MMT05B230T3,
MMT05B260T3,
MMT05B310T3
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向TSPD
http://onsemi.com
这些晶闸管浪涌保护器件（ TSPD ）预防
雷击，感应到敏感电路过电压的损害和
电力线交叉。他们是导通，触发撬棍
保护者。关断时出现浪涌电流降至低于
保持电流值。
二级保护应用电子电信设备
在客户端。
高浪涌电流能力： 50安培10 ×1000
微秒，
为
控制温度环境
该MMT05B230T3系列是用来帮助设备满足各种
监管要求包括：符合Bellcore 1089 ， ITU K.20 & K.21 ，
IEC 950 ， UL 1459 & 1950年和FCC第68部分。
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体耗损机制现状
器件
故障保护，短裤当压力过大，防止续
未受保护的行动
表面贴装技术（ SMT ）
表示UL注册 - 文件号E210057
器件标识： MMT05B230T3 ： RPBF ; MMT05B260T3 ： RPBG ;
MMT05B310T3 ： RPBJ和日期代码
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
断态电压 - 最大
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
最大脉冲浪涌短路
当前非重复性
双指数衰减波形
（注1和2 ）
（ -25°C初始温度）
8 x 20
微秒
10 x 160
微秒
10 x 560
微秒
10 x 1000
微秒
最大非重复率
变化的通态电流
双指数波形，
R = 1.0时， L = 1.5
H,
C = 1.67
F,
I
pk
= 110A
符号
V
DM
价值
"170
"200
"270
A（ PK）
单位
伏
双向TSPD （
50 AMP SURGE
265通365伏
MT1
MT2
)
SMB
（无极）
（实际上JEDEC DO- 214AA ）
案例403C
标记DIAGRAMS
YWW
RPBx
RPBx
x
Y
WW
=具体设备守则
= F ，G或按J
=年
=工作周
订购信息
设备
MMT05B230T3
包
SMB
航运
12毫米磁带和卷轴
(2.5K/Reel)
12毫米磁带和卷轴
(2.5K/Reel)
12毫米磁带和卷轴
(2.5K/Reel)
I
PPS1
I
PPS2
I
PPS3
I
PPS4
的di / dt
"150
"100
"70
"50
"150
A / μs的
MMT05B260T3
SMB
MMT05B310T3
SMB
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 启示录7
出版订单号：
MMT05B230T3/D
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
热特性
特征
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温 - 最大导通状态，只有
瞬时峰值功率耗散（我
pk
= 50 A， 10x1000
微秒
@ 25°C)
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
T
J1
T
J2
P
PK
T
L
最大
-40+ 125
+ 175
2000
260
单位
°C
°C
W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
器件是双向的。所有电气参数适用于正向和反向极性。
特征
击穿电压（两极）
（ dv / dt的= 100 V / μs的，我
SC
= 1.0 A，伏= 1000 V）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
击穿电压（两极）
（ F = 60Hz时，我
SC
= 1.0 A（ RMS） ，V
OC
= 1000 V （有效值） ，
R
I
= 1.0 kΩ的， T = 0.5周） （注3 ）
(+65°C)
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
击穿电压温度系数
击穿电压（I
（ BR ）
= 1.0 mA）的两极
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
关态电流（ V
D1
= 50伏）这两种极性
关态电流
(V
D2
= V
DM
）两极
通态电压（I
T
= 1.0 A)
（ PW
≤
300
s,
占空比
≤
2 ％ ） （注3 ）
导通电流（ F = 60赫兹，V
DM
= 1000 V （有效值） ，R
S
= 1.0 k)
两极
保持电流（两极）
V
S
= 500伏;我
T
（启动电流） =
"1.0
AMP
断态电压临界上升率
（线性波形，V
D
=额定V
BR
, T
J
= 25°C)
电容（ F = 1.0 MHz时， 50伏， 1.0伏均方根信号）
电容
（ F = 1.0 MHz时， 2.0伏， 15毫伏均方根信号）
脉冲条件下测得的3 ，减少发热。
（注3 ）
I
D1
I
D2
V
T
I
BO
I
H
dv / dt的
C
O
dV
（BO）
/ DT
J
V
（ BR ）
150
2000
190
240
280
1.53
230
340
22
53
2.0
5.0
3.0
75
A
伏
mA
mA
V / μs的
pF
0.08
280
340
400
%/°C
伏
V
（BO）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
265
320
365
符号
V
（BO）
265
320
365
280
340
400
伏
民
典型值
最大
单位
伏
(+65°C)
http://onsemi.com
2
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
TSPD电压电流特性
（双向设备）
+电流
符号
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关国阻断电压
击穿电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
+电压
V
D1
V
D2
V
（ BR ）
I
H
I
D1
I
D2
I
（BO）
V
TM
V
（BO）
100
我D1 ，关态电流（
A)
V
D1
= 50V
340
V BR ，击穿电压（伏）
320
300
280
260
240
220
200
180
160
50
25
