【MMSZ5221BT1系列首选设备齐纳稳压器500 mW的SOD- 123表面贴装三全系列齐纳二极管】,IC型号MMSZ5235BT1,MMSZ5235BT1 PDF资料,MMSZ5235BT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMSZ5221BT1系列

首选设备

齐纳稳压器

500 mW的SOD- 123表面贴装

三全系列齐纳二极管的方便提供，

表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个

方便的替代无铅34封装形式。

特点

http://onsemi.com

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

通用，中等电流

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

无铅包可用

1

阴极

2

阳极

2

SOD123

CASE 425

风格1

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

标记图

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

1

XX M

G

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

L

= 75°C

75°C以上降额

热阻，结到环境

（注2 ）

热阻，结到铅

（注2 ）

结温和存储温度范围

符号

P

D

500

6.7

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

340

150

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大

单位

XX =设备代码（参见第3页）

M

=日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

MMSZ52xxBT1

MMSZ52xxBT1G

MMSZ52xxBT3

MMSZ52xxBT3G

包

SOD123

（无铅）

SOD123

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

10000 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。

通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体

首选

设备。

首选

设备推荐

选择以供将来使用和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 启示录7

出版订单号：

MMSZ5221BT1/D

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

ZK

Z

ZK

I

R

V

R

I

F

V

F

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZK

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

http://onsemi.com

2

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.9 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

齐纳电压

（注3和4）

设备

记号

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

J1

J2

J3

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

R2

V

Z

（伏）

民

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

104.5

喃

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

110

最大

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

115.5

@ I

ZT

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.1

齐纳阻抗

（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

750

Z

ZK

@ I

ZK

W

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

3000

mA

0.25

漏电流

I

R

@ V

R

mA

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

伏

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

84

设备

MMSZ5221BT1 ，G

MMSZ5222BT1 ，G

MMSZ5223BT1 ，G

MMSZ5224BT1 ，G

MMSZ5225BT1 ，G

MMSZ5226BT1 ，G

MMSZ5227BT1 ，G

MMSZ5228BT1 ，G

MMSZ5229BT1 ，G

MMSZ5230BT1 ，G

MMSZ5231BT1 ，G

MMSZ5232BT1 ，G

MMSZ5233BT1 ，G

MMSZ5234BT1 ，G

MMSZ5235BT1 ，G

MMSZ5236BT1 ，G

MMSZ5237BT1 ，G

MMSZ5238BT1 ，G

MMSZ5239BT1 ，G

MMSZ5240BT1 ，G

MMSZ5241BT1 ，G

MMSZ5242BT1 ，G

MMSZ5243BT1 ，G

MMSZ5244BT1 ，G

MMSZ5245BT1 ，G

MMSZ5246BT1 ，G

MMSZ5247BT1 ，G

MMSZ5248BT1 ，G

MMSZ5250BT1 ，G

MMSZ5251BT1 ，G

MMSZ5252BT1 ，G

MMSZ5253BT1 ，G

MMSZ5254BT1 ，G

MMSZ5255BT1 ，G

MMSZ5256BT1,

MMSZ5257BT1,

MMSZ5258BT1,

MMSZ5259BT1,

MMSZ5260BT1,

G

MMSZ5261BT1 ，G

MMSZ5262BT1 ，G

MMSZ5263BT1 ，G

MMSZ5264BT1 ，G

MMSZ5265BT1 ，G

MMSZ5266BT1,

MMSZ5267BT1,

MMSZ5268BT1,

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1,

G

MMSZ5272BT1 ，G

3所示类型的数字有一个标准的公差

±5%

在额定齐纳电压。

4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结

L

= 30°C

$1°C.

5. Z

ZT

和Z

ZK

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。

在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

与AC频率= 1千赫。

*在“G ”后缀表示无铅封装。

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3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

