MMT08B350T3
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向TSPD
这些晶闸管浪涌保护器件（ TSPD ）预防
雷击，感应到敏感电路过电压的损害和
电力线交叉。他们是导通，触发撬棍
保护者。关断时出现浪涌电流降至低于
保持电流值。
二级保护应用电子电信设备
在客户端。
特点
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双向TSPD （ ）
80 AMP浪涌， 350伏
高浪涌电流能力： 80安培10 ×1000
毫秒，
为
控制温度环境
该MMT08B350T3是用来帮助设备满足各种
监管要求包括：符合Bellcore 1089 ， ITU K.20 & K.21 ，
IEC 950 ， UL 1459 & 1950年和FCC第68部分。
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体耗损机制现状
器件
故障保护，短裤当压力过大，防止续
未受保护的行动
表面贴装技术（ SMT ）
表示UL认证 - 文件号E210057
无铅包装是否可用
MT1
MT2
SMB
（无极）
（实际上JEDEC DO- 214AA ）
案例403C
标记图
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
断态电压 - 最大
最大脉冲浪涌短路电流
非重复性
双指数衰减波形
（ -25°C初始温度） （注1及2 ）
2 x 10
毫秒
8 x 20
毫秒
10 x 160
毫秒
10 x 360
毫秒
10 x 560
毫秒
10 x 700
毫秒
10 x 1000
MSE
非重复性峰值通态电流60赫兹
全正弦波
变化最大非重复率
通态电流指数波形，
< 100 A
符号
V
DM
价值
300
单位
V
A（ PK）
AYWW
RPCM
G
G
I
PPS1
I
PPS2
I
PPS3
I
PPS4
I
PPS5
I
PPS6
I
PPS7
I
TSM
的di / dt
±250
±250
±150
±150
±100
±100
±80
32
"300
A（ PK）
A / MS
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
RPCM =器件代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMT08B350T3
MMT08B350T3G
包
SMB
航运
2500 /磁带和卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
SMB
2500 /磁带和卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第1版
出版订单号：
MMT08B350T3/D
MMT08B350T3
热特性
特征
工作温度范围阻塞或导通状态
过载结温 - 最大导通状态，只有
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
T
J1
T
J2
T
L
最大
-40+ 125
+ 175
260
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）设备是双向的。所有电气参数适用于
正向和反向极性。
特征
击穿电压（两极）
（ dv / dt的= 100 V / ms的，我
SC
= 1.0 A，伏= 1000 V）
(+65°C)
击穿电压（两极）
（ F = 60Hz时，我
SC
= 1.0 A（ RMS） ，V
OC
= 1000 V （有效值） ，
R
I
= 1.0千瓦， t为0.5周）（注3）
(+65°C)
击穿电压温度系数
击穿电压（I
（ BR ）
= 1.0 mA）的两极
关态电流（ V
D1
= 50伏）这两种极性
关态电流
(V
D2
= V
DM
）两极
通态电压（I
T
= 1.0 A)
（ PW
≤
300
女士，
占空比
≤
2％） （注3）
导通电流（ F = 60赫兹，V
DM
= 1000 V （有效值） ，R
S
= 1.0千瓦）
两极
保持电流（两极） （注3 ）
V
S
= 500 V ;我
T
（启动电流） =
"1.0
A（ + 65 ° C）
断态电压临界上升率
（线性波形，V
D
=额定V
BR
, T
J
= 25°C)
电容（ F = 1.0 MHz时， 50伏， 1.0伏均方根信号）
电容
（ F = 1.0 MHz时， 2.0伏， 1.0伏均方根信号）
脉冲条件下测得的3 ，减少发热。
符号
V
（BO）
V
（BO）
dV
（BO）
/ DT
J
V
（ BR ）
I
D1
I
D2
V
T
I
BO
I
H
dv / dt的
C
O
150
130
2000
0.12
350
1.7
475
270
20
42
400
412
2.0
5.0
3.0
25
45
V /°C的
V
mA
V
mA
mA
V / ms的
pF
400
412
V
民
典型值
最大
单位
V
TSPD电压电流特性
（双向设备）
+电流
符号
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关国阻断电压
击穿电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
+电压
V
D1
V
D2
V
（ BR ）
I
H
I
D1
I
D2
I
（BO）
V
TM
V
（BO）
http://onsemi.com
2
MMT08B350T3
包装尺寸
SMB
CASE 403C -01
发出
S
A
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
英寸
DIM MIN
最大
A
0.160
0.180
B
0.130
0.150
C
0.075
0.095
D
0.077
0.083
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.205
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
3.30
3.81
1.90
2.41
1.96
2.11
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
5.21
5.59
D
B
C
K
P
J
H
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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