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MMUN2211LT1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 23封装,是专为低功耗表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
R1
销1
BASE
(输入)
R2
3脚
集热器
(输出)
销2
辐射源
(接地)
简化网络连接的ES电路设计
减少了电路板空间和元件数量
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT23
CASE 318
类型6
标记图
A8X M
G
G
1
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
热阻,结到铅
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
246 (注1 )
400 (注2)
1.5 (注1)
2.0 (注2)
508 (注1 )
311 (注2)
174 (注1)
208 (注2)
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
A8X =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
2005年8月 - 启示录7
出版订单号:
MMUN2211LT1/D
MMUN2211LT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
4.0
0.1
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
毫安,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注3 ) , (我
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
基本特征
(注3)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
350
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的MMUN2230LT1 / MMUN2231LT1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的MMUN2215LT1 / MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1/
MMUN2238LT1
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 % 。
V
CE ( SAT )
http://onsemi.com
2
MMUN2211LT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
(注4 )
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0 k
W)
V
OL
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2213LT1
MMUN2241LT1
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0 k
W)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ,R
L
= 1.0 k
W)
输出电压(关) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0 k
W)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ,R
L
= 1.0 k
W)
MMUN2230LT1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ,R
L
= 1.0 k
W)
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2233LT1
MMUN2238LT1
输入电阻
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2211LT1/MMUN2212LT1/MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1/MMUN2216LT1/MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
MMUN2230LT1/MMUN2231LT1/MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.88
130
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
kW
电阻率
R1/R2
4.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 % 。
http://onsemi.com
3
MMUN2211LT1系列
典型电气特性
MMUN2211LT1
V
CE (SAT) ,
最大集电极电压
(V)
P
D,
功耗(毫瓦)
250
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
75°C
200
0.1
150
100
R
qJA
= 625 ° C / W
0.01
50
0
50
0
50
100
150
0.001
0
20
40
60
80
T
A
,环境温度( 5℃ )
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.降额曲线
h
FE ,
直流电流增益(标准化)
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
C
OB ,
电容(pF)
3
4
图2. V
CE ( SAT )
与我
C
F = 1 MHz的
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
2
1
10
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
0
0
10
20
30
40
50
V
R
,反向偏置电压(伏)
图3.直流电流增益
100
I
C,
集电极电流(毫安)
75°C
V
IN,
输入电压( V)
10
T
A
= 25°C
10
图4.输出Capcitance
25°C
V
O
= 0.2 V
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.001
0.1
0
V
in
,输入电压(伏)
40
10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
图5.输出电流与输入电压
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
4
MMUN2211LT1系列
典型电气特性
MMUN2212LT1
V
CE (SAT) ,
最大集电极电压
(V)
h
FE ,
直流电流增益(标准化)
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
0.1
25°C
100
25°C
0.01
0.001
0
20
60
40
I
C
,集电极电流(毫安)
80
10
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
图7. V
CE ( SAT )
与我
C
4
F = 1 MHz的
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
I
C,
集电极电流(毫安)
100
图8.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
= 25°C
C
OB ,
电容(pF)
3
10
1
2
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0
0
10
20
30
40
50
0.001
0
2
4
6
8
10
V
R
,反向偏置电压(伏)
V
in
,输入电压(伏)
图9.输出电容
100
V
O
= 0.2 V
V
IN,
输入电压( V)
图10.输出电流与输入电压
T
A
= 25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
MMUN2211LT1G系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 23封装,是专为低功耗表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
R1
销1
BASE
(输入)
R2
3脚
集热器
(输出)
销2
辐射源
(接地)
简化网络连接的ES电路设计
减少了电路板空间和元件数量
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT23
CASE 318
类型6
标记图
A8X M
G
G
1
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
热阻,结到铅
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
246 (注1 )
400 (注2)
1.5 (注1)
2.0 (注2)
508 (注1 )
311 (注2)
174 (注1)
208 (注2)
55
+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
A8X =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第17页上。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年10月
启示录11
出版订单号:
MMUN2211LT1/D
MMUN2211LT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2241LT1G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
4.0
0.1
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
毫安,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注3 ) , (我
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
基本特征
(注3)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2241LT1G
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2241LT1G
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
350
350
VDC
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
V
CE ( SAT )
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 % 。
http://onsemi.com
2
MMUN2211LT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
(注4 )
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2241LT1G
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2241LT1G
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2241LT1G
MMUN2211LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2213LT1G
MMUN2214LT1G
MMUN2215LT1G
MMUN2216LT1G
MMUN2230LT1G
MMUN2231LT1G
MMUN2232LT1G
MMUN2233LT1G
MMUN2234LT1G
MMUN2238LT1G
MMUN2241LT1G
V
OL
VDC
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
0.8
0.8
0.8
0.17
0.8
0.8
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
1.0
1.0
1.0
0.21
1.0
1.0
1.0
0.1
0.47
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.88
130
1.2
1.2
1.2
0.25
1.2
1.2
1.2
0.185
0.56
kW
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ,R
L
= 1.0千瓦)
输出电压(关)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
V
OH
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.05 V ,R
L
= 1.0千瓦)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ,R
L
= 1.0千瓦)
输入电阻
R1
电阻率
R1/R2
4.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 % 。
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3
MMUN2211LT1G系列
典型电气特性
MMUN2211LT1G
V
CE (SAT) ,
最大集电极电压
(V)
P
D,
功耗(毫瓦)
250
200
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
0.1
150
100
50
0
50
R
qJA
= 625 ° C / W
0.01
0
50
100
150
0.001
0
20
40
60
80
T
A
,环境温度( 5℃ )
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.降额曲线
h
FE ,
直流电流增益(标准化)
1000
V
CE
= 10 V
C
OB ,
电容(pF)
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
3
4
图2. V
CE ( SAT )
与我
C
F = 1 MHz的
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
2
1
10
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
0
0
10
20
30
40
50
V
R
,反向偏置电压(伏)
图3.直流电流增益
100
I
C,
集电极电流(毫安)
75°C
10
25°C
V
IN,
输入电压( V)
T
A
=
25°C
10
图4.输出Capcitance
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25°C
25°C
75°C
1
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.001
0.1
0
V
in
,输入电压(伏)
10
20
30
40
I
C
,集电极电流(毫安)
50
图5.输出电流与输入电压
图6.输入电压与输出电流
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4
MMUN2211LT1G系列
典型电气特性
MMUN2212LT1G
V
CE (SAT) ,
最大集电极电压
(V)
h
FE ,
直流电流增益(标准化)
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25°C
25°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
0.1
75°C
100
25°C
25°C
0.01
0.001
0
20
60
40
I
C
,集电极电流(毫安)
80
10
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
图7. V
CE ( SAT )
与我
C
4
C
OB ,
电容(pF)
F = 1 MHz的
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
I
C,
集电极电流(毫安)
100
10
1
图8.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
=
25°C
3
2
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0
2
4
6
8
10
V
in
,输入电压(伏)
0
0
10
20
30
40
50
0.001
V
R
,反向偏置电压(伏)
图9.输出电容
100
V
O
= 0.2 V
V
IN,
输入电压( V)
图10.输出电流与输入电压
T
A
=
25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.输入电压与输出电流
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5
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