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乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个晶体管
TOR与单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极resistor.The BRT通过整合他们消除了这些单独的部件
到单个设备中。使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该
设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
PNP硅
偏置电阻
晶体管
PIN1
BASE
（输入）
R1
R2
PIN3
集热器
（输出）
1
PIN2
辐射源
（接地）
2
3
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 （ K）
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
记号
A6A
A6B
A6C
R1 （ K）
10
22
47
MMUN2114LT1
A6D
10
MMUN2115LT1
(2)
A6E
10
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
8
Q1–1/7
乐山无线电公司， LTD 。
器件标识和电阻值
（续）
设备
MMUN2116RLT1
(2)
MMUN2130RLT1
(2)
MMUN2131RLT1
(2)
MMUN2132RLT1
(2)
MMUN2133RLT1
(2)
MMUN2134RLT1
(2)
特征
记号
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
R1 （ K）
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
V
CE （ SAT ）
80
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
-
MMUN2111RLT1系列
R2 （ K）
1.0
2.2
4.7
47
47
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
VDC
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50V ，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
=0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(3)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2132RLT1 MMUN2133RLT1 MMUN2134RLT1
输出电压（上）
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ，R
L
=1.0k)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
MMUN2113RLT1
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
VDC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ，R
L
= 1.0k)
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
2-446 LRC小信号晶体管， FET和二极管设备数据
Q1–2/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0k)
(V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.25 V ，R
L
=1.0k)
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
电阻率MMUN2111RLT1 MMUN2112RLT1 MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1 MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
R
1
/R
2
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
k
符号
V
OH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
(V
CC
=5.0 V,V
B
=0.050V,R
L
=1.0k)
输入电阻
Q1–3/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
典型电气特性
MMUN2111RLT1
P
D
，功耗（毫瓦）
250
V
CE （SAT）
最大集电极电压（伏）
1
I
C
/I
B
=10
200
T
A
= –25°C
75°C
25°C
150
0.1
100
50
R
θJA
= 625 ° C / W
0
–50
0
50
10
150
0.01
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
h
FE
，直流电流增益（标准化）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
1000
4
V
CE
= 10 V
OB ，电容（pF ）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
3
T
A
= 25°C
T
A
=75°C
100
25°C
–25°C
2
1
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
V
R
，反向偏置电压（伏）
图4.输出电容
100
V
in
，输入电压（伏）
75°C
25°C
T
A
= –25°C
100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
O
= 0.2 V
10
1
10
T
A
= –25°C
25°C
75°C
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0
10
20
30
40
50
V
in
，输入电压（伏）
图5.输出电流与输入电压
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
Q1–4/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
典型电气特性
MMUN2112RLT1
10
h
FE
，直流电流增益（标准化）
V
CE （SAT）
最大集电极电压（伏）
1000
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
25°C
75°C
1
V
CE
= 10 V
T
A
=75°C
25°C
100
–25°C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
100
图8.直流电流增益
F = 1 MHz的
75°C
25°C
T
A
= –25°C
OB ，电容（pF ）
3
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
I
C
，集电极电流（毫安）
10
1
2
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向偏置电压（伏）
V
in
，输入电压（伏）
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（伏）
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
10
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
Q1–5/7
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个晶体管
TOR与单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极resistor.The BRT通过整合他们消除了这些单独的部件
到单个设备中。使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该
设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
PNP硅
偏置电阻
晶体管
PIN1
BASE
（输入）
R1
R2
PIN3
集热器
（输出）
1
PIN2
辐射源
（接地）
2
3
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 （ K）
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
记号
A6A
A6B
A6C
R1 （ K）
10
22
47
MMUN2114LT1
A6D
10
MMUN2115LT1
(2)
A6E
10
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
8
Q1–1/7
乐山无线电公司， LTD 。
器件标识和电阻值
（续）
设备
MMUN2116RLT1
(2)
MMUN2130RLT1
(2)
MMUN2131RLT1
(2)
MMUN2132RLT1
(2)
MMUN2133RLT1
(2)
MMUN2134RLT1
(2)
特征
记号
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
R1 （ K）
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
V
CE （ SAT ）
80
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
-
MMUN2111RLT1系列
R2 （ K）
1.0
2.2
4.7
47
47
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
VDC
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50V ，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
=0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(3)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2132RLT1 MMUN2133RLT1 MMUN2134RLT1
输出电压（上）
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ，R
L
=1.0k)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
MMUN2113RLT1
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
VDC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ，R
L
= 1.0k)
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
2-446 LRC小信号晶体管， FET和二极管设备数据
Q1–2/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0k)
(V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.25 V ，R
L
=1.0k)
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
