【摩托罗拉半导体技术参数设计师数据表表面贴装硅稳压二极管塑料SOD 123封装三全系列齐纳二极管提供了】,IC型号MMSZ5245BT1,MMSZ5245BT1 PDF资料,MMSZ5245BT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体

技术参数

设计师

数据表

表面贴装硅稳压二极管

塑料SOD 123封装

三全系列齐纳二极管提供了方便，表面贴装

塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个方便的替代无引线

34封装形式。

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

包装最优设计自动化委员会汇编

完成耐腐蚀，易焊

ESD等级3级（超过16千伏）按照人体模型

小封装尺寸为高密度应用

可在8毫米磁带和卷轴

加入“T1”设备编号订购7寸/ 3000单元卷轴。

加入“T3”的设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

晶圆厂地点：亚利桑那州凤凰城

装配/测试地点：芙蓉，马来西亚

MMSZ5221BT1通MMSZ5270BT1

MMSZ5221BT1

系列

塑料表面

MOUNT

齐纳二极管

500毫瓦

1.8 - 91伏

1

1 ：阴极

2 ：阳极

2

通用，中等电流

宽电压范围 - 2.4 91伏特

425的情况下，风格1

塑料

器件额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

在FR - 4或FR- 5局功耗[ 1 ]

减免上述TL = 75℃

热阻结到铅[ 2 ]

热阻结到环境[ 2 ]

结温范围

存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（ 10秒持续时间。）

[1] FR-4之FR- 5 = 3.5 ×1.5英寸，使用如图11的摩托罗拉最小建议足迹。

[ 2 ]热敏电阻测量通过红外扫描方法得到

设计师的数据为“最坏情况” “条件 -

设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。极限曲线 - 代表

对器件特性的边界 - 给予方便“最坏情况”的设计。

设计师的是Motorola，Inc.的商标。

热复合是贝格斯公司的一个注册商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

符号

PD

—

R

θJL

R

θJA

TJ

TSTG

—

价值

500

6.7

150

340

-55到+150

260

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-1

MMSZ5221BT1系列

电气特性

（ TA = 25 ° C除非另有说明[1] ），（ VF = 0.9 V最大。 @ IF = 10 mA，对于所有类型）

齐纳电压

VZ @ IZT

伏

[1] [2]

TYPE

T

数

TEST

当前

IZT

最大反向

泄漏

当前

IR @ VR

A

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

最大齐纳

阻抗[3]

ZZT

@ IZ = IZT

30

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

ZZK

@ IZK = 0.25毫安

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

电压

VR

伏

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

记号

Mき

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

J1

J2

J3

J4

J5

K1

K2

K3

K4

K5

喃

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

民

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

最大

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

MMSZ5221BT1

MMSZ5222BT1

MMSZ5223BT1

MMSZ5224BT1

MMSZ5225BT1

MMSZ5226BT1

MMSZ5227BT1

MMSZ5228BT1

MMSZ5229BT1

MMSZ5230BT1

MMSZ5231BT1

MMSZ5232BT1

MMSZ5233BT1

MMSZ5234BT1

MMSZ5235BT1

MMSZ5236BT1

MMSZ5237BT1

MMSZ5238BT1

MMSZ5239BT1

MMSZ5240BT1

MMSZ5241BT1

MMSZ5242BT1

MMSZ5243BT1

MMSZ5244BT1

MMSZ5245BT1

MMSZ5246BT1

MMSZ5247BT1

MMSZ5248BT1

MMSZ5249BT1

MMSZ5250BT1

MMSZ5251BT1

MMSZ5252BT1

MMSZ5253BT1

MMSZ5254BT1

MMSZ5255BT1

[1 ]额定击穿电压的测量条件中在T热平衡的器件结= 30℃

±

1°C.

L

[2]所示的所有部分数字表示的V宽容

±5%.