100

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

P

pk

，峰值浪涌功率（瓦特）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

P

D

与牛逼

L

1000

矩形

波形，T

A

= 25°C

100

P

D

与牛逼

A

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

100

PW ，脉冲宽度（毫秒）

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

Z

ZT

，动态阻抗（ W）

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

I

F

，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

0.4

0.5

75°C 25°C

0°C

1.1

1.2

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

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4

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

= 25°C

I

R

，漏电流（mA ）

1000

100

10

1

0.1

0.01

+ 25°C

55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

C，电容（pF ）

100

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.001

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

V

Z

齐纳电压（V）

10

12

10

30

50

70

V

Z

齐纳电压（V）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

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5

MMSZ5221BT1系列

首选设备

齐纳稳压器

500 mW的SOD- 123表面贴装

三全系列齐纳二极管的方便提供，

表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个

方便的替代无铅34封装形式。

特点

http://onsemi.com

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

通用，中等电流

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

无铅包可用

1

阴极

2

阳极

2

1

SOD123

CASE 425

风格1

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

标记图

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

xx

M

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

L

= 75°C

75°C以上降额

热阻（注2 ）

结到环境

热阻（注2 ）

结到铅

结温和存储温度范围

符号

P

D

500

6.7

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

340

150

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

MMSZ52xxBT3

°C

MMSZ52xxBT3G

最大

单位

订购信息

设备**

MMSZ52xxBT1

MMSZ52xxBT1G

包

SOD123

（无铅）

SOD123

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。

通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。

**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。

在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体

首选

设备。

首选

设备推荐

选择以供将来使用和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年1月 - 修订版5

XX M

=具体设备守则

=日期代码

出版订单号：

MMSZ5221BT1/D

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

ZK

Z

ZK

I

R

V

R

I

F

V

F

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZK

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

http://onsemi.com

2

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.9 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

齐纳电压

（注3和4）

设备

记号

V

Z

（伏）

民

喃

最大

@ I

ZT

mA

齐纳阻抗

（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

Z

ZK

@ I

ZK

W

mA

漏电流

I

R

@ V

R

mA

伏

设备

MMSZ5221BT1 ，G

MMSZ5222BT1

MMSZ5223BT1 ，G

MMSZ5224BT1

MMSZ5225BT1

MMSZ5226BT1 ，G

MMSZ5227BT1 ，G

MMSZ5228BT1 ，G

MMSZ5229BT1 ，G

MMSZ5230BT1 ，G

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

20

30

29

28

24

23

22

19

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

0.25

100

75

50

25

15

10

5

1

2

MMSZ5231BT1 ，G

MMSZ5232BT1 ，G

MMSZ5233BT1 ，G

MMSZ5234BT1 ，G

MMSZ5235BT1 ，G

MMSZ5236BT1 ，G

MMSZ5237BT1 ，G

MMSZ5238BT1

MMSZ5239BT1 ，G

MMSZ5240BT1 ，G

MMSZ5241BT1

MMSZ5242BT1 ，G

MMSZ5243BT1 ，G

MMSZ5244BT1 ，G

MMSZ5245BT1 ，G

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

20

9.5

9.0

8.5

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

1600

1000

750

500

600

0.25

5

3

2

1

0.5

0.1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

MMSZ5246BT1 ，G

MMSZ5247BT1 ，G

MMSZ5248BT1 ，G

MMSZ5250BT1 ，G

MMSZ5251BT1 ，G

MMSZ5252BT1 ，G

MMSZ5253BT1

MMSZ5254BT1 ，G

MMSZ5255BT1 ，G

MMSZ5256BT1 ，G

MMSZ5257BT1 ，G

MMSZ5258BT1 ，G

MMSZ5259BT1 ，G

MMSZ5260BT1 ，G

J1

J2

J3

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

15.20

16.15

17.10

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

16

17

18

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

16.80

17.85

18.90

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

7.8

7.4

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

17

19

21

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

600

700

800

900

0.25

0.1

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

MMSZ5261BT1 ，G

MMSZ5262BT1

MMSZ5263BT1

MMSZ5264BT1

MMSZ5265BT1 ，G

MMSZ5266BT1 ，G

MMSZ5267BT1 ，G

MMSZ5268BT1 ，G

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1 ，G

MMSZ5272BT1

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

R2

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

104.5

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

110

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

115.5

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.1

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

750

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

3000

0.25

0.1

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

84

3所示类型的数字有一个标准的公差

±5%

在额定齐纳电压。

4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结

L

= 30°C

$1°C.

