飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMZ09312B
第1版， 2/2012
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
高效率/线性放大器
该MMZ09312B是一个2 - 阶段高效率， AB类的InGaP HBT
放大器设计用作一个线性驱动放大器在无线基站
的应用，以及在毫微微蜂窝基站或中继器的应用程序的输出级。它
适合与400的频率应用到1000兆赫，如
CDMA，GSM， LTE和ZigBee的
R
在3至5伏的工作电压。该
放大器安装在成本 - 效益，表面贴装QFN塑料封装。
典型性能： V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5伏，我
CQ
= 74毫安
频率
900兆赫
750兆赫
450兆赫
P
OUT
（ dBm的）
24
17.5
29
G
ps
（ dB）的
31.5
32.0
33.0
ACPR
（ DBC）
--50.0
--50.0
--40.0
PAE
(%)
26.0
15.3
57.0
测试信号
IS - 95 CDMA
LTE
10/20 MHz的
ZigBee的
MMZ09312BT1
400-
-1000兆赫， 31.7分贝
29.6 dBm的
的InGaP HBT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
特点
频率： 400--1000兆赫
P1dB为29.6 dBm的@ 900 MHz的
功率增益为31.7 dB的900兆赫
OIP3 ： 42 dBm的@ 900 MHz的
有源偏置控制（外部可调）
单3至5伏电源
与数字预失真系统执行好
单 - 结束了功率检测器
成本 - 效益QFN表面贴装封装
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位12毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
功率输出@ 1分贝
压缩
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
450
兆赫
33.8
--22
--25
28.8
900
兆赫
31.7
--15
--18
29.6
单位
dB
dB
dB
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
550
14
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
1. V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC ，T
A
= 25 ℃，50欧姆系统，连续波
应用电路
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度84 ° C，V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC
符号
R
θJC
价值
(3)
56
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011--2012 。版权所有。
MMZ09312BT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5伏， 900兆赫，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔CW
应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点，两个 - 音频CW
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I
CQ
V
CC
民
29
—
—
—
—
—
69
—
典型值
31.7
--15
--18
29.6
42
4
74
5
最大
—
—
—
—
—
—
83
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
表5. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
类
符合2000 V除外的所有引脚：
引脚11满足400 V
8引脚满足200 V
0级评级
A
IV
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
表6.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
V
BA2
V
CC1
GND
V
BA2
V
CC1
GND
12
V
BA1
RF
OUT
V
BIAS
RF
in
1
2
3
4
5
6
GND GND P
DET
11
10
9
8
7
V
CC2
RF
OUT
RF
OUT
V
BA1
BIAS
电路
V
CC2
V
BIAS
RF
in
GND
GND
P
DET
RF
OUT
图1.功能框图
图2.引脚连接
MMZ09312BT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
L4
R1
R2
C1
V
CC1
C2
V
CC2
12
1
BIAS
电路
11
10
9
C3
L3
C10
RF
产量
C5
2
RF
输入
L2
L1
4
5
6
3
7
8
L5
C11
P
DET
C4
图3. MMZ09312B测试电路原理图 - 900兆赫， 5伏操作
表7. MMZ09312B测试电路组件标识和价值观 - 900兆赫， 5伏操作
部分
C1, C2
C3
C4
C5
C6, C7, C8, C9
C10
C11
L1
L2
L3
L4
L5
R1
R2
R3
PCB
描述
1
μF
贴片电容
4.7
μF
贴片电容
470 pF的贴片电容
100 pF的电容芯片
组件未放置
4.7 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
8.2 nH的片式电感
1.2 nH的片式电感
33 nH的片式电感器
22 nH的片式电感
3.3 nH的片式电感
330
,
1/16 W贴片电阻
1.5 kΩ的1/16 W贴片电阻
组件未放置
0.014″,
ε
r
= 3.7
FR408
伊索拉
04023J4R7BBSTR
04023J6R8BBSTR
LL1608--FSL8N2JL
LL1608--FSL1N2S
0402CS--33NXGLW
0402CS--22NXGLW
0603CS--3N3XJLW
RC0402JR--07331RL
RC0402JR--07152RL
AVX
AVX
TOKO
TOKO
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
YAGEO
YAGEO
产品型号
GRM155R61A105KE15
GRM188R60J475KE19
GRM1555C1H471JA01
GRM1555C1H101JA01
生产厂家
村田
村田
村田
村田
注意：元件号C6，C7， C8，C9和R3被标上板，但没有放置。
MMZ09312BT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS(1)
C1
R3*
R2
R1
RF
IN
C6*
C5
C8*
L1
L2
C7*
V
CC2
C4
(1) V
BIAS
[董事会]供应V
BA1
, V
BA2
和V
BIAS
[设备] 。
注：组件数* C6 ， C7 * ， * C8 ，C9 *和R3 *标注在船上，但没有放置。
图4. MMZ09312B测试电路元件布局 - 900兆赫， 5伏操作
表7. MMZ09312B测试电路组件标识和价值观 - 900兆赫， 5伏操作
部分
C1, C2
C3
C4
C5
C6, C7, C8, C9
C10
C11
L1
L2
L3
L4
L5
R1
R2
R3
描述
1
μF
贴片电容
4.7
μF
贴片电容
470 pF的贴片电容
100 pF的电容芯片
组件未放置
4.7 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
8.2 nH的片式电感
1.2 nH的片式电感
33 nH的片式电感器
22 nH的片式电感
3.3 nH的片式电感
330
,
1/16 W贴片电阻
1.5 kΩ的1/16 W贴片电阻
组件未放置
伊索拉
04023J4R7BBSTR
04023J6R8BBSTR
LL1608--FSL8N2JL
LL1608--FSL1N2S
0402CS--33NXGLW
0402CS--22NXGLW
0603CS--3N3XJLW
RC0402JR--07331RL
RC0402JR--07152RL
AVX
AVX
TOKO
TOKO
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
YAGEO
YAGEO
产品型号
GRM155R61A105KE15
GRM188R60J475KE19
GRM1555C1H471JA01
GRM1555C1H101JA01
生产厂家
村田
村田
村田
村田
PCB
0.014″,
ε
r
= 3.7
FR408
（测试电路元件牌号和值表中重复以供参考。 ）
V
CC1
C2
L4
C9*
L3
C10
P
DET
C3
RF
OUT
L5
C11
QFN 3x3--12M
第1版
MMZ09312BT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
QQ：2881677436 复制
