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MMT08B064T3
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向TSPD
这些晶闸管浪涌保护器件( TSPD )预防
雷击,感应到敏感电路过电压的损害和
电力线交叉。他们是导通,触发撬棍
保护者。关断时出现浪涌电流降至低于
保持电流值。
二级保护应用电子电信设备
在客户端。
高浪涌电流能力: 80 10× 1000
毫秒,
对于受控
高温环境
该MMT08B064T3是用来帮助设备满足各种
监管要求包括:符合Bellcore 1089 , ITU K.20 & K.21 ,
IEC 950 , UL 1459 & 1950年和FCC第68部分。
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体耗损机制现状
器件
故障保护,短裤当压力过大,防止续
未受保护的行动
表面贴装技术( SMT )
表示UL认证 - 文件号E210057
器件标识: MMT08B064T3 : RPCC
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
断态电压 - 最大
最大脉冲浪涌短路电流
非重复性
双指数衰减波形
( -25°C初始温度) (注1及2 )
2 x 10
毫秒
8 x 20
毫秒
10 x 160
毫秒
10 x 360
毫秒
10 x 560
毫秒
10 x 700
毫秒
10 x 1000
毫秒
非重复性峰值通态电流
60 Hz的完整正弦波
变化最大非重复性率
通态电流
指数波形, <100一个
符号
V
DM
价值
58
单位
V
A( PK)
RPCC
Y
WW
=具体设备守则
=年
=工作周
YWW
RPCC
http://onsemi.com
双向TSPD (
80 AMP SURGE
64伏
)
MT1
MT2
SMB
(无极)
(实际上JEDEC DO- 214AA )
案例403C
标记图
I
PPS1
I
PPS2
I
PPS3
I
PPS4
I
PPS5
I
PPS6
I
PPS7
I
TSM
的di / dt
±250
±250
±150
±150
±100
±100
±80
32
"150
A( PK)
订购信息
设备
MMT08B064T3
MMT08B064T3G
A / MS
SMB
航运
2500 /磁带和卷轴
(12 mm)
SMB
2500 /磁带和卷轴
(无铅)
(12 mm)
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 修订版0
出版订单号:
MMT08B064T3/D
MMT08B064T3
热特性
特征
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温 - 最大导通状态,只有
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
T
J1
T
J2
T
L
最大
-40+ 125
+ 175
260
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
器件是双向的。所有电气参数适用于正向和反向极性。
特征
击穿电压(两极)
( dv / dt的= 100 V / ms的,我
SC
= 1.0 A,伏= 1000 V)
(+65°C)
击穿电压(两极)
( F = 60Hz时,我
SC
= 1.0 A( RMS) ,V
OC
= 1000 V (有效值) ,
R
I
= 1.0千瓦, t为0.5周)(注3)
(+65°C)
击穿电压温度系数
击穿电压(I
( BR )
= 1.0 mA)的两极
关态电流( V
D1
= 50伏)这两种极性
关态电流
(V
D2
= V
DM
)两极
通态电压(I
T
= 1.0 A)
( PW
300
女士,
占空比
2%) (注3)
导通电流( F = 60赫兹,V
DM
= 1000 V (有效值) ,R
S
= 1.0千瓦)
两极
保持电流(两极)
V
S
= 500 V ;我
T
(启动电流) =
"1.0
A
断态电压临界上升率
(线性波形,V
D
=额定V
BR
, T
J
= 25°C)
电容( F = 1.0 MHz时, 50伏, 1.0伏均方根信号)
电容
( F = 1.0 MHz时, 2.0伏, 1.0伏均方根信号)
脉冲条件下测得的3 ,减少发热。
(注3)
(+65°C)
符号
V
(BO)
V
(BO)
dV
(BO)
/ DT
J
V
( BR )
I
D1
I
D2
V
T
I
BO
I
H
dv / dt的
C
O
58
150
130
2000
0.054
91
67
130
77
80
2.0
5.0
3.0
V /°C的
V
mA
V
mA
mA
V / ms的
pF
77
80
V
典型值
最大
单位
V
http://onsemi.com
2
MMT08B064T3
TSPD电压电流特性
(双向设备)
符号
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关国阻断电压
击穿电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
V
D1
V
D2
V
( BR )
I
H
I
D1
I
D2
I
(BO)
+电压
V
TM
V
(BO)
+电流
10
V
D1
= 50 V
1
V
BR
,击穿电压(V )
0
20
40 60 80
温度(℃)
100 120 140
I
D1
,断态电流(mA)
80
78
76
74
72
70
68
66
60 40 20
0
20 40 60 80
温度(℃)
100 120 140
0.1
0.01
0.001
60 40 20
图1.典型的断态电流与
温度
图2.典型击穿电压与
温度
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3
MMT08B064T3
86
V
BO
,击穿电压(V )
I
H
,保持电流(毫安)
0
20 40
60
80
温度(℃)
100 120 140
84
82
80
78
76
74
60 40 20
700
600
500
400
300
200
100
40 20
0
20
40
60
80
温度(℃)
100
120
图3.最大击穿电压与
温度
250
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
f
=衰减时间价值的一半
电流(A )
230
210
190
170
150
130
110
90
70
0
0 t
r
t
f
时间(ms)
50
10
图4.典型的保持电流与
温度
I
PP
- 峰值脉冲电流 - %I
PP
100
50
半值
100
时间(s)
1000
100000
图5.指数衰减脉冲波形
图6.峰值浪涌通态电流与
浪涌电流持续时间,正弦波形
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4
MMT08B064T3
TIP
植物
GND
电信
设备
PPTC *
TIP
植物
GND
电信
设备
PPTC *
*聚合物PTC(正温度系数)的过电流保护装置
热卷板
TIP
植物
GND
电信
设备
热卷板
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5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMT08B064T3
    -
    -
    -
    -
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MMT08B064T3
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ON Semiconductor
2023+PB
45000
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★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
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联系人:刘经理
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MMT08B064T3
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MMT08B064T3
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