MMSZ2V4T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
热阻，结到铅
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
1
标记图
XX M
G
G
XX =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
订购信息
设备
MMSZxxxT1
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
MMSZxxxT3
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
Juanuary ， 2006年 - 9牧师
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
X2
X3
X4
X5
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
W
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
W
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
（注5 ）
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
设备
MMSZ2V4T1
MMSZ2V7T1
MMSZ3V0T1*
MMSZ3V3T1
MMSZ3V6T1
MMSZ3V9T1
MMSZ4V3T1
MMSZ4V7T1
MMSZ5V1T1
MMSZ5V6T1*
MMSZ6V2T1*
MMSZ6V8T1
MMSZ7V5T1
MMSZ8V2T1
MMSZ9V1T1
MMSZ10T1
MMSZ11T1
MMSZ12T1
MMSZ13T1
MMSZ15T1
MMSZ16T1
MMSZ18T1
MMSZ20T1
MMSZ22T1
MMSZ24T1
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注8）
V
Z2
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注8）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备
MMSZ27T1
MMSZ30T1*
MMSZ33T1
MMSZ36T1*
MMSZ39T1*
MMSZ43T1*
MMSZ47T1
MMSZ51T1*
MMSZ56T1
设备
记号
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Z1
Z2
Z3
Z4
6中所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
7.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
8. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
4
MMSZ2V4T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
1000
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
IF ，正向电流（mA ）
100
20毫安
10
10
150°C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75°C
0.6
25°C
0.7
0°C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
5
MMSZ2V4T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热电阻 -
结到环境（注2 ）
热电阻 -
结到铅（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
xx
M
标记图
订购信息
设备
MMSZxxxT1
MMSZxxxT3*
包
SOD123
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
单个设备列出了数据表第3页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
W
100
100
95
95
90
90
90
80
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
W
600
600
600
600
600
600
600
500
Z
ZT2
（注5 ）
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
设备
MMSZ2V4T1
MMSZ2V7T1
MMSZ3V0T1 ， G *
MMSZ3V3T1 ，G
MMSZ3V6T1
MMSZ3V9T1 ，G
MMSZ4V3T1
MMSZ4V7T1
MMSZ5V1T1
MMSZ5V6T1*
MMSZ6V2T1*
MMSZ6V8T1
MMSZ7V5T1
MMSZ8V2T1
MMSZ9V1T1
MMSZ10T1
MMSZ11T1
MMSZ12T1
MMSZ13T1
MMSZ15T1
MMSZ16T1
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
MMSZ18T1
MMSZ20T1 ，G
MMSZ22T1
MMSZ24T1
MMSZ27T1
MMSZ30T1
MMSZ33T1
MMSZ36T1
X2
X3
X4
X5
Y1
Y2
Y3
Y4
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
18
20
22
24
27
30
33
36
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45
55
55
70
80
80
80
90
16.7
18.7
20.7
22.7
25
27.8
30.8
33.8
19.0
21.1
23.2
25.5
28.9
32
35
38
225
225
250
250
300
300
325
350
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
MMSZ39T1
MMSZ43T1 ，G
MMSZ51T1
MMSZ56T1
Y5
Z1
Z3
Z4
37.05
40.85
48.45
53.20
39
43
51
56
40.95
45.15
53.55
58.80
130
150
180
200
36.7
39.7
47.6
51.5
41
46
54
60
350
375
400
425
0.05
0.05
0.05
0.05
27.3
30.1
35.7
39.2
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
的“G”后缀表示无铅封装。
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3
MMSZ2V4T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
1000
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
ZT ，动态阻抗（
)
IF ，正向电流（mA ）
100
20毫安
10
10
150°C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75°C
0.6
25°C
0.7
0°C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZ2V4T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
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500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热电阻 -
结到环境（注2 ）
热电阻 -
结到铅（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
xx
M
标记图
订购信息
设备
MMSZxxxT1
MMSZxxxT3*
包
SOD123
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
单个设备列出了数据表第3页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
W
100
100
95
95
90
90
90
80
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
W
600
600
600
600
600
600
600
500
Z
ZT2
（注5 ）
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
设备
MMSZ2V4T1
MMSZ2V7T1
MMSZ3V0T1 ， G *
MMSZ3V3T1 ，G
MMSZ3V6T1
MMSZ3V9T1 ，G
MMSZ4V3T1
MMSZ4V7T1
MMSZ5V1T1
MMSZ5V6T1*
MMSZ6V2T1*
MMSZ6V8T1
MMSZ7V5T1
MMSZ8V2T1
MMSZ9V1T1
MMSZ10T1
MMSZ11T1
MMSZ12T1
MMSZ13T1
MMSZ15T1
MMSZ16T1
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
MMSZ18T1
MMSZ20T1 ，G
MMSZ22T1
MMSZ24T1
MMSZ27T1
MMSZ30T1
MMSZ33T1
MMSZ36T1
X2
X3
X4
X5
Y1
Y2
Y3
Y4
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
18
20
22
24
27
30
33
36
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45
55
55
70
80
80
80
90
16.7
18.7
20.7
22.7
25
27.8
30.8
33.8
19.0
21.1
23.2
25.5
28.9
32
35
38
225
225
250
250
300
300
325
350
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
MMSZ39T1
MMSZ43T1 ，G
MMSZ51T1
MMSZ56T1
Y5
Z1
Z3
Z4
37.05
40.85
48.45
53.20
39
43
51
56
40.95
45.15
53.55
58.80
130
150
180
200
36.7
39.7
47.6
51.5
41
46
54
60
350
375
400
425
0.05
0.05
0.05
0.05
27.3
30.1
35.7
39.2
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
的“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
1000
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
ZT ，动态阻抗（
)
IF ，正向电流（mA ）
100
20毫安
10
10
150°C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75°C
0.6
25°C
0.7
0°C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