0
25
50
温度（℃）
75
100
125
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
10
1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
120
140
图1.断态电流与温度
图2.击穿电压与温度
http://onsemi.com
3
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
380
V BO ，击穿电压（伏）
360
I H ，保持电流（毫安）
75
100
125
340
320
300
280
260
240
220
200
50
25
0
25
50
温度（℃）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
50
25
0
25
50
温度（℃）
75
100
125
图3.击穿电压与温度
图4.保持电流与温度
100
IPP - 峰值脉冲电流 - ％伊普
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
f
=衰减时间价值的一半
100
电流（A ）
10
50
半值
0
0 t
r
t
f
时间（ms）
1
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
图5.指数衰减脉冲波形
图6.峰值浪涌通态电流与
浪涌电流持续时间，正弦波形
http://onsemi.com
4
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
PPTC *
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
PPTC *
*聚合物PTC（正温度系数）的过电流保护装置
热卷板
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
热卷板
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5
MMT05B230T3,
MMT05B260T3,
MMT05B310T3
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向TSPD
http://onsemi.com
这些晶闸管浪涌保护器件（ TSPD ）预防
雷击，感应到敏感电路过电压的损害和
电力线交叉。他们是导通，触发撬棍
保护者。关断时出现浪涌电流降至低于
保持电流值。
二级保护应用电子电信设备
在客户端。
高浪涌电流能力： 50安培10 ×1000
微秒，
为
控制温度环境
该MMT05B230T3系列是用来帮助设备满足各种
监管要求包括：符合Bellcore 1089 ， ITU K.20 & K.21 ，
IEC 950 ， UL 1459 & 1950年和FCC第68部分。
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体耗损机制现状
器件
故障保护，短裤当压力过大，防止续
未受保护的行动
表面贴装技术（ SMT ）
表示UL注册 - 文件号E210057
器件标识： MMT05B230T3 ： RPBF ; MMT05B260T3 ： RPBG ;
MMT05B310T3 ： RPBJ和日期代码
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
断态电压 - 最大
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
最大脉冲浪涌短路
当前非重复性
双指数衰减波形
（注1和2 ）
（ -25°C初始温度）
8 x 20
微秒
10 x 160
微秒
10 x 560
微秒
10 x 1000
微秒
最大非重复率
变化的通态电流
双指数波形，
R = 1.0时， L = 1.5
H,
C = 1.67
F,
I
pk
= 110A
符号
V
DM
价值
"170
"200
"270
A（ PK）
单位
伏
双向TSPD （
50 AMP SURGE
265通365伏
MT1
MT2
)
SMB
（无极）
（实际上JEDEC DO- 214AA ）
案例403C
标记DIAGRAMS
YWW
RPBx
RPBx
x
Y
WW
=具体设备守则
= F ，G或按J
=年
=工作周
订购信息
设备
MMT05B230T3
包
SMB
航运
12毫米磁带和卷轴
(2.5K/Reel)
12毫米磁带和卷轴
(2.5K/Reel)
12毫米磁带和卷轴
(2.5K/Reel)
I
PPS1
I
PPS2
I
PPS3
I
PPS4
的di / dt
"150
"100
"70
"50
"150
A / μs的
MMT05B260T3
SMB
MMT05B310T3
SMB
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 启示录7
出版订单号：
MMT05B230T3/D
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
热特性
特征
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温 - 最大导通状态，只有
瞬时峰值功率耗散（我
pk
= 50 A， 10x1000
微秒
@ 25°C)
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
T
J1
T
J2
P
PK
T
L
最大
-40+ 125
+ 175
2000
260
单位
°C
°C
W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
器件是双向的。所有电气参数适用于正向和反向极性。
特征
击穿电压（两极）
（ dv / dt的= 100 V / μs的，我
SC
= 1.0 A，伏= 1000 V）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
击穿电压（两极）
（ F = 60Hz时，我
SC
= 1.0 A（ RMS） ，V
OC
= 1000 V （有效值） ，
R
I
= 1.0 kΩ的， T = 0.5周） （注3 ）
(+65°C)
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
击穿电压温度系数
击穿电压（I
（ BR ）
= 1.0 mA）的两极
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
关态电流（ V
D1
= 50伏）这两种极性