5. Z

ZT

和Z

ZK

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。

在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

与AC频率= 1千赫。

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3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

100

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

P

pk

，峰值浪涌功率（瓦特）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

P

D

与牛逼

L

1000

矩形

波形，T

A

= 25°C

100

P

D

与牛逼

A

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

100

PW ，脉冲宽度（毫秒）

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

Z

ZT

，动态阻抗（ W）

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

I

F

，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

0.4

0.5

75°C 25°C

0°C

1.1

1.2

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

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4

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

= 25°C

I

R

，漏电流（mA ）

1000

100

10

1

0.1

0.01

+ 25°C

55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

C，电容（pF ）

100

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.001

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

V

Z

齐纳电压（V）

10

12

10

30

50

70

V

Z

齐纳电压（V）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

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5

摩托罗拉

半导体

技术参数

设计师

数据表

表面贴装硅稳压二极管

塑料SOD 123封装

三全系列齐纳二极管提供了方便，表面贴装

塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个方便的替代无引线

34封装形式。

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

包装最优设计自动化委员会汇编

完成耐腐蚀，易焊

ESD等级3级（超过16千伏）按照人体模型

小封装尺寸为高密度应用

可在8毫米磁带和卷轴

加入“T1”设备编号订购7寸/ 3000单元卷轴。

加入“T3”的设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

晶圆厂地点：亚利桑那州凤凰城

装配/测试地点：芙蓉，马来西亚

MMSZ5221BT1通MMSZ5270BT1

MMSZ5221BT1

系列

塑料表面

MOUNT

齐纳二极管

500毫瓦

1.8 - 91伏

1

1 ：阴极

2 ：阳极

2

通用，中等电流

宽电压范围 - 2.4 91伏特

425的情况下，风格1

塑料

器件额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

在FR - 4或FR- 5局功耗[ 1 ]

减免上述TL = 75℃

热阻结到铅[ 2 ]

热阻结到环境[ 2 ]

结温范围

存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（ 10秒持续时间。）

[1] FR-4之FR- 5 = 3.5 ×1.5英寸，使用如图11的摩托罗拉最小建议足迹。

[ 2 ]热敏电阻测量通过红外扫描方法得到

设计师的数据为“最坏情况” “条件 -

设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。极限曲线 - 代表

对器件特性的边界 - 给予方便“最坏情况”的设计。

设计师的是Motorola，Inc.的商标。

热复合是贝格斯公司的一个注册商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

符号

PD

—

R

θJL

R

θJA

TJ

TSTG

—

价值

500

6.7

150

340

-55到+150

260

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-1

MMSZ5221BT1系列

电气特性

（ TA = 25 ° C除非另有说明[1] ），（ VF = 0.9 V最大。 @ IF = 10 mA，对于所有类型）

齐纳电压

VZ @ IZT

伏

[1] [2]

TYPE

T

数

TEST

当前

IZT

最大反向

泄漏

当前

IR @ VR

A

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

最大齐纳

阻抗[3]

ZZT

@ IZ = IZT

30

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

ZZK

@ IZK = 0.25毫安

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

TEST

电压

VR

伏

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

记号

Mき

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

J1

J2

J3

J4

J5

K1

K2

K3

K4

K5

喃

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

民

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

最大

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

MMSZ5221BT1

MMSZ5222BT1

MMSZ5223BT1

MMSZ5224BT1

MMSZ5225BT1

MMSZ5226BT1

MMSZ5227BT1

MMSZ5228BT1

MMSZ5229BT1

MMSZ5230BT1

MMSZ5231BT1

MMSZ5232BT1

MMSZ5233BT1

MMSZ5234BT1

MMSZ5235BT1

MMSZ5236BT1

MMSZ5237BT1

MMSZ5238BT1

MMSZ5239BT1

MMSZ5240BT1

MMSZ5241BT1

MMSZ5242BT1

MMSZ5243BT1

MMSZ5244BT1

MMSZ5245BT1

MMSZ5246BT1

MMSZ5247BT1

MMSZ5248BT1

MMSZ5249BT1

MMSZ5250BT1

MMSZ5251BT1

MMSZ5252BT1

MMSZ5253BT1

MMSZ5254BT1

MMSZ5255BT1

[1 ]额定击穿电压的测量条件中在T热平衡的器件结= 30℃

±

1°C.

L

[2]所示的所有部分数字表示的V宽容

±5%.

