摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMT10V275 / D
超前信息
MMT10V275
*
MMT10V400
*
*摩托罗拉的首选设备
晶闸管浪涌抑制器
高压双向TVS器件
这些瞬态电压抑制（ TVS ）器件防止过压
损坏敏感电路雷击，感应和电源线交叉。
他们是导通，触发撬棍保护。关断时出现
浪涌低于保持电流值，电流下降。
应用包括语音通信和控制系统的电流回路线路，
局端基站，中继器，建筑及居住的入口终端和
电子电信设备。
高浪涌电流能力
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体DE-耗损机制现状
恶习
故障保护。短裤当压力过大，防止续未受保护
操作。
双向
晶闸管浪涌
抑制器
25瓦稳态
CASE 416A -01
设备额定值：
– 40°C
至50℃ MMT10V275
- 40 ° C至65℃ MMT10V400 （除潮）
参数
重复峰值断态电压 - 最大
MMT10V275
MMT10V400
通态浪涌电流 - 最大非重复性（ MMT10V400 - 20 ° C至65° C）
10 x 1000
s
指数波，注意事项1， 2 ， 3
60 Hz的交流， 1000 V （有效值） ， RS = 1.0 kΩ的1秒
60赫兹交流电， 480 V （有效值） ， RS = 48
,
2秒
变化率通态电流的 - 最大非重复性
临界阻尼波动，C = 1.2
F,
L = 16
H,
R = 7.4,
VCI = 1000 V，I （峰）= 100 A（短路），0 50％， I（ pk）的
ITSM1
ISTM2
ISTM3
的di / dt
符号
VDM
价值
±
200
±
265
±
100
±
10
±
1.0
50
A（ PK）
A（ RMS ）
A（ RMS ）
A / μs的
单位
伏
器件热额定值
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温 - 最大
导通状态，只有
热阻，结到外壳 - 最大
热电阻，外壳到环境，不带散热器
TJ1
TJ2
R
θJC
—
- 40至+ 125
+ 175
1.5
+ 200
°C
°C
° C / W
° C / W
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1995年
1
MMT10V275 MMT10V400
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
击穿电压
（ dv / dt的= 100 V / μs的， ISC = 10 A，伏= 1000 V）
击穿电压
（ F = 60Hz时， ISC = 1.0 A（ RMS） ， VOC = 1000 V （有效值） ，
RI = 1.0 kΩ的，T = 0.5周，注2 ）
击穿电压温度系数
击穿电压
（ I（ BR ）= 1.0毫安）
击穿电压温度系数
关态电流（ VD = 160 V）
导通电压（ IT = 10 A）
（ PW
≤
300
s,
占空比
≤
2 ％ ，注2 ）
导通电流（ F = 60Hz时， VDM = 1000 V （有效值） ， RS = 1.0千欧）
保持电流
注2
（ 10× 100 MS指数波， IT = 10 A， V = 52 V， RS = 200
)
断态电压临界上升率
（线性波形， VD = 0.8×额定VDRM ， TJ = 125°C ）
电容（ F = 1.0兆赫， 50 V， 15毫伏）
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
3.要求
θ
CS
≤
6 ° C / W两侧，无限的散热器。
MMT10V275
MMT10V400
DV（ BO ） / DTJ
ID
VT
IBO
IH
dv / dt的
CO
MMT10V275
MMT10V400
V(BO)2
MMT10V275
MMT10V400
DV（ BO ） / DTJ
V（ BR ）
200
265
—
—
—
—
—
2000
—
—
—
0.11
—
3.0
500
400
—
55
—
—
—
3.0
4.0
—
—
—
—
%/°C
A
伏
mA
mA
V / μs的
pF
—
—
—
—
—
0.05
275
400
—
%/°C
伏
符号
V(BO)1
—
—
—
—
275
400
伏
民
典型值
最大
单位
伏
R
θS(A1)
R
θC(S1)
R
θJ(C1)
TA
TS1
TC1
R
θJ(C2)
TJ
PD
R
θC(S2)
R
θS(A2)
TC2
TS2
TA
条款中的模型表示：
TA =环境温度。
TS =散热片温度。
TC =情况下的温度。
TJ =结温。
R