关态电流
(V
D2
= V
DM
）两极
通态电压（I
T
= 1.0 A)
（ PW
≤
300
s,
占空比
≤
2 ％ ） （注3 ）
导通电流（ F = 60赫兹，V
DM
= 1000 V （有效值） ，R
S
= 1.0 k)
两极
保持电流（两极）
V
S
= 500伏;我
T
（启动电流） =
"1.0
AMP
断态电压临界上升率
（线性波形，V
D
=额定V
BR
, T
J
= 25°C)
电容（ F = 1.0 MHz时， 50伏， 1.0伏均方根信号）
电容
（ F = 1.0 MHz时， 2.0伏， 15毫伏均方根信号）
脉冲条件下测得的3 ，减少发热。
（注3 ）
I
D1
I
D2
V
T
I
BO
I
H
dv / dt的
C
O
dV
（BO）
/ DT
J
V
（ BR ）
150
2000
190
240
280
1.53
230
340
22
53
2.0
5.0
3.0
75
A
伏
mA
mA
V / μs的
pF
0.08
280
340
400
%/°C
伏
V
（BO）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
265
320
365
符号
V
（BO）
265
320
365
280
340
400
伏
民
典型值
最大
单位
伏
(+65°C)
http://onsemi.com
2
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
TSPD电压电流特性
（双向设备）
+电流
符号
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关国阻断电压
击穿电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
+电压
V
D1
V
D2
V
（ BR ）
I
H
I
D1
I
D2
I
（BO）
V
TM
V
（BO）
100
我D1 ，关态电流（
A)
V
D1
= 50V
340
V BR ，击穿电压（伏）
320
300
280
260
240
220
200
180
160
50
25
0
25
50
温度（℃）
75
100
125
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
10
1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
120
140
图1.断态电流与温度
图2.击穿电压与温度
http://onsemi.com
3
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
380
V BO ，击穿电压（伏）
360
I H ，保持电流（毫安）
75
100
125
340
320
300
280
260
240
220
200
50
25
0
25
50
温度（℃）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
50
25
0
25
50
温度（℃）
75
100
125
图3.击穿电压与温度
图4.保持电流与温度
100
IPP - 峰值脉冲电流 - ％伊普
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
f
=衰减时间价值的一半
100
电流（A ）
10
50
半值
0
0 t
r
t
f
时间（ms）
1
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
图5.指数衰减脉冲波形
图6.峰值浪涌通态电流与
浪涌电流持续时间，正弦波形
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4
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
PPTC *
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
PPTC *
*聚合物PTC（正温度系数）的过电流保护装置
热卷板
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
热卷板
http://onsemi.com
5
MMT05B230T3,
MMT05B260T3,
MMT05B310T3
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向TSPD
http://onsemi.com
这些晶闸管浪涌保护器件（ TSPD ）预防
雷击，感应到敏感电路过电压的损害和
电力线交叉。他们是导通，触发撬棍
保护者。关断时出现浪涌电流降至低于
保持电流值。
二级保护应用电子电信设备
在客户端。
特点
双向TSPD （
50安培浪涌
265通365伏
)
MT1
MT2
高浪涌电流能力： 50 10× 1000
毫秒，
对于受控
高温环境
该MMT05B230T3系列是用来帮助设备满足各种
监管要求包括：符合Bellcore 1089 ， ITU K.20 & K.21 ，
IEC 950 ， UL 1459 & 1950年和FCC Part 68
双向保护单一设备
电压限制变化不大的瞬态幅度或速度
免于在非半导体耗损机制现状
器件
故障保护，短裤当压力过大，防止续
未受保护的行动
表面贴装技术（ SMT ）
表示UL注册 - 文件号E210057
无铅包可用
SMB
（无极）
（实际上JEDEC DO- 214AA ）
案例403C
标记DIAGRAMS
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
断态电压 - 最大
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
最大脉冲浪涌短路电流
非重复性双指数衰减
波形（注1及2 ）
（ -25°C初始温度）
8 x 20
毫秒
10 x 160
毫秒
10 x 560
毫秒
10 x 1000
毫秒
变化最大非重复率
通态电流双指数波形，
R = 1.0时， L = 1.5
mH的，
C = 1.67
MF，
I
pk
= 110A
符号
V
DM
价值
"170
"200
"270
单位
V
AYWW
RPBx
G
G
A（ PK）
I
PPS1
I
PPS2
I
PPS3
I
PPS4
的di / dt
"150
"100
"70
"50
"150
A / MS
RPBx =器件代码
X = G或按J
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.允许测试第二极性之前冷却。