Z

[3] Z

ZT和ZZK被除以所施加的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定的限制针对IZ （AC） = 0.1 IZ （ DC）时，与AC频率= 1千赫。

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-2

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

MMSZ5221BT1系列

电气特性

（ TA = 25 ° C除非另有说明[1] ），（ VF = 0.9 V最大。 @ IF = 10 mA，对于所有类型）

齐纳电压

VZ @ IZT

伏

[1] [2]

TYPE

T

数

TEST

当前

IZT

最大反向

泄漏

当前

IR @ VR

A

0.1

最大齐纳

阻抗[3]

ZZT

@ IZ = IZT

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

ZZK

@ IZK = 0.25毫安

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

TEST

电压

VR

伏

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

记号

Mき

M1

M2

M3

M4

M5

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

喃

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

民

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

最大

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

mA

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

MMSZ5256BT1

MMSZ5257BT1

MMSZ5258BT1

MMSZ5259BT1

MMSZ5260BT1

MMSZ5261BT1

MMSZ5262BT1

MMSZ5263BT1

MMSZ5264BT1

MMSZ5265BT1

MMSZ5266BT1

MMSZ5267BT1

MMSZ5268BT1

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1

[1 ]额定击穿电压的测量条件中在T热平衡的器件结= 30℃

±

1°C.

L

[2]所示的所有部分数字表示的V宽容

±5%.

Z

[3] Z

ZT和ZZK被除以所施加的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定的限制针对IZ （AC） = 0.1 IZ （ DC）时，与AC频率= 1千赫。

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

θ

VZ ，温度系数（毫伏/

°

C)

θ

VZ ，温度系数（毫伏/

°

C)

8

7

6

5

4

3

2

1

0

–1

–2

–3

VZ @ IZT

典型TC VALUES

FOR MMSZ5221BT1系列

100

典型TC VALUES

FOR MMSZ5221BT1系列

VZ @ IZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

VZ ，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

VZ ，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

1.2

P D，功耗（瓦）

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

PD与TL

PD与TA

1000

PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）

矩形

波形， TA = 25°C

100

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

ZT ，动态阻抗（

)

TJ = 25°C

IZ （AC） = 0.1 IZ （DC）的

F = 1千赫

1000

IF ，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

100

IZ = 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

150°C

1

10

VZ ，额定齐纳电压

100

1

0.4

0.5

75°C 25°C

0.6

0°C

1.1

1.2

0.7

0.8

0.9

1.0

VF ，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-4

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

C，电容（pF ）

100

偏压

VZ NOM的50 ％

10

TA = 25°C

I R ，漏电流（

A)

1000

100

10

1

0.1

0.01

0.001

+ 25°C

– 55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

VZ ，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

0.0001

1

10

VZ ，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

TA = 25°C

I Z ，齐纳电流（mA）

10

100

TA = 25°C

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

VZ ，齐纳电压（V ）

10

12

0.01

10

30

50

70

VZ ，齐纳电压（V ）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

（ VZ高达12 V）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

摩托罗拉TVS /稳压设备数据

500毫瓦无铅（ SOD- 123 ）数据表

7-5

MMSZ5221BT1系列

首选设备

齐纳稳压器

500 mW的SOD- 123表面贴装

三全系列齐纳二极管的方便提供，

表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个

方便的替代无铅34封装形式。

特点

http://onsemi.com

500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

通用，中等电流

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

无铅包可用

1

阴极

2

阳极

2

1

SOD123

CASE 425

风格1

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

标记图

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

xx

M

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

L

= 75°C

75°C以上降额

热阻（注2 ）

结到环境

热阻（注2 ）

结到铅

结温和存储温度范围

符号

P

D

500

6.7

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

340

150

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

MMSZ52xxBT3

°C

MMSZ52xxBT3G

最大

单位

订购信息

设备**

MMSZ52xxBT1

MMSZ52xxBT1G

包

SOD123

（无铅）

SOD123

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。

通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。

**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。

在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

设备上市

粗体，斜体

是安森美半导体

首选

设备。

首选

设备推荐

选择以供将来使用和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年1月 - 修订版5

XX M

=具体设备守则

=日期代码

出版订单号：

MMSZ5221BT1/D

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25°C ，除非

另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

ZK

Z

ZK

I

R

V

R

I

F

V

F

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZK

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

http://onsemi.com

2

MMSZ5221BT1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.9 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