Z

[3] Z

ZT和ZZK被除以所施加的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定的限制针对IZ （AC） = 0.1 IZ （ DC）时，与AC频率= 1千赫。

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-2

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

MMSZ5221BT1系列

电气特性

（ TA = 25 ° C除非另有说明[1] ），（ VF = 0.9 V最大。 @ IF = 10 mA，对于所有类型）

齐纳电压

VZ @ IZT

伏

[1] [2]

TYPE

T

数

TEST

当前

IZT

最大反向

泄漏

当前

IR @ VR

A

0.1

最大齐纳

阻抗[3]

ZZT

@ IZ = IZT

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

ZZK

@ IZK = 0.25毫安

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

TEST

电压

VR

伏

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

记号

Mき

M1

M2

M3

M4

M5

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

喃

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

民

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

最大

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

mA

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

MMSZ5256BT1

MMSZ5257BT1

MMSZ5258BT1

MMSZ5259BT1

MMSZ5260BT1

MMSZ5261BT1

MMSZ5262BT1

MMSZ5263BT1

MMSZ5264BT1

MMSZ5265BT1

MMSZ5266BT1

MMSZ5267BT1

MMSZ5268BT1

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1

[1 ]额定击穿电压的测量条件中在T热平衡的器件结= 30℃

±

1°C.

L

[2]所示的所有部分数字表示的V宽容

±5%.

Z

[3] Z

ZT和ZZK被除以所施加的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定的限制针对IZ （AC） = 0.1 IZ （ DC）时，与AC频率= 1千赫。

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

θ

VZ ，温度系数（毫伏/

°

C)

θ

VZ ，温度系数（毫伏/

°

C)

8

7

6

5

4

3

2

1

0

–1

–2

–3

VZ @ IZT

典型TC VALUES

FOR MMSZ5221BT1系列

100

典型TC VALUES

FOR MMSZ5221BT1系列

VZ @ IZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

VZ ，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

VZ ，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

1.2

P D，功耗（瓦）

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

PD与TL

PD与TA

1000

PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）

矩形

波形， TA = 25°C

100

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

ZT ，动态阻抗（

)

TJ = 25°C

IZ （AC） = 0.1 IZ （DC）的

F = 1千赫

1000

IF ，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

100

IZ = 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

150°C

1

10

VZ ，额定齐纳电压

100

1

0.4

0.5

75°C 25°C

0.6

0°C

1.1

1.2

0.7

0.8

0.9

1.0

VF ，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-4

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

C，电容（pF ）

100

偏压

VZ NOM的50 ％

10

TA = 25°C

I R ，漏电流（

A)

1000

100

10

1

0.1

0.01

0.001

+ 25°C

– 55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

VZ ，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

0.0001

1

10

VZ ，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

TA = 25°C

I Z ，齐纳电流（mA）

10

100

TA = 25°C

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

VZ ，齐纳电压（V ）

10

12

0.01

10

30

50

70

VZ ，齐纳电压（V ）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

（ VZ高达12 V）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-5

MMSZ5221BT1系列

首选设备

齐纳稳压器

500 mW的SOD- 123表面贴装

三全系列齐纳二极管的方便提供，

表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个

方便的替代无铅34封装形式。

特点

http://onsemi.com

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

通用，中等电流

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

无铅包可用

1

阴极

2

阳极

2

1

SOD123

CASE 425

风格1

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

标记图

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

xx

M

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

L

= 75°C

75°C以上降额

热阻（注2 ）

结到环境

热阻（注2 ）

结到铅

结温和存储温度范围

符号

P

D

500

6.7

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

340

150

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

MMSZ52xxBT3

°C

MMSZ52xxBT3G

最大

单位

订购信息

设备**

MMSZ52xxBT1

MMSZ52xxBT1G

包

SOD123

（无铅）

SOD123

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。

通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。

**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。

在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体

首选

设备。

首选

设备推荐

选择以供将来使用和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年1月 - 修订版5

XX M

=具体设备守则

=日期代码

出版订单号：

MMSZ5221BT1/D

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

ZK

Z

ZK

I

R

V

R

I

F

V

F

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZK

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

http://onsemi.com

2

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.9 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

