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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1320页 > MMUN2214RLT1
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极resistor.The BRT消除了这些单独的部件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴。
PIN1
BASE
（输入）
R1
R2
PIN2
辐射源
（接地）
PIN3
集热器
（输出）
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RL34
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 （ K）
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
(2)
MMUN2216RLT1
(2)
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
MMUN2230RLT1
(2)
A8G
1
(2)
A8H
2.2
MMUN2231RLT1
(2)
MMUN2232RLT1
A8J
4.7
(2)
MMUN2233RLT1
A8K
4.7
MMUN2234RLT1
(2)
A8L
22
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
1
2.2
4.7
47
47
8 8
Q2–1/8
MMUN2211RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
-
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
V
CE （ SAT ）
80
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
-
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
VDC
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50V ，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
MMUN2211RLT1
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
=0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(3)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2230RLT1 MMUN2231RLT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2215RLT1 MMUN2216RLT1
MMUN2232RLT1 MMUN2233RLT1 MMUN2234RLT1
输出电压（上）
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ，R
L
=1.0k)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ，R
L
= 1.0k)
输出电压（关） （V
CC
=5.0V,V
B
= 0.5V ，R
L
=1.0k)
(V
CC
=5.0V,V
B
= 0.050V ，R
L
=1.0k)
MMUN2230RLT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 0.25V ，R
L
=1.0k)
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2233RLT1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
MMUN2234RLT1
MMUN2213RLT1
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
OH
4.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
VDC
Q2–2/8
MMUN2211RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
(3)
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
典型值
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
单位
k
基本特征
输入电阻
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
MMUN2211RLT1 MMUN2212RLT1 MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1 MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1 MMUN2231RLT1 MMUN2232RLT1
R1
电阻率
R1/R2
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
Q2–3/8
MMUN2211RLT1系列
典型电气特性
MMUN2211RLT1
P
D
，功耗（毫瓦）
250
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
1
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
0.1
200
150
25°C
75°C
100
0.01
50
R
θJA
= 625 ° C / W
0
–50
0
50
10
150
0.001
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
h
FE
，直流电流增益（标准化）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
1000
4
V
CE
= 10 V
F = 1 MHz的
T
A
=75°C
25°C
–25°C
100
OB ，电容（pF ）
3
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
2
1
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
V
R
，反向偏置电压（伏）
图4.输出电容
100
25°C
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
T
A
= –25°C
V
in
，输入电压（伏）
75°C
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
25°C
75°C
1
1
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
V
O
= 5 V
8
9
10
0.1
0
10
20
30
40
50
V
in
，输入电压（伏）
图5. V
CE （ SAT ）
与我
C
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. V
CE （ STA）
与我
C
Q2–4/8
MMUN2211RLT1系列
典型电气特性
MMUN2212RLT1
h
FE
，直流电流增益（标准化）
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
1
1000
I
C
/I
B
=10
V
CE
= 10 V
T
A
=75°C
25°C
–25°C
T
A
= –25°C
25°C
0.1
75°C
100
0.01
0.001
0
20
40
60
80
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
100
图8.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
= –25°C
I
C
，集电极电流（毫安）
OB ，电容（pF ）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
3
10
T
A
= 25°C
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
O
= 5 V
9
10
0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向偏置电压（伏）
V
in
，输入电压（伏）
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（伏）
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
Q2–5/8
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极resistor.The BRT消除了这些单独的部件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴。
PIN1
BASE
（输入）
R1
R2
PIN2
辐射源
（接地）
PIN3
集热器
（输出）
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RL34
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 （ K）
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
(2)
MMUN2216RLT1
(2)
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
MMUN2230RLT1
(2)
A8G
1
(2)
A8H
2.2
MMUN2231RLT1
(2)
MMUN2232RLT1
A8J
4.7
(2)
MMUN2233RLT1
A8K
4.7
MMUN2234RLT1
(2)
A8L
22
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
1
2.2
4.7
47
47
8 8
Q2–1/8
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
-
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
V
CE （ SAT ）
80
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
-
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
VDC
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50V ，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
MMUN2211RLT1
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
=0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(3)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2230RLT1 MMUN2231RLT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2215RLT1 MMUN2216RLT1
MMUN2232RLT1 MMUN2233RLT1 MMUN2234RLT1
输出电压（上）
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ，R
L
=1.0k)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ，R
L
= 1.0k)
输出电压（关） （V
CC
=5.0V,V
B
= 0.5V ，R
L
=1.0k)
(V
CC
=5.0V,V
B
= 0.050V ，R
L
=1.0k)
MMUN2230RLT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 0.25V ，R
L
=1.0k)
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2233RLT1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
MMUN2234RLT1
MMUN2213RLT1
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
OH
4.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
VDC
Q2–2/8
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
(3)
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
典型值
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
单位
k
基本特征
输入电阻
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
MMUN2211RLT1 MMUN2212RLT1 MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1 MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1 MMUN2231RLT1 MMUN2232RLT1
R1
电阻率
R1/R2
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
Q2–3/8
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211RLT1系列
典型电气特性
MMUN2211RLT1
P
D
，功耗（毫瓦）
250
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
1
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
0.1
200
150
25°C
75°C
100
0.01
50
R
θJA
= 625 ° C / W
0
–50
0
50
10
150
0.001
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
h
FE
，直流电流增益（标准化）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
1000
4
V
CE
= 10 V
F = 1 MHz的
T
A
=75°C
25°C
–25°C
100
OB ，电容（pF ）
3
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
2
1
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
V
R
，反向偏置电压（伏）
图4.输出电容
100
25°C
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
T
A
= –25°C
V
in
，输入电压（伏）
75°C
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
25°C
75°C
1
1
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
V
O
= 5 V
8
9
10
0.1
0
10
20
30
40
50
V
in
，输入电压（伏）
图5. V
CE （ SAT ）
与我
C
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. V
CE （ STA）
与我
C
Q2–4/8
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211RLT1系列
典型电气特性
MMUN2212RLT1
h
FE
，直流电流增益（标准化）
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
1
1000
I
C
/I
B
=10
V
CE
= 10 V
T
A
=75°C
25°C
–25°C
T
A
= –25°C
25°C
0.1
75°C
100
0.01
0.001
0
20
40
60
80
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
100
图8.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
= –25°C
I
C
，集电极电流（毫安）
OB ，电容（pF ）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
3
10
T
A
= 25°C
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
O
= 5 V
9
10
0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向偏置电压（伏）
V
in
，输入电压（伏）
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（伏）
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
Q2–5/8
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