齐纳电压

（注3和4）

设备

记号

V

Z

（伏）

民

喃

最大

@ I

ZT

mA

齐纳阻抗

（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

Z

ZK

@ I

ZK

W

mA

漏电流

I

R

@ V

R

mA

伏

设备

MMSZ5221BT1 ，G

MMSZ5222BT1

MMSZ5223BT1 ，G

MMSZ5224BT1

MMSZ5225BT1

MMSZ5226BT1 ，G

MMSZ5227BT1 ，G

MMSZ5228BT1 ，G

MMSZ5229BT1 ，G

MMSZ5230BT1 ，G

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

20

30

29

28

24

23

22

19

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

0.25

100

75

50

25

15

10

5

1

2

MMSZ5231BT1 ，G

MMSZ5232BT1 ，G

MMSZ5233BT1 ，G

MMSZ5234BT1 ，G

MMSZ5235BT1 ，G

MMSZ5236BT1 ，G

MMSZ5237BT1 ，G

MMSZ5238BT1

MMSZ5239BT1 ，G

MMSZ5240BT1 ，G

MMSZ5241BT1

MMSZ5242BT1 ，G

MMSZ5243BT1 ，G

MMSZ5244BT1 ，G

MMSZ5245BT1 ，G

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

20

9.5

9.0

8.5

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

1600

1000

750

500

600

0.25

5

3

2

1

0.5

0.1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

MMSZ5246BT1 ，G

MMSZ5247BT1 ，G

MMSZ5248BT1 ，G

MMSZ5250BT1 ，G

MMSZ5251BT1 ，G

MMSZ5252BT1 ，G

MMSZ5253BT1

MMSZ5254BT1 ，G

MMSZ5255BT1 ，G

MMSZ5256BT1 ，G

MMSZ5257BT1 ，G

MMSZ5258BT1 ，G

MMSZ5259BT1 ，G

MMSZ5260BT1 ，G

J1

J2

J3

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

15.20

16.15

17.10

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

16

17

18

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

16.80

17.85

18.90

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

7.8

7.4

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

17

19

21

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

600

700

800

900

0.25

0.1

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

MMSZ5261BT1 ，G

MMSZ5262BT1

MMSZ5263BT1

MMSZ5264BT1

MMSZ5265BT1 ，G

MMSZ5266BT1 ，G

MMSZ5267BT1 ，G

MMSZ5268BT1 ，G

MMSZ5269BT1

MMSZ5270BT1 ，G

MMSZ5272BT1

N1

N2

N3

N4

N5

P1

P2

P3

P4

P5

R2

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

104.5

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

110

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

115.5

2.7

2.5

2.2

2.1

2.0

1.8

1.7

1.5

1.4

1.1

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

750

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

3000

0.25

0.1

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

84

3所示类型的数字有一个标准的公差

±5%

在额定齐纳电压。

4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结

L

= 30°C

$1°C.

5. Z

ZT

和Z

ZK

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。

在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

与AC频率= 1千赫。

http://onsemi.com

3

MMSZ5221BT1系列

典型特征

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

q

VZ

，温度系数（毫伏/ ° C）

100

典型的牛逼

C

值

FOR MMSZ5221BT1系列

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

P

pk

，峰值浪涌功率（瓦特）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

P

D

与牛逼

L

1000

矩形

波形，T

A

= 25°C

100

P

D

与牛逼

A

10

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

1

0.1

1

10

100

PW ，脉冲宽度（毫秒）

1000

图3.稳态功率降额

图4.最大非重复性浪涌电源

1000

Z

ZT

，动态阻抗（ W）

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

I

F

，正向电流（mA ）

75 V （ MMSZ5267BT1 ）

91 V（ MMSZ5270BT1 ）

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

20毫安

10

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

0.4

0.5

75°C 25°C

0°C

1.1

1.2

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图5.影响

齐纳阻抗

图6.典型正向电压

http://onsemi.com

4

MMSZ5221BT1系列

典型特征

1000

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

= 25°C

I

R

，漏电流（mA ）

1000

100

10

1

0.1

0.01

+ 25°C

55°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

80

90

+150°C

C，电容（pF ）

100

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.001

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

图7.典型电容

图8.典型漏电流

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

100

T

A

= 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

V

Z

齐纳电压（V）

10

12

10

30

50

70

V

Z

齐纳电压（V）

90

图9.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图10.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

http://onsemi.com

5

用户指南

SLOU310

–

2011年9月

TPA2025D1音频功率放大器评估模块

这个文件描述了用户可以使用的TPA2025D1评估模块的操作

评价TPA2025D1音频功率放大器。包括是TPA2025D1EVM原理图，电路板的艺术，

和材料清单。

1

介绍

..................................................................................................................

