添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2527页 > MMSZ6V8T1
MMSZ2V4T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热电阻 -
结到环境（注2 ）
热电阻 -
结到铅（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
xx
M
标记图
订购信息
设备
MMSZxxxT1
MMSZxxxT3*
包
SOD123
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
单个设备列出了数据表第3页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
W
100
100
95
95
90
90
90
80
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
W
600
600
600
600
600
600
600
500
Z
ZT2
（注5 ）
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
设备
MMSZ2V4T1
MMSZ2V7T1
MMSZ3V0T1 ， G *
MMSZ3V3T1 ，G
MMSZ3V6T1
MMSZ3V9T1 ，G
MMSZ4V3T1
MMSZ4V7T1
MMSZ5V1T1
MMSZ5V6T1*
MMSZ6V2T1*
MMSZ6V8T1
MMSZ7V5T1
MMSZ8V2T1
MMSZ9V1T1
MMSZ10T1
MMSZ11T1
MMSZ12T1
MMSZ13T1
MMSZ15T1
MMSZ16T1
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
MMSZ18T1
MMSZ20T1 ，G
MMSZ22T1
MMSZ24T1
MMSZ27T1
MMSZ30T1
MMSZ33T1
MMSZ36T1
X2
X3
X4
X5
Y1
Y2
Y3
Y4
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
18
20
22
24
27
30
33
36
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45
55
55
70
80
80
80
90
16.7
18.7
20.7
22.7
25
27.8
30.8
33.8
19.0
21.1
23.2
25.5
28.9
32
35
38
225
225
250
250
300
300
325
350
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
MMSZ39T1
MMSZ43T1 ，G
MMSZ51T1
MMSZ56T1
Y5
Z1
Z3
Z4
37.05
40.85
48.45
53.20
39
43
51
56
40.95
45.15
53.55
58.80
130
150
180
200
36.7
39.7
47.6
51.5
41
46
54
60
350
375
400
425
0.05
0.05
0.05
0.05
27.3
30.1
35.7
39.2
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
的“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
1000
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
ZT ，动态阻抗（
)
IF ，正向电流（mA ）
100
20毫安
10
10
150°C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75°C
0.6
25°C
0.7
0°C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZ2V4T1系列
典型特征
1000
T
A
= 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
1000
I R ，漏电流（
A)
100
10
1
0.1
0.01
+ 25°C
55°C
+150°C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
1
10
100
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
V
Z
齐纳电压（V）
V
Z
齐纳电压（V）
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
http://onsemi.com
5
MMSZ2V4T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热电阻 -
结到环境（注2 ）
热电阻 -
结到铅（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
xx
M
标记图
订购信息
设备
MMSZxxxT1
MMSZxxxT3*
包
SOD123
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
单个设备列出了数据表第3页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