齐纳电压

（注3和4）

设备

记号

V

Z

（伏）

民

喃

最大

@ I

ZT

mA

齐纳阻抗

（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

Z

ZK

@ I

ZK

W

mA

漏电流

I

R

@ V

R

mA

伏

设备

MMSZ5221BT1 ，G

MMSZ5222BT1

MMSZ5223BT1 ，G

MMSZ5224BT1

MMSZ5225BT1

MMSZ5226BT1 ，G

MMSZ5227BT1 ，G

MMSZ5228BT1 ，G

MMSZ5229BT1 ，G

MMSZ5230BT1 ，G

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

20

30

29

28

24

23

22

19

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

0.25

100

75

50

25

15

10

5

1

2

MMSZ5231BT1 ，G

MMSZ5232BT1 ，G

MMSZ5233BT1 ，G

MMSZ5234BT1 ，G

MMSZ5235BT1 ，G

MMSZ5236BT1 ，G

MMSZ5237BT1 ，G

MMSZ5238BT1

MMSZ5239BT1 ，G

MMSZ5240BT1 ，G

MMSZ5241BT1

MMSZ5242BT1 ，G

MMSZ5243BT1 ，G

MMSZ5244BT1 ，G

MMSZ5245BT1 ，G

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

20

9.5

9.0

8.5

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

1600

1000

750

500

600

0.25

5

3

2

1

0.5

0.1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

MMSZ5246BT1 ，G

MMSZ5247BT1 ，G

MMSZ5248BT1 ，G

MMSZ5250BT1 ，G

MMSZ5251BT1 ，G

MMSZ5252BT1 ，G

MMSZ5253BT1

MMSZ5254BT1 ，G

MMSZ5255BT1 ，G

MMSZ5256BT1 ，G

MMSZ5257BT1 ，G

MMSZ5258BT1 ，G

MMSZ5259BT1 ，G

MMSZ5260BT1 ，G

J1

J2

J3

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

15.20

16.15

17.10

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

16

17

18

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

16.80

17.85

18.90

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

7.8

7.4

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

17

19

21

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

600

700

800

900

0.25

0.1

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

MMSZ5261BT1 ，G

MMSZ5262BT1

MMSZ5263BT1

MMSZ5264BT1

MMSZ5265BT1 ，G

MMSZ5266BT1 ，G

MMSZ5267BT1 ，G

MMSZ5268BT1 ，G

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1 ，G

MMSZ5272BT1

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

R2

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

104.5

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

110

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

115.5

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.1

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

750

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

3000

0.25

0.1

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

84

3所示类型的数字有一个标准的公差

±5%

在额定齐纳电压。

4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结

L

= 30°C

$1°C.

5. Z

ZT

和Z

ZK

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。

在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

与AC频率= 1千赫。

http://onsemi.com

3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

100

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

P

pk

，峰值浪涌功率（瓦特）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

P

D

与牛逼

L

1000

矩形

波形，T

A

= 25°C

100

P

D

与牛逼

A

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

100

PW ，脉冲宽度（毫秒）

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

Z

ZT

，动态阻抗（ W）

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

I

F

，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

0.4

0.5

75°C 25°C

0°C

1.1

1.2

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

http://onsemi.com

4

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

= 25°C

I

R

，漏电流（mA ）

1000

100

10

1

0.1

0.01

+ 25°C

55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

C，电容（pF ）

100

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.001

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

V

Z

齐纳电压（V）

10

12

10

30

50

70

V

Z

齐纳电压（V）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

http://onsemi.com

5

MMSZ5221BT1系列

首选设备

齐纳稳压器

500 mW的SOD- 123表面贴装

三全系列齐纳二极管的方便提供，

表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个

方便的替代无铅34封装形式。

特点

http://onsemi.com

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

通用，中等电流

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

无铅包可用

1

阴极

2

阳极

2

1

SOD123

CASE 425

风格1

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

标记图

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

xx

M

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

L

= 75°C

75°C以上降额

热阻（注2 ）

结到环境

热阻（注2 ）

结到铅

结温和存储温度范围

符号

P

D

500

6.7

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

340

150

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

MMSZ52xxBT3

°C

MMSZ52xxBT3G

最大

单位

订购信息

设备**

MMSZ52xxBT1

MMSZ52xxBT1G

包

SOD123

（无铅）

SOD123

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。

通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。

**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。

在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体

首选

设备。

首选

设备推荐

选择以供将来使用和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年1月 - 修订版5

XX M

=具体设备守则

=日期代码

出版订单号：

MMSZ5221BT1/D

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

ZK

Z

ZK

I

R

V

R

I

F

V

F

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZK

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

http://onsemi.com

2

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.9 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