1.1

描述

..........................................................................................................

1.2

TPA2025D1规格

.......................................................................................

手术

.....................................................................................................................

2.1

快速启动列表用于单机操作

.....................................................................

2.2

升压设置

......................................................................................................

2.3

上电

............................................................................................................

参考

....................................................................................................................

3.1

TPA2025D1EVM示意图

......................................................................................

3.2

TPA2025D1EVM PCB层数

....................................................................................

3.3

材料TPA2025D1EVM法案

................................................................................

图列表

1

2

3

4

5

6

TPA2025D1EVM示意图

...............................................................................................

5

EVM装配层

.......................................................................................................

6

EVM顶层

..............................................................................................................

6

EVM 2层

.................................................................................................................

7

EVM 3层

.................................................................................................................

7

EVM底层

..........................................................................................................

8

表格清单

1

材料TPA2025D1EVM法案

.........................................................................................

9

1

2

3

4

5

6

9

2

3

1

介绍

本节提供了德州仪器（ TI ） TPA2025D1音频功率放大器概述

评估模块（ EVM ）。它包括模块的简要说明和规格列表。

1.1

描述

该TPA2025D1是一种高效率， D类音频功率放大器和一个集成的升压转换器。它

驱动多达2 W到低电源电压的4 Ω扬声器。

该TPA2025D1音频功率放大器EVM是一个完整的，独立的音频放大器。它包含的

TPA2025D1 WCSP （ YZG ） D类音频功率放大器具有集成升压转换器。所有

组件和EVM是Pb-Free 。

SLOU310

–

2011年9月

提交文档反馈

TPA2025D1音频功率放大器评估模块

版权

2011年，德州仪器

1

手术

www.ti.com

1.2

TPA2025D1规格

V

BAT

I

DD

P

O

V

I

R

L

电源电压范围

电源电流

每个通道的连续输出功率， 4

,

V

BAT

= 3.6 V

音频输入电压

最小负载阻抗

2.5 V至5.2 V

3 A最大

2W

0 V至V

BAT

4

2

手术

本节介绍如何操作TPA2025D1EVM 。

2.1

快速启动列表用于单机操作

操作TPA2025D1EVM作为一个独立或连接时，当使用下面的步骤

EVM到现有的电路或设备。

2.1.1

电源和接地

1.确保外部电源被设定为OFF 。

2.将2.3 V和5.2 V之间的电源电压。当连接电源到

EVM ，请将电源接地连接到GND连接，然后再连接

正电源VDD的连接器。验证是否正确连接是香蕉插孔。

音频

确保音频源被设定到最小水平。

音频信号源连接到输入RCA插孔

IN 。

如果差分音频输入，保证了

跳投不中，

JP SE ，

没有被插入。如果单端音频输入，保证了跳线，

JP SE ，

is

插入，从而功底+通过输入电容C2 。

连接扬声器（ 4

32个

)

到输出香蕉插座，

OUT +

和

OUT- 。

外语教学OUT +

和

FLT OUT-

测试点允许用户通过一个连接amplfier的输出

RC滤波器，用于音频测量。（许多音频分析仪不会给一个正确的读数

D类放大器，无需额外的滤波。）需要注意的是，用户必须提供必要的电阻，

R7和R8来完成的过滤器。为R7和R8的典型值是1.0 kΩ的。

该TPA2025D1的经滤波的输出可以测试点之间测量

FILT OUT-

和

FILT

OUT +

AGC控制

该TPA2025D1有3个可选拐点设置： 3.25 V， 3.55 V和3.75 V.

1.取下跳线，

AGC ，

选择3.25 -V拐点（ AGC1 ）。

2.安装跳线，

AGC ，

引脚2和3之间选择的3.55 -V的拐点（ AGC2 ）。

3.安装跳线，

AGC ，

引脚1和2之间进行选择的3.75 -V的拐点（ AGC3 ）。

2.1.2

1.

2.

3.

4.

5.