W
100
100
95
95
90
90
90
80
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
W
600
600
600
600
600
600
600
500
Z
ZT2
（注5 ）
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
设备
MMSZ2V4T1
MMSZ2V7T1
MMSZ3V0T1 ， G *
MMSZ3V3T1 ，G
MMSZ3V6T1
MMSZ3V9T1 ，G
MMSZ4V3T1
MMSZ4V7T1
MMSZ5V1T1
MMSZ5V6T1*
MMSZ6V2T1*
MMSZ6V8T1
MMSZ7V5T1
MMSZ8V2T1
MMSZ9V1T1
MMSZ10T1
MMSZ11T1
MMSZ12T1
MMSZ13T1
MMSZ15T1
MMSZ16T1
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
MMSZ18T1
MMSZ20T1 ，G
MMSZ22T1
MMSZ24T1
MMSZ27T1
MMSZ30T1
MMSZ33T1
MMSZ36T1
X2
X3
X4
X5
Y1
Y2
Y3
Y4
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
18
20
22
24
27
30
33
36
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
45
55
55
70
80
80
80
90
16.7
18.7
20.7
22.7
25
27.8
30.8
33.8
19.0
21.1
23.2
25.5
28.9
32
35
38
225
225
250
250
300
300
325
350
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
MMSZ39T1
MMSZ43T1 ，G
MMSZ51T1
MMSZ56T1
Y5
Z1
Z3
Z4
37.05
40.85
48.45
53.20
39
43
51
56
40.95
45.15
53.55
58.80
130
150
180
200
36.7
39.7
47.6
51.5
41
46
54
60
350
375
400
425
0.05
0.05
0.05
0.05
27.3
30.1
35.7
39.2
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
的“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
1000
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
ZT ，动态阻抗（
)
IF ，正向电流（mA ）
100
20毫安
10
10
150°C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75°C
0.6
25°C
0.7
0°C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZ2V4T1系列
典型特征
1000
T
A
= 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
1000
I R ，漏电流（
A)
100
10
1
0.1
0.01
+ 25°C
55°C
+150°C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
1
10
100
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
V
Z
齐纳电压（V）
V
Z
齐纳电压（V）
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
http://onsemi.com
5
AND8098/D
低成本百毫安
高电压降压和
降压 - 升压型应用NCP1052
Kahou黄：编制
安森美半导体
http://onsemi.com
应用说明
介绍
本应用笔记介绍了低成本高电压
采用NCP1052通过百毫安非隔离电源
降压和降压 - 升压拓扑结构。的NCP1052是一个
与最新的低成本开关控制器集成的700 V /
安森美半导体300毫安电源开关。这是
主要用于隔离的10 W-范围的反激式
转换器。如果不需要隔离，该IC还可以使用
作为步进式降压和降压 - 升压转换器
进一步的成本节约通过去除光耦和更换
该变压器由一个电感器。输出电流能力
为100毫安。可能的操作范围是从输入范围
20伏和5.0 V 700伏直流输出范围或间
以上用100毫安。大约65 ％的典型效率
在12 V降压演示板获得。
所提出的电路的优点包括：
相比于反激式，降压和降压 - 升压消除
光耦合器和由电感为替换变压器
节约成本。
降压和降压 - 升压提供更小的电压应力
切换比较反激式。它最大限度地减少了
开关损耗和增加效率。
NCP105x可以从高输入功率可达自身
电压为20伏和700伏之间广泛。
它不需要额外的电源电路。
NCP105x工作在44 ，100，或136千赫兹，并
适应低成本的组件，如铝
电解电容和供电，铁芯磁性。
NCP105x具有频率抖动功能，可降低
电磁推理（EMI）。
NCP105x提供的热和短路故障
保护。
简单的设计，因为没有控制环路补偿
关注。
建议的降压和降压 - 升压转换器非常
彼此相似。其主要区别是，降压
