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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1898页 > MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G系列
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
1
2
SOT23
CASE 318
类型6
记号
图
A6x M
G
G
1
A6x
=器件代码
x
= A
L（参见第2页）
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
结存储，
温度范围
符号
P
D
最大
246 （注1 ）
400 （注2）
2.0 （注1 ）
3.2 （注2）
508 （注1 ）
311 （注2）
174 （注1）
208 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
订购信息
设备
MMUN21xxLT1G
MMUN21xxLT3G
包
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
SOT- 23 10000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
启示录10
1
出版订单号：
MMUN2111LT1/D
MMUN2111LT1G系列
器件标识和电阻值
设备*
MMUN2111LT1G
MMUN2111LT3G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2113LT3G
MMUN2114LT1G
MMUN2114LT3G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2130LT1G （注3）
MMUN2131LT1G （注3）
MMUN2132LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G （注3）
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
记号
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
*在“G ”后缀表示无铅封装。
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2130LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
MMUN2111LT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
基本特征
（注5 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2130LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2130LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2134LT1G
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2130LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2130LT1G
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
VDC
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
VDC
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OL
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OH
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
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3
MMUN2111LT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
基本特征
（注5 ）
输入电阻
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2130LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G
MMUN2111LT1G
MMUN2112LT1G
MMUN2113LT1G
MMUN2114LT1G
MMUN2115LT1G
MMUN2116LT1G
MMUN2130LT1G
MMUN2131LT1G
MMUN2132LT1G
MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1G
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.8
0.8
0.17
0.8
0.8
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
1.0
1.0
0.21
1.0
1.0
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
1.2
1.2
0.25
1.2
1.2
1.2
0.185
0.56
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
电阻率
R
1
/R
2
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
4
MMUN2111LT1G系列
典型电气特性
MMUN2111LT1
250
PD ，功耗（毫瓦）
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= -25°C
75°C
0.1
200
25°C
150
100
R
qJA
= 625 ° C / W
50
0
-50
0
50
100
150
0.01
0
20
40
60
80
I
C
，集电极电流（毫安）
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.降额曲线
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
V
CE
= 10 V
3
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
1000
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
T
A
= 75°C
100
25°C
-25°C
OB ，电容（pF ）
100
2
1
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
图3.直流电流增益
图4.输出电容
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
25°C
T
A
= -25°C
100
V
O
= 0.2 V
输入电压，输入电压（伏）
T
A
= -25°C
10
25°C
75°C
1
1
0.1
0.01
0.001
0
1
2
V
O
= 5 V
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图5.输出电流与输入电压
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
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MAX6959BAPE
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MI-PC6YT-IX
M2T22S4A5A30
MC10E116FNR2G
MI-PC23V-IX
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厂家
批号
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    MMUN2111LT1G
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    -
    -
    -
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MMUN2111LT1G
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