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乐山无线电公司, LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
MMUN2111LT1系列
MMUN2111LT1
系列
3
1
2
CASE 318风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装,可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
(输入)
R
1
3脚
集热器
(输出)
R
2
销2
辐射源
(接地)
MARKINGDIAGRAM
A6x M
A6x =器件标识
x
M
= A - L(见第2页)
=日期代码
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的这个第2页标记表
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
246 (注1 )
400 (注2 )
1.5 (注1 )
2.0 (注2 )
508 (注1 )
311 (注2 )
174 (注1 )
208 (注2 )
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
数据表。
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
MMUN2111S-1/11
乐山无线电公司, LTD 。
MMUN2111LT1系列
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2111LT3
MMUN2112LT1
MMUN2112LT3
MMUN2113LT1
MMUN2113LT3
MMUN2114LT1
MMUN2114LT3
MMUN2115LT1 (注3 )
MMUN2115LT3
MMUN2116LT1 (注3 )
MMUN2116LT3
MMUN2130LT1 (注3 )
MMUN2130LT3
MMUN2131LT1 (注3 )
MMUN2131LT3
MMUN2132LT1 (注3 )
MMUN2132LT3
MMUN2133LT1 (注3 )
MMUN2133LT3
MMUN2134LT1 (注3 )
MMUN2134LT3
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
记号
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
R1 ( K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 ( K)
10
22
47
47
1.0
2.2
4.7
47
47
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0 )
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注4 )
(I
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
4.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
MMUN2111S–2/11
乐山无线电公司, LTD 。
MMUN2111LT1系列
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
(注5 )
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时,我
E
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的MMUN2130LT1 / MMUN2131LT1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的MMUN2115LT1 / MMUN2116LT1 /
MMUN2132LT1/MMUN2133LT1/MMUN2134LT1
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0 k )
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
MMUN2113LT1
V
CE ( SAT )
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
=
5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0 k )
输出电压(关)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ,R
L
= 1.0 k )
VDC
(V
CC
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ,R
L
= 1.0千欧) MMUN2130LT1
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
1.2
0.185
k
输入电阻
电阻率MMUN2111LT1 / MMUN2112LT1 / MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1/MMUN2116LT1
MMUN2130LT1/MMUN2131LT1/MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
5.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
R
1
/R
2
MMUN2111S–3/11
乐山无线电公司, LTD 。
MMUN2111LT1系列
典型电气特性
MMUN2111LT1
250
PD ,功耗(毫瓦)
200
VCE (SAT) ,集电极最大电压(伏)
1
IC / IB = 10
TA = -25°C
75°C
0.1
25°C
150
100
50
0
-50
R
θJA
= 625 ° C / W
0
50
100
150
0.01
0
20
40
60
80
TA ,环境温度( ° C)
IC ,集电极电流(毫安)
图1.降额曲线
1000
^ h FE , DC电流增益(标准化)
VCE = 10 V
4
图2的VCE (饱和)与集成电路
100
TA = 75℃
25°C
-25°C
COB,电容(pF )
3
F = 1 MHz的
LE = 0 V
TA = 25°C
2
1
10
1
10
IC ,集电极电流(毫安)
100
0
0
10
20
30
40
VR ,反向偏置电压(伏)
50
图3.直流电流增益
100
图4.输出电容
75°C
25°C
TA = -25°C
100
VO = 0.2 V
输入电压,输入电压(伏)
IC ,集电极电流(毫安)
10
1
10
TA = -25°C
25°C
75°C
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
VO = 5 V
3
4
5
6
7
输入电压,输入电压(伏)
8
9
10
0.1
0
10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
40
50
图5.输出电流与输入电压
图6.输入电压与输出电流
MMUN2111S–4/11
乐山无线电公司, LTD 。
MMUN2111LT1系列
典型电气特性
MMUN2112LT1
VCE (SAT) ,集电极最大电压(伏)
10
1000
^ h FE , DC电流增益(标准化)
IC / IB = 10
TA = -25°C
25°C
1
75°C
VCE = 10 V
TA = 75℃
100
25°C
-25°C
0.1
0.01
0
20
40
60
IC ,集电极电流(毫安)
80
10
1
10
IC ,集电极电流(毫安)
100
图7的VCE (饱和)与集成电路
图8.直流电流增益
4
IC ,集电极电流(毫安)
F = 1 MHz的
LE = 0 V
TA = 25°C
100
75°C
25°C
TA = -25°C
COB,电容(pF )
3
10
1
2
0.1
VO = 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.01
0
0
10
20
30
40
VR ,反向偏置电压(伏)
50
0.001
输入电压,输入电压(伏)
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
VO = 0.2 V
输入电压,输入电压(伏)
TA = -25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
IC ,集电极电流(毫安)
图11.输入电压与输出电流
MMUN2111S–5/11
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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