提供正输出电压，但降压 - 升压提供
一个负的输出电压指的是输入接地。
工作原理
图1示出了所提出的降压和降压 - 升压
转换器。整流电路，它由电容器的
C
3
和二极管D
3
是在对AC或DC输入前端
电压。然后， NCP1052是自供电向上从
整流后的输入电压可以直接与Ⅴ
CC
电容C
2
.
当IC内部的开关被打开，有一个电压
跨越漏极（ D）和集成电路的源极（S ）引脚。如果此电压
大于20V时，内部电流源I
开始
= 6.3毫安
（典型值）在IC内部收费全部由C
2
而在C中的电压
2
建
向上为IC的操作。相比较于切换
频率，在V
CC
电压电平是在一个较低的频率
7.5-8.5 V磁滞回线。这款V
CC
磁滞回线是用于
频率抖动功能，以最大限度地减少电磁干扰和
短路故障定时功能。
D
2
Z
2
FB
D
V
CC
C
2
（一）巴克
D
2
Z
2
FB
D
V
CC
C
3
C
2
（二）降压 - 升压
S
D
1
C
1
D
L
R
1
C
Z
1
产量
S
D
1
C
1
R
1
L
D
3
输入
C
3
D
C
Z
1
产量
D
3
输入
图1.提出的电路采用NCP1052
在图2a中应注意的是，在降压拓扑结构中，输入
通过跨越的路径电压上电的IC
电感器L和电容器C.该充电路径传递
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年6月 - 第1版
出版订单号：
AND8098/D
AND8098/D
通过输出和低频脉动会被发现
在输出电压。因此，将C的值
2
是需要的是
足够小，以提高该充电频率f
VCC
in
为了减小输出电压纹波，因为一些
效率因此低频纹波丢失。
D
2
Z
2
I
开始
D
3
FB
D
V
CC
C
2
（一）巴克
D
2
Z
2
I
开始
D
3
FB
D
V
CC
C
3
C
2
S
C
1
D
L
R
1
C
Z
1
产量
D
1
S
C
1
L
D
1
R
1
输入
C
3
D
C
Z
1
产量
输入
（二）降压 - 升压
图2.充电的C电流
2
在图2b中应注意的是，在降压 - 升压拓扑结构的
充电电流路径被阻塞二极管D ，因此
的C充电
2
不直接影响输出电压。
然而，它仍然会影响输出电压间接地与
稍微增加一些低频噪声对
电感器。因此，C的值小
2
也被通缉。
D
1
C
1
R
1
V
OUT
（一）巴克
D
1
C
1
二极管D的函数
1
，电容C
1
和电阻R
1
是
到输出电压的幅度传送到一个电压
C两端
1
使得IC可以调节输出电压。在
图3中，集成电路内的主开关被打开时和
二极管D被关闭。该IC的降压，潜在
参考地（针S ）成为几乎为0 V在此
的时刻。在降压 - 升压，该IC基准的潜力
地（针S ） -V成为
OUT
在这一刻。电压
在C
1
将被充电到输出电压。在另一
另一方面，当主开关被关闭，而二极管D被打开，
二极管D
1
是通过反向震级V的电压偏置
in
和V
in
+V
OUT
分别。因此，D
1
不影响
降压和降压 - 升压转换器的正常运行。
应该注意的是在C中的瞬时电压
1
可以
可能比输出电压更大尤其是当
输出电流或输出纹波过大。它直接影响
电路的负载调节由于IC调节
基于在C上的电压的输出电压
1
。为了解决
它，较大的L和R的值
1
可以帮助减慢
充电速度快的C
1
。它减少了最大瞬时
电压C语言
1
使输出电压在高输出电流
可以拉起和良好的调节制成。
的L值越大，可以帮助负载调节，但它
通常不希望的，因为它是笨重。因此，电阻R
1
is
推荐使用。的R值越大，
1
使得更高的输出
电压。因此，它被称为“上拉电阻”，并且它可以
帮助拉起输出电压略有下降。
在C上的电压
1
表示输出电压
反馈，通过反馈（ FB ）引脚的NCP1052中
二极管D
2
和齐纳二极管Z11
2
。当输出电压过
高，就会有一个大于50
mA
当前插入
进入NCP1052的反馈引脚。该NCP1052会
停止，当它发生切换。当输出电压不
足够高时，电流插入到反馈是
小于50
毫安。
的NCP1052使开关和
动力被传递到输出，直到输出电压是
太高了。
二极管D的目的
2
是保证当前是
插入到反馈引脚由于开关
NCP1052时也可以有一个停
greater-than-50
mA
目前沉从FB引脚。该
齐纳二极管Z11的目的
2
是设置输出电压
门槛。 NCP1052的FB引脚的状态
50
mA
采购电流约为4.3 V的电压降的
二极管D
2
是松散大约0.7V ，在50
毫安。
因此，输出
电压可以被松散地设置如下：
VOUT
+
齐纳
)
4.3 V
)
0.7 V
+
齐纳
)
5 V
（当量1）
R
1
V
OUT
（二）降压 - 升压
图3.输出电压情侣到C
1
与一位
充电电流
根据（ 1） ，可能的最小输出电压
该电路为5.0 V时，有没有齐纳二极管Z11
2
.
如果没有负载时，IC会自动最小化其
占空比为最小值，但输出电压是
因为没有被动仍然可能是非常高的
在电路元件试以吸收能量。其结果，
http://onsemi.com
2
AND8098/D
输出电压会上升显着，烧输出
电容也说不定。因此，齐纳二极管Z11
1
或最小
“虚拟”的负载电阻是需要消耗最小
如示于图1的能量的量还指出
当R
1
拉起的输出电压保持在给定的输出电流
状态时，输出电压在低输出电流
条件也拉升。因此，在夹紧的齐纳
二极管Z11
1
需要以与击穿电压为相同
作为输出电压，但它会降低一些效率的
在低输出电流条件。
设计考虑
拓扑
因为突发模式的控制，有效的最大
占空比越低，表示为70％左右。当降压
转换器是工作在连续传导模式（CCM） ，所述
输入电压V
in
和输出电压V
OUT
由相关
占空比D.
