MMSZ52xxET1G系列，
SZMMSZ52xxET1G系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围
2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用，中等电流
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
峰值功率
225 W (8
x
20
女士）
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
无铅包可用*
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
1
阴极
2
阳极
标记图
1
XXX M
G
G
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
25C
总功耗的FR- 5局，
（注3 ） @ T
L
= 75C
75°C以上降额
热阻（注2 ）
结到环境
热阻（注2 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
最大
225
单位
W
XXX =设备代码（参见第2页）
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMSZ52xxET1G
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
500
6.7
340
150
55
to
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SZMMSZ52xxET1G
MMSZ52xxET3G
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
° C / W
C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
按照图11 1.非重复性电流脉冲。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
3， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年2月
启8
1
出版订单号：
MMSZ5221ET1/D
MMSZ52xxET1G系列， SZMMSZ52xxET1G系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注4和5）
设备
记号
CA1
CA3
CA6
CA8
CA9
CB2
CB3
CB5
CB6
CB7
CB8
CC2
CC4
CC5
CC6
CC7
CC8
CD1
CD3
CD5
V
Z
(V)
民
2.28
2.57
3.14
3.71
4.09
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
9.50
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
17.10
19.00
22.80
喃
2.4
2.7
3.3
3.9
4.3
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
10
12
13
14
15
16
18
20
24
最大
2.52
2.84
3.47
4.10
4.52
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
10.50
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
18.90
21.00
25.20
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.0
6.2
5.2
齐纳阻抗
（注6 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
30
28
23
22
17
11
7
5
6
8
17
30
13
15
16
17
21
25
33
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1300
1600
1900
2000
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
75
25
10
5
5
5
5
3
3
3
3
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
6.5
8
9.1
9.9
10
11
12
14
15
18
设备*
MMSZ5221ET1G
MMSZ5223ET1G
MMSZ5226ET1G
MMSZ5228ET1G
MMSZ5229ET1G
MMSZ5231ET1G
MMSZ5232ET1G
MMSZ5234ET1G
MMSZ5235ET1G
MMSZ5236ET1G
MMSZ5237ET1G
MMSZ5240ET1G
MMSZ5242ET1G
MMSZ5243ET1G
MMSZ5244ET1G
MMSZ5245ET1G
MMSZ5246ET1G
MMSZ5248ET1G
MMSZ5250ET1G
MMSZ5252ET1G
4所示的类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
5.额定齐纳电压测量在T处于热平衡装置结
L
= 30C
1C.
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀设备
http://onsemi.com
2
MMSZ52xxET1G系列， SZMMSZ52xxET1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注4和5）
设备
记号
CD6
CD7
CD8
CD9
CE1
CE2
CE3
CE6
CE7
V
Z
(V)
民
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
48.45
53.20
喃
25
27
28
30
33
36
39
51
56
最大
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
53.55
58.80
@ I
ZT
mA
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
2.5
2.2
齐纳阻抗
（注6 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
35
41
44
49
58
70
80
125
150
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
600
600
600
700
700
800
1100
1300
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
19
21
21
23
25
27
30
39
43
设备*
MMSZ5253ET1G
MMSZ5254ET1G
MMSZ5255ET1G
MMSZ5256ET1G
MMSZ5257ET1G
MMSZ5258ET1G
MMSZ5259ET1G
MMSZ5262ET1G
MMSZ5263ET1G
4所示的类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
5.额定齐纳电压测量在T处于热平衡装置结
L
= 30C
1C.
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀设备
http://onsemi.com
3
MMSZ52xxET1G系列， SZMMSZ52xxET1G系列
典型特征
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1G系列
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1G系列
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
P
D
与牛逼
A
P
D
与牛逼
L
1000
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
P
pk
，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25C
100
10
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
，动态阻抗（ W）
T
J
= 25C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
I
F
，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
100
100
10
150C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75C 25C
0C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZ52xxET1G系列， SZMMSZ52xxET1G系列
典型特征
I
R
，漏电流（mA ）
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25C
1000
100
10
1
0.1
0.01
+ 25C
55C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
+150C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
I
Z
，齐纳电流（毫安）
100
T
A
= 25C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
10
T
A
= 25C
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
t
P
20
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图11. 8
20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