齐纳电压

（注3和4）

设备

记号

V

Z

（伏）

民

喃

最大

@ I

ZT

mA

齐纳阻抗

（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

Z

ZK

@ I

ZK

W

mA

漏电流

I

R

@ V

R

mA

伏

设备

MMSZ5221BT1 ，G

MMSZ5222BT1

MMSZ5223BT1 ，G

MMSZ5224BT1

MMSZ5225BT1

MMSZ5226BT1 ，G

MMSZ5227BT1 ，G

MMSZ5228BT1 ，G

MMSZ5229BT1 ，G

MMSZ5230BT1 ，G

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

20

30

29

28

24

23

22

19

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

0.25

100

75

50

25

15

10

5

1

2

MMSZ5231BT1 ，G

MMSZ5232BT1 ，G

MMSZ5233BT1 ，G

MMSZ5234BT1 ，G

MMSZ5235BT1 ，G

MMSZ5236BT1 ，G

MMSZ5237BT1 ，G

MMSZ5238BT1

MMSZ5239BT1 ，G

MMSZ5240BT1 ，G

MMSZ5241BT1

MMSZ5242BT1 ，G

MMSZ5243BT1 ，G

MMSZ5244BT1 ，G

MMSZ5245BT1 ，G

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

20

9.5

9.0

8.5

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

1600

1000

750

500

600

0.25

5

3

2

1

0.5

0.1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

MMSZ5246BT1 ，G

MMSZ5247BT1 ，G

MMSZ5248BT1 ，G

MMSZ5250BT1 ，G

MMSZ5251BT1 ，G

MMSZ5252BT1 ，G

MMSZ5253BT1

MMSZ5254BT1 ，G

MMSZ5255BT1 ，G

MMSZ5256BT1 ，G

MMSZ5257BT1 ，G

MMSZ5258BT1 ，G

MMSZ5259BT1 ，G

MMSZ5260BT1 ，G

J1

J2

J3

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

15.20

16.15

17.10

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

16

17

18

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

16.80

17.85

18.90

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

7.8

7.4

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

17

19

21

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

600

700

800

900

0.25

0.1

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

MMSZ5261BT1 ，G

MMSZ5262BT1

MMSZ5263BT1

MMSZ5264BT1

MMSZ5265BT1 ，G

MMSZ5266BT1 ，G

MMSZ5267BT1 ，G

MMSZ5268BT1 ，G

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1 ，G

MMSZ5272BT1

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

R2

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

104.5

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

110

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

115.5

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.1

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

750

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

3000

0.25

0.1

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

84

3所示类型的数字有一个标准的公差

±5%

在额定齐纳电压。

4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结

L

= 30°C

$1°C.