VOUT
+
D
t
0.7
VIN
（当量2）
在降压 - 升压型的关系
VOUT
+
D
t
0.7
+
2.33
1
*
0.7
VIN
1
*
D
（当量3）
Buck电路是下台的电压。降压 - 升压电路
是加强或向下的电压。输出电压为
反转。 NCP1052的最大占空比通常为77％。
拓扑差异表1总结使用NCP1052
巴克
输出电压
输出电流
< 0.7 V
in
< 300毫安
关于拓扑另一个方面是输出电流。该
最大输出电流总是比小
在非隔离拓扑结构最大开关电流。
然而，在隔离拓扑结构，如反激式的
最大输出电流可以增加一个变压器。
BUCK- BOOST
负& < 2.33 Vin的
<< 300毫安，输出电流
电感器的仅一部分
当前
t
700
*
VOUT V
t
700 V
连续
不错。电流通过
只有通过电感器
它只是为待机
改进或附加
产量
No
反激式
根据变压比
< 10 W.这取决于操作
条件和可听噪声水平
<< 700 V.这取决于
变压器变比
不连续
不错。电流通过
仅通过初级绕组
这是必须的主输出。
额外的辅助绕组即可
提高待机性能
是。光电耦合器可以
如果取消隔离不
需要
输入电压
经营模式的名义
条件
待机上V的能力
CC
充电
当前
变压器/辅助绕组
< 700 V
连续
坏。电流流过
即使没有负载输出
它只是为待机
改进或附加
产量
No
隔离
突发模式操作
的NCP1052是具有突发模式的控制方法。它
装置MOSFET的可完全关闭的一个或多个
开关周期。输出电压由调节
死区时间或无死区时间超过总工期
开关周期的数目。此功能提供了优势
在待机状态下节省能量，因为它可以减少
有效占空比急剧下降。在反激式拓扑结构，
电路主要是针对非连续导通
模式（DCM） ，其中所述电感器的电流在达到零
每个开关周期。将DCM突发模式的波形可以
在图4中表示的是类似的脉冲宽度
调制（PWM）之一。
突发模式
PWM
图4. DCM电感电流的突发模式
和PWM控制
http://onsemi.com
3
AND8098/D
在非隔离拓扑结构，如降压或降压 - 升压，
该电路的主要目的，对CCM 。在CCM
突发模式的波形是不同的，以在PWM波形
图由于这个特点5 ，突发模式要求
电感电流，以更高的峰值有
平均电感电流（或输出的同一水平
电流）。
V
OUT
V
CC
FB电流
时间
输出波形有足够大V
CC
电容
突发模式
V的理想水平
OUT
V
CC
PWM
V
OUT
时间
输出波形过小V
CC
电容
在突发模式图5 CCM电感电流
与传统的PWM控制
如图4和图5的突发模式控制产生
进行比较来切换低频波形
频率。的功率损耗在该低频部分
成为噪音。因此，突发模式控制
不适合高功率应用，如以上
20 W.
V
CC
电容
与电路图6.启动方案
足够大或过小V
CC
电容
实际上， NCP1052消耗大约0.5
毫安在正常的操作。有关故障的采样时间
反馈信号从8.5 V到7.5V 。因此，
-3
C
+
I DT
+
0.5 10
·采样时间
1
dV
+
0.5 10 3 ·采样时间
（公式4），
在V
CC
电容C
2
是让关键部件
电路工作在正常模式和故障模式。该装置
识别故障状态时，没有任何反馈
在从V时电流在FB引脚
CC
= 8.5 V至
7.5 V的V
CC
电容器直接影响这个持续时间。
在正常模式中，V
CC
遵循8.5 V- 7.5 V- 8.5 V
磁滞回线。当电路处于故障模式中，V
CC
遵循8.5 V- 7.5 V- 4.5 V - 8.5 V磁滞回线。该
设备保持其MOSFET开通，除了从时间
V
CC
= 8.5 V至7.5 V ，并提供电源的少量
在故障模式下的输出。
进入故障常见的和极端的情况是
启动。该MOSFET开始在V开关
CC
首先是
充电到8.5 V和因此输出电压上升。输出
电压需要一定的时间，以从构建的输出电压
0 V至所希望的值。当所要求的水平为止，一
反馈电流流入设备停止它的开关。
如果反馈电流为V之前确定
CC
到达
7.5V时，电路将保持在正常模式。否则，该
电路将进入故障模式，并且不能提供
输出电压在其期望的电平。因此，在V
CC
电容需要足够大，以保证有足够的时间
对于V
CC
从8.5 V将7.5 V至采样反馈
电流启动。
例如，如果采样时间或启动瞬变是
设计为20毫秒， 10
F
V
CC
需要电容。
感应器
在NCP1052 300 mA电流限制测量
用条件，即di / dt的到达300毫安在4
s.
