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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第443页 > MMT10B260T3G
MMT10B230T3,
MMT10B260T3,
MMT10B310T3
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向TSPD
http://onsemi.com
这些晶闸管浪涌保护器件( TSPD )预防
雷击,感应到敏感电路过电压的损害和
电力线交叉。他们是导通,触发撬棍
保护者。关断时出现浪涌电流降至低于
保持电流值。
二级保护应用电子电信设备
在客户端。
特点
双向TSPD (
100 AMP SURGE
265通365伏
MT1
MT2
)
优秀的高浪涌电流能力: 100 A 10x1000
毫秒
在-20 ° C的扩展温度范围内保证65℃
该MMT10B230T3系列是用来帮助设备满足各种
监管要求包括:符合Bellcore 1089 , ITU K.20 & K.21 ,
IEC 950 , UL 1459 & 1950年和FCC第68部分。
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体耗损机制现状
器件
故障保护,短裤当压力过大,防止续
未受保护的行动
表面贴装技术( SMT )
符合GR1089二级电涌规格为500 A
2x10
毫秒
波形
表示UL注册 - 文件号E210057
无铅包可用
SMB
(无极)
(实际上JEDEC DO- 214AA )
案例403C
标记DIAGRAMS
AYWW
Rpdx
G
G
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
Rpdx
=器件代码
x
= F,G或J
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年8月 - 修订版8
出版订单号:
MMT10B230T3/D
MMT10B230T3 , MMT10B260T3 , MMT10B310T3
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
断态电压 - 最大
MMT10B230T3
MMT10B260T3
MMT10B310T3
最大脉冲浪涌短路电流非重复性
双指数衰减波形
(注1及2 ) ( -20 ° C至+ 65 ° C)
2 x 10
毫秒
10 x 700
毫秒
10 x 1000
毫秒
更改通态电流的最大非重复速率
双指数波形,
R = 2.0时, L = 1.5
mH的,
C = 1.67
MF,
I
pk
= 110A
符号
V
DM
价值
"170
"200
"270
A( PK)
单位
V
I
PPS1
I
PPS2
I
PPS3
的di / dt
"500
"180
"100
"100
A / MS
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
热特性
特征
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温 - 最大导通状态,只有
瞬时峰值功率耗散(我
pk
= 100 A, 10x1000
毫秒
@ 25°C)
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
T
J1
T
J2
P
PK
T
L
最大
-40+ 125
+ 175
4000
260
单位
°C
°C
W
°C
订购信息
设备
MMT10B230T3
MMT10B230T3G
MMT10B260T3
MMT10B260T3G
MMT10B310T3
MMT10B310T3G
SMB
SMB
(无铅)
SMB
SMB
(无铅)
SMB
SMB
(无铅)
(12毫米)带&卷轴
2500单位每卷
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MMT10B230T3 , MMT10B260T3 , MMT10B310T3
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
器件是双向的。所有电气参数适用于正向和反向极性。
特征
击穿电压(两极)
( dv / dt的= 100 V / ms的,我
SC
= 1.0 A,伏= 1000 V)
MMT10B230T3 ,G
MMT10B260T3 ,G
MMT10B310T3 ,G
MMT10B230T3 ,G
MMT10B260T3 ,G
MMT10B310T3 ,G
击穿电压(两极)
( F = 60Hz时,我
SC
= 1.0 A( RMS) ,V
OC
= 1000 V (有效值) , MMT10B230T3 ,G
R
I
= 1.0千瓦, t为0.5周)(注3)
MMT10B260T3 ,G
MMT10B310T3 ,G
(+65°C)
MMT10B230T3 ,G
MMT10B260T3 ,G
MMT10B310T3 ,G
击穿电压温度系数
击穿电压(I
( BR )
= 1.0 mA)的两极
MMT10B230T3 ,G
MMT10B260T3 ,G
MMT10B310T3 ,G
关态电流( V
D1
= 50伏)这两种极性
关态电流
(V
D2
= V
DM
)两极
通态电压(I
T
= 1.0 A)
( PW
300
女士,
占空比
2%) (注3)
导通电流( F = 60赫兹,V
DM
= 1000 V (有效值) ,R
S
= 1.0千瓦)
两极
保持电流(两极)
V
S
= 500伏;我
T
(启动电流) =
"1.0
A
断态电压临界上升率
(线性波形,V
D
=额定V
BR
, T
J
= 25°C)
电容( F = 1.0 MHz时, 50伏, 1.0伏均方根信号)
电容
( F = 1.0 MHz时, 2.0伏, 15毫伏均方根信号)
脉冲条件下测得的3 ,减少发热。
(注3)
I
D1
I
D2
V
T
I
BO
I
H
dv / dt的
C
O
V
(BO)
dV
(BO)
/ DT
J
V
( BR )
150
2000
190
240
280
1.53
260
270
65
160
2.0
5.0
5.0
200
mA
V
mA
mA
V / ms的
pF
0.08
265
320
365
290
340
400
%/°C
V
符号
V
(BO)
265
320
365
290
340
400
V
典型值
最大
单位
V
(+65°C)
TSPD电压电流特性
(双向设备)
+电流
符号
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关国阻断电压
击穿电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
+电压
V
D1
V
D2
V
( BR )
I
H
I
D1
I
D2
I
(BO)
V
TM
V
(BO)
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3
MMT10B230T3 , MMT10B260T3 , MMT10B310T3
100
μ
我D1 ,关态电流(A )
V
D1
= 50V
340
V BR ,击穿电压(伏)
320
300
280
260
240
220
200
180
160
50
25
0
25
50
温度(℃)
75
100
125
MMT10B230T3
MMT10B260T3
MMT10B310T3
10
1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
120
140
图1.断态电流与温度
图2.击穿电压与温度
360
V BO ,击穿电压(伏)
I H ,保持电流(毫安)
75
100
125
340
320
300
280
260
240
220
200
180
50
25
0
25
50
温度(℃)
MMT10B230T3
MMT10B260T3
MMT10B310T3
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
50
25
0
25
50
温度(℃)
75
100
125
图3.击穿电压与温度
图4.保持电流与温度
100
IPP - 峰值脉冲电流 - %伊普
100
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
f
=衰减时间价值的一半
电流(A )
10
50
半值
0
0 t
r
t
f
时间(ms)
1
0.01
0.1
1
时间(秒)
10
100
图5.指数衰减脉冲波形
图6.峰值浪涌通态电流与
浪涌电流持续时间,正弦波形
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4
MMT10B230T3 , MMT10B260T3 , MMT10B310T3
TIP
植物
GND
电信
设备
PPTC *
TIP
植物
GND
电信
设备
PPTC *
*聚合物PTC(正温度系数)的过电流保护装置
热卷板
TIP
植物
GND
电信
设备
热卷板
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMT10B260T3G
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
MMT10B260T3G
ON
2019
17500
DO-214AA(SMB)
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MMT10B260T3G
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DO-214AA
优势现货,只做原装正品
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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MMT10B260T3G
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2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MMT10B260T3G
onsemi
24+
31523
SMB
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
MMT10B260T3G
ONSemiconductor
2025+
7695
SMBDO-214AA
全新原装、公司现货热卖
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电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
MMT10B260T3G
ON Semiconductor
2023+PB
99000
SMB(DO-214AA)
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
MMT10B260T3G
ON
24+
21000
SMBDO-214AA
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MMT10B260T3G
ON
16+
92500
DO214AA
只售原装可开17点增值税
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MMT10B260T3G
ON
2024
26000
DO-214AA
原装现货上海库存,欢迎查询
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