θSA
=热阻，散热器到环境
R
θCS
=热电阻，案件散热器
R
θJC
=热阻，结到外壳
PD =功耗
下标1和2分别表示设备终端MT1和MT2的分别。
热电阻的值是：
R
θCS
= 6 ° C / W最高（每边）
R
θJC
= 3 ° C / W最高（每边）
第r
θCS
值估计干的安装与散热器接触
在包装上提高了台座。对于最低热阻的器件
应洁净，平整，光滑的导电电极之间夹
在安全的地方举行最大2磅压缩力。该
电极应与整个基座区域。当该装置是
安装对称，热敏电阻是相同的。为值
R
θSA
和R
θCS
由用户来控制，并取决于散热片的设计和
安装条件。
图1.热敏电路，设备安装散热片之间
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
MMT10V275 MMT10V400
600
550
I H ，保持电流（毫安）
500
450
400
350
300
250
200
0
10
20
30
40
50
60
TJ ，结温（ ° C）
70
80
I H ，保持电流
温度系数（毫安/
°
C)
0
–1
典型
–2
–3
典型的低
–4
200
250
300
350
400
450
500
IH ，保持电流在0 ° C（毫安）
550
600
图2.典型的保持电流
图3.保持电流温度系数
我BO ，规范转折电流
1.2
归一化击穿电压
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
– 20
归
至25℃
VF （BR）的热膨胀系数相似，一个齐纳的
二极管。我的BO落在同温度，减少齐纳
到V BO阻抗的贡献。这将导致在V BO
温度系数perature为小于或等于所述
VF （ BR ）系数。该图可以的估计
最大电压升高任一参数的。
10
注意：导通电流的交流操作过程中的行为
是复杂的，由于结点的加热，加热的情况下，热
该设备半部之间的相互作用。微束传导
在崩溃的开始，有时会导致更高的地方
电流密度和早于预期切换。这
降低了功耗和应力的设备上。
1
最大IBO = 1.0
在25℃下
0
20
40
60
80
100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
0.1
– 40
头半个周期
F = 60赫兹
VOC = 1000 V （有效值）
国际奥委会= 1.0 A（ RMS）
最小单位IBO
– 20
0
20
40
60
80 100 120 140
TJ ，结温PRIOR TO TEST（ ° C）
160
图4.归一化最大60 Hz的VBO
VERSUS结温
图5.温度60赫兹的依赖性
导通电流
摩托罗拉晶闸管设备数据
3
MMT10V275 MMT10V400
包装尺寸
0.0127 (0.0005) T
C
–T–
M
注3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸M和P最大偏差
半区。作者：
英寸
民
最大
0.110
0.120
0.110
0.120
0.072
0.080
0.006
0.010
–––
4
_
0.073
0.077
–––
0.130
0.065
0.070
MILLIMETERS
民
最大
2.79
3.05
2.79
3.05
1.83
2.03
0.15
0.25
–––
4
_
1.85
1.96
–––
3.30
1.65
1.78
A
B n个R
P
注3
E
R
N
暗淡
A
B
C
E
M
N
P
R
CASE 416A -01
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应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
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摩托罗拉
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文学配送中心：
美国：摩托罗拉文学分布; P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036 。
欧洲：摩托罗拉有限公司;欧洲文献中心; 88制革驱动， Blakelands ，米尔顿凯恩斯， MK14 5BP ，英国。
日本：日本摩托罗拉有限公司; 4-32-1 ，西五反田，品川区，东京141 ，日本。
亚太地区：摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心2号大景街，大埔工业村，大埔，新界，香港。
4
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