MMUN2211LT1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
R1
销1
BASE
（输入）
R2
简化网络连接的ES电路设计
减少了电路板空间和元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。使用设备
号码订购7寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与
在设备编号“T3”订购the13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
销2
辐射源
（接地）
标记图
3
1
2
SOT23
CASE 318
类型6
1
2
A8X =器件代码
x
= （见表）
3
A8x
订购信息
设备
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
A8J
A8K
A8L
A8R
A8U
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
R2(K)
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
47
∞
∞
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
2004年5月 - 第4版
出版订单号：
MMUN2211LT1/D
MMUN2211LT1系列
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
625
-65到+150
260
10
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
4.0
0.1
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ） ， （我
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
350
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2230LT1 / MMUN2231LT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2215LT1 / MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1/
MMUN2238LT1
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
V
CE （ SAT ）
http://onsemi.com
2
MMUN2211LT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注3）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
V
OL
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2213LT1
MMUN2241LT1
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 k
)
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k
)
MMUN2230LT1
MMUN2215LT1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k
)
MMUN2216LT1
MMUN2233LT1
MMUN2238LT1
输入电阻
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2211LT1/MMUN2212LT1/MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1/MMUN2216LT1/MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2230LT1/MMUN2231LT1/MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.88
130
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
k
电阻率
R1/R2
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
http://onsemi.com
3
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
MMUN2211LT1系列
MMUN2211LT1
系列
3
1
2
CASE 318风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
简化网络连接的ES电路设计
减少了电路板空间和元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。使用设备
号码订购7寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与
在设备编号“T3”订购the13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
3脚
销1
BASE
（输入）
R
1
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
R
2
MARKINGDIAGRAM
A6x
M
A6x =器件标识
x
M
= A - L（见第2页）
=日期代码
订购信息
设备
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
A8J
A8K
A8L
A8M
A8R
A8U
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
2.2
100
R2(K)
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
∞
∞
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
MMUN2211S-1/11
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211LT1系列
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
625
-65到+150
260
10
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
4.0
0.1
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ） ， （我
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
160
160
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
350
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2230LT1 / MMUN2231LT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2215LT1 / MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1/
MMUN2235LT1/MMUN2238LT1
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
V
CE （ SAT ）
MMUN2211S–2/11
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注3 ）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
V
OL
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2213LT1
MMUN2241LT1
V
OH
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
4.9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 k
)
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k
)
MMUN2230LT1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k
)
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2233LT1
MMUN2238LT1
输入电阻
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2211LT1/MMUN2212LT1/MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1/MMUN2216LT1/MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2230LT1/MMUN2231LT1/MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
1.54
70
0.8
0.17
–
–
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
2.2
100
1.0
0.21
–
–
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
2.88
130
1.2
0.25
–
–
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率
R
1
/R
2
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
MMUN2211S–3/11
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMUN2211LT1 / D
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
the13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
符号
VCBO
VCEO
IC
PD
R1
3脚
集热器
（输出）
MMUN2211LT1
系列
摩托罗拉的首选设备
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
1
PIN 1 R2
BASE
（输入）
销2
辐射源
（接地）
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
625
- 65 + 150
260
10
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1(2)
MMUN2216LT1(2)
MMUN2230LT1(2)
MMUN2231LT1(2)
MMUN2232LT1(2)
MMUN2233LT1(2)
MMUN2234LT1(2)
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
A8J
A8K
A8L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1
2.2
22
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1
2.2
22
4.7
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
（替换MMUN2211T1 / D ）
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1996年
晶体管， FET和二极管设备数据
1
MMUN2211LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
—
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MMUN2230LT1 / MMUN2231LT1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MMUN2215LT1 / MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0
)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2213LT1
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
VOH
4.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
—
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0
)
输出电压（关） （ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0
)
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0
)
MMUN2230LT1
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0
)
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2233LT1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
VDC
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMUN2211LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征（ 3 ）
输入电阻
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2211LT1/MMUN2212LT1/MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1/MMUN2216LT1
MMUN2230LT1/MMUN2231LT1/MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
k
电阻率
R1/R2
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
MMUN2211LT1系列
MMUN2211LT1
系列
3
1
2
CASE 318风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
简化网络连接的ES电路设计
减少了电路板空间和元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。使用设备
号码订购7寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与
在设备编号“T3”订购the13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
3脚
销1
BASE
（输入）
R
1
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
R
2
MARKINGDIAGRAM
A6x
M
A6x =器件标识
x
M
= A - L（见第2页）
=日期代码
订购信息
设备
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
A8J
A8K
A8L
A8M
A8R
A8U
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
2.2
100
R2(K)
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
∞
∞
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
MMUN2211S-1/11
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211LT1系列
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
625
-65到+150
260
10
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
4.0
0.1
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ） ， （我
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
160
160
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
350
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2230LT1 / MMUN2231LT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2215LT1 / MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1/
MMUN2235LT1/MMUN2238LT1
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
V
CE （ SAT ）
MMUN2211S–2/11
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2211LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注3 ）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
V
OL
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2213LT1
MMUN2241LT1
V
OH
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
4.9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 k
)
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k
)
MMUN2230LT1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k
)
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2233LT1
MMUN2238LT1
输入电阻
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2211LT1/MMUN2212LT1/MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1/MMUN2216LT1/MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2230LT1/MMUN2231LT1/MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
1.54
70
0.8
0.17
–
–
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
2.2
100
1.0
0.21
–
–
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
2.88
130
1.2
0.25
–
–
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率
R
1
/R
2
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
MMUN2211S–3/11
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMUN2211LT1 / D
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
the13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
符号
VCBO
VCEO
IC
PD
R1
3脚
集热器
（输出）
MMUN2211LT1
系列
摩托罗拉的首选设备
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
1
PIN 1 R2
BASE
（输入）
销2
辐射源
（接地）
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
625
- 65 + 150
260
10
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1(2)
MMUN2216LT1(2)
MMUN2230LT1(2)
MMUN2231LT1(2)
MMUN2232LT1(2)
MMUN2233LT1(2)
MMUN2234LT1(2)
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
A8J
A8K
A8L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1
2.2
22
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1
2.2
22
4.7
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
（替换MMUN2211T1 / D ）
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1996年
晶体管， FET和二极管设备数据
1
MMUN2211LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
—
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MMUN2230LT1 / MMUN2231LT1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MMUN2215LT1 / MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0
)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2213LT1
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
VOH
4.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
—
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0
)
输出电压（关） （ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0
)
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0
)
MMUN2230LT1
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0
)
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2233LT1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
VDC
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMUN2211LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征（ 3 ）
输入电阻
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2211LT1/MMUN2212LT1/MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1/MMUN2216LT1
MMUN2230LT1/MMUN2231LT1/MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
k
电阻率
R1/R2
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
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