乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
MMUN2111LT1系列
MMUN2111LT1
系列
3
1
2
CASE 318风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
3脚
集热器
（输出）
R
2
销2
辐射源
（接地）
MARKINGDIAGRAM
A6x M
A6x =器件标识
x
M
= A - L（见第2页）
=日期代码
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的这个第2页标记表
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
246 （注1 ）
400 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
508 （注1 ）
311 （注2 ）
174 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
数据表。
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
MMUN2111S-1/11
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
–
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2130LT1 / MMUN2131LT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2115LT1 / MMUN2116LT1 /
MMUN2132LT1/MMUN2133LT1/MMUN2134LT1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k )
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
MMUN2113LT1
V
CE （ SAT ）
V
OL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
OH
4.9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
(V
CC
=
5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k )
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k )
VDC
(V
CC
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千欧） MMUN2130LT1
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
–
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
–
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
–
1.2
0.185
k
输入电阻
电阻率MMUN2111LT1 / MMUN2112LT1 / MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1/MMUN2116LT1
MMUN2130LT1/MMUN2131LT1/MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R
1
/R
2
MMUN2111S–3/11
MMUN2111LT1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
1
2
SOT–23
CASE 318
类型6
标记图
A6x M
热特性
特征
器件总功耗
TA = 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
PD
最大
246 （注1 ）
400 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
508 （注1 ）
311 （注2 ）
174 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
A6x
=器件标识
x
= A - L（见
第2页）
M
=日期代码
R
θJA
R
θJL
TJ ， TSTG
器件标识信息
° C / W
°C
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第2版
出版订单号：
MMUN2111LT1/D
MMUN2111LT1系列
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2111LT3
MMUN2112LT1
MMUN2112LT3
MMUN2113LT1
MMUN2113LT3
MMUN2114LT1
MMUN2114LT3
MMUN2115LT1 （注3 ）
MMUN2115LT3
MMUN2116LT1 （注3 ）
MMUN2116LT3
MMUN2130LT1 （注3 ）
MMUN2130LT3
MMUN2131LT1 （注3 ）
MMUN2131LT3
MMUN2132LT1 （注3 ）
MMUN2132LT3
MMUN2133LT1 （注3 ）
MMUN2133LT3
MMUN2134LT1 （注3 ）
MMUN2134LT3
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
记号
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
ICBO
ICEO
IEBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
MMUN2111LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ）
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
–
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 mA时， IE = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MMUN2130LT1 / MMUN2131LT1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MMUN2115LT1 / MMUN2116LT1 /
MMUN2132LT1/MMUN2133LT1/MMUN2134LT1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
MMUN2113LT1
VCE （ SAT ）
VOL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
VOH
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2130LT1
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
–
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
–
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
–
1.2
0.185
4.9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）
输出电压（关）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧）
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧）
输入电阻
k
电阻率MMUN2111LT1 / MMUN2112LT1 / MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1/MMUN2116LT1
MMUN2130LT1/MMUN2131LT1/MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
http://onsemi.com
3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMUN2111LT1 / D
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
销1
损坏模具。
BASE
可在8毫米压纹卷带包装。使用
（输入）
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
符号
VCBO
VCEO
IC
PD
R1
R2
3脚
集热器
（输出）
MMUN2111LT1
系列
摩托罗拉的首选设备
PNP硅
偏置电阻
晶体管
3
1
2
销2
辐射源
（接地）
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
价值
625
- 65 + 150
260
10
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1(2)
记号
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
R1 （ K）
10
22
47
10
10
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
（替换MMUN2111T1 / D ）
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1996年
晶体管， FET和二极管设备数据
1
MMUN2111LT1系列
器件标识和电阻值
（续）
设备
MMUN2116LT1(2)
MMUN2130LT1(2)
MMUN2131LT1(2)
MMUN2132LT1(2)
MMUN2133LT1(2)
MMUN2134LT1(2)
记号
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
R1 （ K）
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
—
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IE = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MMUN2130LT1 / MMUN2131LT1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MMUN2115LT1 / MMUN2116LT1 /
MMUN2132LT1/MMUN2133LT1/MMUN2134LT1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
MMUN2113LT1
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMUN2111LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧） MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MMUN2130LT1
输入电阻
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
符号
VOH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
k
电阻率MMUN2111LT1 / MMUN2112LT1 / MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1/MMUN2116LT1
MMUN2130LT1/MMUN2131LT1/MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
R1/R2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMUN2111LT1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
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3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
1
2
SOT–23
CASE 318
类型6
标记图
A6x M
热特性
特征
器件总功耗
TA = 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
PD
最大
246 （注1 ）
400 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
508 （注1 ）
311 （注2 ）
174 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
A6x
=器件标识
x
= A - L（见
第2页）
M
=日期代码
R
θJA
R
θJL
TJ ， TSTG
器件标识信息
° C / W
°C
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第2版
出版订单号：
MMUN2111LT1/D
MMUN2111LT1系列
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2111LT3
MMUN2112LT1
MMUN2112LT3
MMUN2113LT1
MMUN2113LT3
MMUN2114LT1
MMUN2114LT3
MMUN2115LT1 （注3 ）
MMUN2115LT3
MMUN2116LT1 （注3 ）
MMUN2116LT3
MMUN2130LT1 （注3 ）
MMUN2130LT3
MMUN2131LT1 （注3 ）
MMUN2131LT3
MMUN2132LT1 （注3 ）
MMUN2132LT3
MMUN2133LT1 （注3 ）
MMUN2133LT3
MMUN2134LT1 （注3 ）
MMUN2134LT3
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
记号
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
ICBO
ICEO
IEBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
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2
MMUN2111LT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ）
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
–
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 mA时， IE = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MMUN2130LT1 / MMUN2131LT1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MMUN2115LT1 / MMUN2116LT1 /
MMUN2132LT1/MMUN2133LT1/MMUN2134LT1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
MMUN2113LT1
VCE （ SAT ）
VOL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
VOH
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2130LT1
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
–
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
–
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
–
1.2
0.185
4.9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）
输出电压（关）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧）
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧）
输入电阻
k
电阻率MMUN2111LT1 / MMUN2112LT1 / MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1/MMUN2116LT1
MMUN2130LT1/MMUN2131LT1/MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