电阻率MMUN2111RLT1 MMUN2112RLT1 MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1 MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
R
1
/R
2
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
k
符号
V
OH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
(V
CC
=5.0 V,V
B
=0.050V,R
L
=1.0k)
输入电阻
Q1–3/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
典型电气特性
MMUN2111RLT1
P
D
，功耗（毫瓦）
250
V
CE （SAT）
最大集电极电压（伏）
1
I
C
/I
B
=10
200
T
A
= –25°C
75°C
25°C
150
0.1
100
50
R
θJA
= 625 ° C / W
0
–50
0
50
10
150
0.01
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
h
FE
，直流电流增益（标准化）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
1000
4
V
CE
= 10 V
OB ，电容（pF ）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
3
T
A
= 25°C
T
A
=75°C
100
25°C
–25°C
2
1
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
V
R
，反向偏置电压（伏）
图4.输出电容
100
V
in
，输入电压（伏）
75°C
25°C
T
A
= –25°C
100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
O
= 0.2 V
10
1
10
T
A
= –25°C
25°C
75°C
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0
10
20
30
40
50
V
in
，输入电压（伏）
图5.输出电流与输入电压
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
Q1–4/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
典型电气特性
MMUN2112RLT1
10
h
FE
，直流电流增益（标准化）
V
CE （SAT）
最大集电极电压（伏）
1000
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
25°C
75°C
1
V
CE
= 10 V
T
A
=75°C
25°C
100
–25°C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
100
图8.直流电流增益
F = 1 MHz的
75°C
25°C
T
A
= –25°C
OB ，电容（pF ）
3
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
I
C
，集电极电流（毫安）
10
1
2
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向偏置电压（伏）
V
in
，输入电压（伏）
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（伏）
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
10
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
Q1–5/7
MMUN2111系列
偏置电阻晶体管
PNP硅
集热器
BASE
1
R1
R2
3
3
1
2
辐射源
2
SOT-23
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
符号
PD
最大
246 (1)
400 (2)
1.5 (1)
2.0 (2)
508
311
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
热阻，结到环境
结温和存储，使用温度范围
R
θ
JA
TJ ， TSTG
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111
MMUN2112
MMUN2113
MMUN2114
MMUN2115
MMUN2116
记号
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
A6F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MMUN2130
MMUN2131
MMUN2132
MMUN2133
MMUN2134
记号
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
R1(K)
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2(K)
1.0
2.2
4.7
47
47
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
MMUN2111系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 10微安，IE = 0）的
集电极 - 基Cuto FF电压
(V
CB
= 50 V ， I E = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 50V ， I B = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0V ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
ICEO
MMUN2111
MMUN2112
MMUN2113
MMUN2114
MMUN2115
MMUN2116
MMUN2130
MMUN2131
MMUN2132
MMUN2133
MMUN2134
IEBO
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
V
V
nA
nA
mA
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
（ I C = 10毫安， IB = 0.3毫安）
（ IC = 10毫安， I B = 5毫安） MMUN2130 / MMUN2131
（ IC = 10毫安， IB = 1毫安） MMUN2115 / MMUN2116
MMUN2132/MMUN2133/MMUN2134
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
-
-
0.25
VDC
WEITRON
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MMUN2111系列
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 10V ， IC = 5.0毫安）
MMUN2111
MMUN2112
MMUN2113
MMUN2114
MMUN2115
MMUN2116
MMUN2130
MMUN2131
MMUN2132
MMUN2133
MMUN2134
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VDC
输出电压（上）
（ VCC = 5.0V ， VB = 2.5V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 3.5V ， R L = 1.0K
)
输出电压（关）
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.5V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.25V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.050V ， R L = 1.0K
)
V
MMUN2111
MMUN2112
MMUN2114
MMUN2115
MMUN2116
MMUN2130
MMUN2131
MMUN2132
MMUN2133
MMUN2134
MMUN2113
VOL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VOH
MMUN2115
MMUN2116
MMUN2131
MMUN2132
MMUN2130
V
VDC
3.脉冲测试：脉冲宽度300我们，占空比2.0 ％
WEITRON
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MMUN2111系列
电气特性
基本特征
输入电阻
MMUN2111
MMUN2112
MMUN2113
MMUN2114
MMUN2115
MMUN2116
MMUN2130
MMUN2131
MMUN2132
MMUN2133
MMUN2134
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
-
0.8
0.055
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
-
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
-
1.2
0.185
k
电阻率MMUNM2111 / MMUN2112 / MMUN2113
MMUN2114
MMUN2115/MMUN2116
MMUN2130/MMUN2131/MMUN2132
MMUN2133
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
R1/R2
WEITRON
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MMUN2111系列
MMUN2111系列
典型电气特性
MMUN2114
1
的hFE ， DC电流增益（标准化）
IC / IB = 10
TA = -25℃
25 C
0.1
75 C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
4
6
VCE = 10V
我们将其R ON
VCE （SAT） ，最大COLLECT 电压（伏）
O
TA = 75℃
25 C
-25 C
0.01
0.001
0
20
40
60
IC ，集电极电流（毫安）
80
8 10 15 20 40 50 60 70
IC ，集电极电流（毫安）
80
90 100
图1 V
CE （ SAT ）
与我
C
4.5
4
COB，电容（pF ）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6 8 10 15 20 25 30 35 40
VR ，反向偏置VOL TAGE （伏）
45 50
F = 1 MHz的
LE = 0 V
TA = 25℃
100
图2直流电流增益
TA = 75℃
IC ，集电极电流（毫安）
-25 C
25C
10
VO = 5 V
1
0
2
4
6
输入电压，输入电压（伏）
8
10
图3输出电容
图4输出电流与输入电压
+12 V
10
VO = 0.2V
V在，输入电压（伏）
TA = -25℃
25 C
75 C
1
Typic人一pplic通报BULLETIN
对于P NP B R TS
负载
0.1
0
10
20
30
40
IC ，集电极电流（毫安）
50
图5输入电压与输出电流
图6是物美价廉，非常规电流源
WEITRON
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MIC29311-5.1BU
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