脉冲条件下测量2.减少发热。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 修订版9
出版订单号：
MMT05B230T3/D
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
热特性
特征
工作温度范围阻塞或导通状态
过载结温 - 最大导通状态，只有
瞬时峰值功率耗散（我
pk
= 50 A， 10x1000
毫秒
@ 25°C)
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
T
J1
T
J2
P
PK
T
L
最大
-40+ 125
+ 175
2000
260
单位
°C
°C
W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）设备是双向的。所有电气参数适用于
正向和反向极性。
特征
击穿电压（两极）
（ dv / dt的= 100 V / ms的，我
SC
= 1.0 A，伏= 1000 V）
(+65°C)
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
击穿电压（两极）
（ F = 60Hz时，我
SC
= 1.0 A（ RMS） ，V
OC
= 1000 V （有效值） ，
R
I
= 1.0千瓦， t为0.5周）（注3）
(+65°C)
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
击穿电压温度系数
击穿电压（I
（ BR ）
= 1.0 mA）的两极
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
关态电流（ V
D1
= 50伏）这两种极性
关态电流
(V
D2
= V
DM
）两极
通态电压（I
T
= 1.0 A)
（ PW
≤
300
女士，
占空比
≤
2％） （注3）
导通电流（ F = 60赫兹，V
DM
= 1000 V （有效值） ，R
S
= 1.0千瓦） - 两极
保持电流（两极） （注3 ）
V
S
= 500 V ;我
T
（启动电流） =
"1.0
A
断态电压临界上升率
（线性波形，V
D
=额定V
BR
, T
J
= 25°C)
电容（ F = 1.0 MHz时， 50伏， 1.0伏均方根信号）
电容
（ F = 1.0 MHz时， 2.0伏， 15毫伏均方根信号）
脉冲条件下测得的3 ，减少发热。
I
D1
I
D2
V
T
I
BO
I
H
dv / dt的
C
O
dV
（BO）
/ DT
J
V
（ BR ）
150
2000
190
240
280
1.53
230
340
22
53
2.0
5.0
3.0
75
mA
V
mA
mA
V / ms的
pF
0.08
280
340
400
%/°C
V
V
（BO）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
265
320
365
280
340
400
V
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
符号
V
（BO）
265
320
365
民
典型值
最大
单位
V
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2
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
TSPD电压电流特性
（双向设备）
+电流
符号
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关国阻断电压
击穿电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
+电压
V
D1
V
D2
V
（ BR ）
I
H
I
D1
I
D2
I
（BO）
V
TM
V
（BO）
100
μ
我D1 ，关态电流（A ）
V
D1
= 50V
340
V BR ，击穿电压（伏）
320
300
280
260
240
220
200
180
160
50
25
0
25
50
温度（℃）
75
100
125
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
10
1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
120
140
图1.断态电流与温度
图2.击穿电压与温度
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3
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
380
V BO ，击穿电压（伏）
360
I H ，保持电流（毫安）
75
100
125
340
320
300
280
260
240
220
200
50
25
0
25
50
温度（℃）
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
50
25
0
50
25
温度（℃）
75
100
125
图3.击穿电压与温度
图4.保持电流与温度
100
IPP - 峰值脉冲电流 - ％伊普
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
f
=衰减时间价值的一半
100
电流（A ）
10
50
半值
0
0 t
r
t
f
时间（ms）
1
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
图5.指数衰减脉冲波形
图6.峰值浪涌通态电流与
浪涌电流持续时间，正弦波形
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
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4
MMT05B230T3 ， MMT05B260T3 ， MMT05B310T3
PPTC *
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
PPTC *
*聚合物PTC（正温度系数）的过电流保护装置
热卷板
TIP
外
植物
GND
电信
设备
环
热卷板
订购信息
设备
MMT05B230T3
MMT05B230T3G
MMT05B260T3
MMT05B260T3G
MMT05B310T3
MMT05B310T3G
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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