当
降压或降压 - 升压电路是专为通用交流
输入电压（85到265伏交流）时，整流的输入电压将
有可能高达375伏。为了保持4
s
条件下，电感值将是5毫亨由（5）和（6） 。
对于降压，
di
+
VIN
*
VOUT
[
VIN
dt
L
L
（当量5）
对于降压 - 升压，
di
+
VIN
dt
L
（当量6）
在5毫亨实际上太高，因此不是很
实用。因此，电感器基本上是由选
市面上出售的电感模型，其为具有正常
较小的电感（但也不能太小） 。它必须有足够的
饱和电流电平（ >300毫安） 。如果电感太大
http://onsemi.com
4
AND8098/D
小，的di / dt变得太高和NCP1052将
有效地具有非常高的电流限制，因为有一个
传播延迟（典型地135纳秒），关闭该开关。
流过电感器L的电流包括三个
件。首先，有一个V
CC
充电电流I
开始
在图2中。
它发生在V
CC
需要充电。它的大小是6.3
毫安。应该注意的是在V
CC
放电电流不
流过电感器。第二，它是主电感
当前提供的输出电流。应该注意的是峰
突发模式电感电流高于PWM 1为
图5为平均电感电流相同水平的
（或输出电流）。最后，有一个流动的电流
通过二极管D
1
以充电
1
。它也流过
电感器，如图3。其大小是
greater-than-50
A
目前，实际上它是大约1毫安。
因此，电感器L的饱和电流是需要
大于它们的总和。
关于电感器的另一个考虑因素是低通
对于V过滤功能
CC
迟滞低频
（和50 /60 Hz的交流整流电压纹波） 。如
如图2所示，有一个低频充电电流
震级6.3毫安流过电感和
引起低频脉动的输出电压。较高
该电感的值可以帮助减少输出纹波。
应该注意的是，当输出功率较高时，启动
时间变长。它需要更大的V
CC
电容和
使得低V
CC
充电频率。其结果是，一个更大的
需要电感。
最后要考虑的是负载调节的效果。
大电感器可以限制浪涌电流的流入
电容C
1
如图3，高浪涌电流是不
理想的，因为它可以使C
1
电压比更高
输出电压。它使负载调节很差。如果不存在
上拉电阻R
1
，电感值L被选择为大
如可能的话，说2毫亨。
输出电容
缓冲电容器
缓冲电容C
2
是提供一个大于50
A
以NCP1052的反馈引脚。它是相对多
与输出电容的，因为当前的小
在此电容器的消耗要小得多，输出
电压不能复制到这个缓冲电容若
缓冲电容器的电压比输出电压高。
二极管
D和D
1
被推荐为相同的部分，用于
在速度和压降的兼容性。它有助于电压
在电容器C中
1
是类似的输出电压。该
D和D的反向阻断电压
1
需要大
足以承受在降压和输入的输入电压
分别加电压的输出电压降压 - 升压。
D
2
是不是一个关键组成部分。它的功能是确保
该反馈电流只在一个方向上。精度
其中所用的电压降（1 ）不是由于4.3V重要
在NCP1052参考电压被松散地设置。
齐纳二极管
Z
1
是输出电压钳时有轻负荷
或无负载。的Z因此，精度
1
有助于调节
精度，在轻负载或无负载状态。它也是
主要成分消耗的能量，当电路处于无
负载条件。输出电压被钳位，因此
输出电容器被保护。
Z
2
和R
1
是，以设置输出电压的额定负载
电流。因此，其准确性会影响调控
精度在额定负载条件。关系
齐纳电压和输出电压之间的示于（ 1） 。
的R值较高
1
有助于拉起输出电压高
通过降低缓冲电容器C的充电率
1
.
