
00xxxxxxx
128
×
16
A6–A0
A6–A0
11xxxxxx
00xxxxxx
D7–D0
256
×
8
数据
128
×
16
D15–D0
目录
读
写
启用擦除/写
禁止擦除/写
10
01
00
00
注意：
x
指"don't care" 。
3
QQ：2880707522 复制