5. Z

ZT

和Z

ZK

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。

在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

与AC频率= 1千赫。

http://onsemi.com

3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

100

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

P

pk

，峰值浪涌功率（瓦特）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

P

D

与牛逼

L

1000

矩形

波形，T

A

= 25°C

100

P

D

与牛逼

A

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

100

PW ，脉冲宽度（毫秒）

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

Z

ZT

，动态阻抗（ W）

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

I

F

，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

0.4

0.5

75°C 25°C

0°C

1.1

1.2

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

http://onsemi.com

4

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

= 25°C

I

R

，漏电流（mA ）

1000

100

10

1

0.1

0.01

+ 25°C

55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

C，电容（pF ）

100

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.001

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

V

Z

齐纳电压（V）

10

12

10

30

50

70

V

Z

齐纳电压（V）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

http://onsemi.com

5

MMSZ5221BT1系列

首选设备

齐纳稳压器

500 mW的SOD- 123表面贴装

三全系列齐纳二极管的方便提供，

表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个

方便的替代无铅34封装形式。

特点

http://onsemi.com

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

通用，中等电流

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

无铅包可用

1

阴极

2

阳极

2

SOD123

CASE 425

风格1

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

标记图

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

1

XX M

G

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

L

= 75°C

75°C以上降额

热阻，结到环境

（注2 ）

热阻，结到铅

（注2 ）

结温和存储温度范围

符号

P

D

500

6.7

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

340

150

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大

单位

XX =设备代码（参见第3页）

M

=日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

MMSZ52xxBT1

MMSZ52xxBT1G

MMSZ52xxBT3

MMSZ52xxBT3G

包

SOD123

（无铅）

SOD123

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

10000 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。

通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体

首选

设备。

首选

设备推荐

选择以供将来使用和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 启示录7

出版订单号：

MMSZ5221BT1/D

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

ZK

Z

ZK

I

R

V

R

I

F

V

F

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZK

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

http://onsemi.com

2

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.9 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

齐纳电压

（注3和4）

设备

记号

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

J1

J2

J3

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

R2

V

Z

（伏）

民

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

104.5

喃

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

110

最大

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

115.5

@ I

ZT

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.1

齐纳阻抗

（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

750

Z

ZK

@ I

ZK

W

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

3000

mA

0.25

漏电流

I

R

@ V

R

mA

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

伏

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

84

设备

MMSZ5221BT1 ，G

MMSZ5222BT1 ，G

MMSZ5223BT1 ，G

MMSZ5224BT1 ，G

MMSZ5225BT1 ，G

MMSZ5226BT1 ，G

MMSZ5227BT1 ，G

MMSZ5228BT1 ，G

MMSZ5229BT1 ，G

MMSZ5230BT1 ，G

MMSZ5231BT1 ，G

MMSZ5232BT1 ，G

MMSZ5233BT1 ，G

MMSZ5234BT1 ，G

MMSZ5235BT1 ，G

MMSZ5236BT1 ，G

MMSZ5237BT1 ，G

MMSZ5238BT1 ，G

MMSZ5239BT1 ，G

MMSZ5240BT1 ，G

MMSZ5241BT1 ，G

MMSZ5242BT1 ，G

MMSZ5243BT1 ，G

MMSZ5244BT1 ，G

MMSZ5245BT1 ，G

MMSZ5246BT1 ，G

MMSZ5247BT1 ，G

MMSZ5248BT1 ，G

MMSZ5250BT1 ，G

MMSZ5251BT1 ，G

MMSZ5252BT1 ，G

MMSZ5253BT1 ，G

MMSZ5254BT1 ，G

MMSZ5255BT1 ，G

MMSZ5256BT1,

MMSZ5257BT1,

MMSZ5258BT1,

MMSZ5259BT1,

MMSZ5260BT1,

G

MMSZ5261BT1 ，G

MMSZ5262BT1 ，G

MMSZ5263BT1 ，G

MMSZ5264BT1 ，G

MMSZ5265BT1 ，G

MMSZ5266BT1,

MMSZ5267BT1,

MMSZ5268BT1,

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1,

G

MMSZ5272BT1 ，G

3所示类型的数字有一个标准的公差

±5%

在额定齐纳电压。

4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结

L

= 30°C

$1°C.

5. Z

ZT

和Z

ZK

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。

在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

与AC频率= 1千赫。

*在“G ”后缀表示无铅封装。

http://onsemi.com

3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

100

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

P

pk

，峰值浪涌功率（瓦特）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

P

D

与牛逼

L

1000

矩形

波形，T

A

= 25°C

100

P

D

与牛逼

A

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

100

PW ，脉冲宽度（毫秒）

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

Z

ZT

，动态阻抗（ W）

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

I

F

，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

0.4

0.5

75°C 25°C

0°C

1.1

1.2

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

http://onsemi.com

4

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

= 25°C

I

R

，漏电流（mA ）

1000

100

10

1

0.1

0.01

+ 25°C

55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

C，电容（pF ）

100

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.001

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

V

Z

齐纳电压（V）

10

12

10

30

50

70

V

Z

齐纳电压（V）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

http://onsemi.com

5