待机状态
因为突发模式的特性和
低频V
CC
充电电流，输出纹波
较的PWM变大。因此，相对较大的输出
电容是必要的，以保持输出纹波小。不过，
大输出电容需要很长的时间来建立输出
电压最初，因此电路可以进入故障
模式，在图6的启动。
所提出的降压转换器的待机能力不
不错。这是因为有一个V
CC
充电电流I
开始
FL OWS
通过输出电容器，如图2（ a）所示。这种充电
电流是一个低频脉动信号。其结果是，在
电压，在输出电容器的连续上升
充电电流脉冲。为了防止过电压的
输出电容器，齐纳
1
吸收充电
电流。它消耗的能量处于待机状态的主要部分。
http://onsemi.com
5
MMSZ2V4T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
热阻，结到铅
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
1
标记图
XX M
G
G
XX =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
订购信息
设备
MMSZxxxT1
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
MMSZxxxT3
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
Juanuary ， 2006年 - 9牧师
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
X2
X3
X4
X5
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
W
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
W
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
（注5 ）
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
设备
MMSZ2V4T1
MMSZ2V7T1
MMSZ3V0T1*
MMSZ3V3T1
MMSZ3V6T1
MMSZ3V9T1
MMSZ4V3T1
MMSZ4V7T1
MMSZ5V1T1
MMSZ5V6T1*
MMSZ6V2T1*
MMSZ6V8T1
MMSZ7V5T1
MMSZ8V2T1
MMSZ9V1T1
MMSZ10T1
MMSZ11T1
MMSZ12T1
MMSZ13T1
MMSZ15T1
MMSZ16T1
MMSZ18T1
MMSZ20T1
MMSZ22T1
MMSZ24T1
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注8）
V
Z2
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注8）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备
MMSZ27T1
MMSZ30T1*
MMSZ33T1
MMSZ36T1*
MMSZ39T1*
MMSZ43T1*
MMSZ47T1
MMSZ51T1*
MMSZ56T1
设备
记号
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Z1
Z2
Z3
Z4
6中所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
7.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
8. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
4
MMSZ2V4T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
1000
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
IF ，正向电流（mA ）
100
20毫安
10
10
150°C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75°C
0.6
25°C
0.7
0°C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
5
查看更多MMSZ6V8T1PDF信息
推荐型号
MT41J128M16HA-125
MAX325MJA
MI-P6X0-MYX
MIE-144G1
MC2DU512HMYC-0QC00
M27C202-120F6TR
MCH552FN107KP
MC1DU512HAVA-0QC00
M38039M8L-XXXSP
MA81101MBN
MI-P6LW-IYV
MX29GL033MTMC-70Q
MJW0302A
MB90487PFV
MI-QC6JL-IXY
MBRS140LT3G
MC10186L
M38027M4DXXXSS
MA4PK3002
M15U2721
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMSZ6V8T1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
MMSZ6V8T1
ON
24+
8000
SOD123
100%原装正品，只做原装正品
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
MMSZ6V8T1
ON
2025+
26820
SOD-123
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MMSZ6V8T1
onsemi
24+
10000
SOD-123
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MMSZ6V8T1
ON
24+
27200
SOD123
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MMSZ6V8T1
ON
21+22+
27000
SOD123
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MMSZ6V8T1
ON
2012+
1100
原装正品，支持实单
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
MMSZ6V8T1
ON
2024+
9675
SOD123
优势现货，全新原装进口
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
MMSZ6V8T1
MOTOROAL
25+
3200
QFP
全新原装正品特价售销！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MMSZ6V8T1
ON/ONSemiconductor/安森美原摩托罗拉
2024
18000
SOD-123 1206
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市翔哲科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：346072800 复制 点击这里给我发消息 QQ：735585398 复制

电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱
地址：福田区振兴西路华康大厦2栋315室
MMSZ6V8T1
ON
23+
1100
SOD123
原装正品，价优
查询更多MMSZ6V8T1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！