【乐山无线电公司， LTD 。硅Epicap二极管MMVL109T1适用于一般频率控制和调谐应用;提供】,IC型号MMVL109T1,MMVL109T1 PDF资料,MMVL109T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

硅Epicap二极管

MMVL109T1

适用于一般频率控制和调谐应用;

提供固态可靠性替换mechnaical调教

的方法。

26-32 pF的

VOLTAGEVARIABLE

容二极管

高Q值与在VHF频率保证最低值

控制和统一调谐比

表面贴装封装

器件标识： 4A

塑料， CASE 477

SOD- 323

订购信息

设备

MMVL109T1

包

SOD–323

航运

3000 /磁带&卷轴

阴极

阳极

最大额定值

符号

等级

连续反向电压

最大正向电流

特征

器件总功耗FR - 5局， *

= 25°C

减免上述25℃

θJA

热阻结到环境

, T

英镑

结温和存储温度范围

* FR- 5最小焊盘

特征

反向BreakdownVoltage

= 10

μAdc ）

转

ERSE电压漏电流

价值

200

最大

200

1.57

635

-55到+150

单位

VDC

MADC

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

热特性

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

（ BR ）R

民

典型值

—

最大

—

单位

VDC

—

300

0.1

—

μAdc

PPM /°C的

= 25伏直流）

二极管电容温度系数

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

，二极管电容

Q，优异的图

= 3.0伏， F = 1.0 MHz的

= 3.0伏

F = 50MHz的

设备

民

喃

最大

民

MMVL109T1

200

1. C

是C的比

在3伏直流测量划分为C

在25伏直流测量。

，电容比

F = 1.0兆赫（注1 ）

民

最大

5.0

6.5

MMVL109T1–1/2

乐山无线电公司， LTD 。

MMVL109T1

典型特征

Q，优异的图

CT ，电容 - pF的

100

F = 1.0 MHz的

TA = 25°C

1000

VR = 3伏直流

TA = 25°C

100

男，频率（MHz）

1000

VR ，反向电压（伏）

图1.二极管电容

图2.图勋章

（C T），二极管电容（标准化）

100

I R ，反向电流（ NA）

6.0

2.0

1.0

0.6

0.2

0.1

0.06

VR = 20伏直流

1.04

1.03

1.02

1.01

1.00

0.99

0.98

0.97

0.96

–75

–50

–25

+25

+50

+75

+100

+125

VR = 3.0伏

F = 1.0 MHz的

CT CC + CJ

[

0.02

0.01

0.006

–40

–20

+20

+40

+60

+80 +100 +120 +140

0.002

0.001

–60

TA ，环境温度

图3.泄漏电流

图4.二极管电容

注意测试和规格

1. CR为Ct值在3.0伏直流电通过的Ct除以测得的在25伏直流电测量的比率。

MMVL109T1–2/2

MMVL109T1

首选设备

硅Epicap二极管

适用于一般频率控制和调谐应用;

提供固态可靠性替代机械调谐的

的方法。

特点

高Q值与在VHF频率保证最低值

控制和统一调谐比

表面贴装封装

无铅包装是否可用

http://onsemi.com

26-32 pF的可变电压

容二极管

阴极

阳极

最大额定值

等级

连续反向电压

最大正向电流

符号

价值

200

单位

VDC

MADC

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

= 25 ° C（注1 ）

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度范围

符号

200

1.57

qJA

, T

英镑

635

-55到+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大

单位

塑料

SOD323

CASE 477

风格1

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 5最小焊盘

标记图

4A M

4A =器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

设备

MMVL109T1

MMVL109T1G

包

航运

SOD- 323 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年2月 - 第1版

出版订单号：

MMVL109T1/D

MMVL109T1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

反向击穿电压（I

= 10

MADC ）

反向电压漏电流（V

= 25伏直流）

二极管电容温度系数

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

，二极管电容

= 3.0伏， F = 1.0 MHz的

设备

MMVL109T1

民

喃

最大

符号

（ BR ）R

民

典型值

300

最大

0.1

单位

VDC

MADC

PPM /°C的

Q，优异的图

= 3.0伏

F = 50MHz的

民

200

，电容比

F = 1.0兆赫（注2 ）

民

5.0

最大

6.5

2. C

是C的比

在3伏直流测量划分为C

在25伏直流测量。

CT ，电容 - pF的

Q，优异的图

100

F = 1.0 MHz的

= 25°C

1000

= 3伏直流

= 25°C

100

男，频率（MHz）

1000

，反向电压（伏）

图1.二极管电容

图2.图勋章

（C T），二极管电容（标准化）

I R ，反向电流（ NA）

100

6.0

2.0

1.0

0.6

0.2

0.1

0.06

1.04

1.03

1.02

1.01

1.00

0.99

0.98

0.97

0.96

+25

+50

+75

+100

+125

= 3.0伏

F = 1.0 MHz的

[

+ C

= 20伏直流

0.02

0.01

0.006

0.002

0.001

+20

+40

+60

+80 +100 +120 +140

，环境温度

图3.泄漏电流

图4.二极管电容

http://onsemi.com

MMVL109T1

包装尺寸

SOD323

CASE 477-02

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.引线厚度给定每L / F绘图

焊料电镀。

4.尺寸A和B不包括塑模

FLASH中，突出或毛刺。

5.尺寸L测量从结束

RADIUS 。

MILLIMETERS

DIM MIN

喃最大

0.80

0.90

1.00

0.00

0.05

0.10

0.15 REF

0.25

0.32

0.4

0.089

0.12 0.177

1.60

1.70

1.80

1.15

1.25

1.35

0.08

2.30

2.50

2.70

风格1 ：

PIN 1阴极

2.阳极

英寸

喃最大

0.035 0.040

0.002 0.004

0.006 REF

0.010 0.012 0.016

0.003 0.005 0.007

0.062 0.066 0.070

0.045 0.049 0.053

0.003

0.090 0.098 0.105

民

0.031

0.000

注5

注3

焊接足迹*

0.63

0.025

0.83

0.033

1.60

0.063

2.85

0.112

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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