2.1.3

2.1.4

放大器增益器

该TPA2025D1具有20 dB的固定设置。

2.1.5

关断控制

1. TPA2025D1提供关断控制的D类放大器与升压转换器。恩

引脚使升压转换器和D类放大器。它为高电平有效。

2.按住按钮

S1

把升压转换器和关机的D类放大器。

释放按钮

S1

激活的D类放大器和升压转换器。只有升压转换器

接通，如果音频信号（ > 2 V

PEAK

）存在于所述输出中的一个（ OUT +或OUT-）。

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注意：

该TPA2025D1具有自动直通模式。在正常操作下（EN =高），则

升压转换器将自动关闭，如果没有音频信号出现在其中的一个输入（IN +

或IN- ）。

2.2

升压设置

默认电压为升压转换器是5.9 V（卸载），并且不能被改变。如果没有音频信号

存在，升压转换器将自动禁用。一旦该音频信号出现在IN +和IN- ，

升压转换器自动启用，当输出信号超过2 V

PEAK

.

2.2.1

升压条款

下面是术语和定义的列表：

C

民

L

f

BOOST

I

PVDD

I

PVDD

I

L

PVDD （ PVOUT ）

VBAT （VDD）的

ΔI

L

ΔV

需要对PVOUT给定的纹波电压最低升压电容（ PVDD ）

升压电感器

升压转换器的开关频率

通过从升压转换器的D类放大器的电流拉出

电流通过升压电感器。

电源电压的D类放大器（电压通过升压转换器产生

输出）

电源电压对TPA2025D1 （电源电压为EVM ）。

纹波电流通过电感器。

在PVOUT （ PVDD ）由于电容的纹波电压

2.2.2

更改升压电感

工作电感随电感电流增加。如果在工作的电感下降严重

足，有可能导致升压转换器变得不稳定，或使TPA2025D1到达其

电流限制在一个较低的输出功率超过预期。电感厂商指定的电流在该电感器

值降低由特定百分比。这可以通过10％变化到35％。电感也受DC

电流和温度。

电感器的额定电流是由负载的需要来确定。电感由两个测定

因素：所需的稳定性和最大纹波电流的最小值允许在

应用程序。

利用

式（1）

确定所需的额定电流。

式（1）

显示近似的关系

平均电感电流之间，我

L

到负载电流，负载电压和输入电压（I

PVDD

,

PVOUT和VBAT ，分别）插入我

PVDD

， PVDD和VBAT成

式（1）

为了解决对于我

L

。该

电感必须在该电流保持至少90％的它的初始电感值。

PVDD

I

L

= I

PVDD

÷

è

VBAT

0.8

(1)

最低工作电感为1.3

μH.

较低的值可能会导致不稳定。

纹波电流，

ΔI

L

是峰 - 峰值在电感器电流的变化。更小的纹波电流降低磁芯损耗

在电感器以及潜在的EMI 。利用

式（2）

确定电感L的值。

式（2）

示出了其中电感L， VBAT ， PVDD ，开关频率f的关系

BOOST

和

ΔI

L

。插入的最大可接受的纹波电流成

式（2）

求解L。

VBAT

（ PVDD

-

VBAT）

L=

I

L

f

BOOST

PVDD

(2)

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ΔI

L

成反比L.最小化

ΔI

L

尽可能是必要的特定的应用程序。增加

电感减小纹波电流。请注意，使得电感过大防止升压

从响应快速的负载转换器正常变化。为TPA2025D1典型的电感值

2.2

μH

4.7

μH.

选择一个小的直流电阻， DCR电感。 DCR降低输出功率由于电压

电感两端的下降。

2.2.3

更改升压电容器

升压电容器的值由工作电容所需的最低值来确定

稳定性和在应用程序上允许PVOUT的最大电压纹波。的最小值

工作电容为4.7

μF.

不要使用任何有分量的工作容量小于4.7

μF.

工作容量被定义为在额定电容减小直流偏置系数，温度和

所使用的电容器的老化参数。它可能需要请求来自这些参数

电容器制造商。为了获得最佳性能，只考虑陶瓷电容X5R或X7R

电介质。

对于X5R或X7R陶瓷电容，

式（3）

显示了关系升压电容之间，C ，

负载电流，负载电压，脉动电压，输入电压和开关频率（我

PVOUT

， PVOUT ，

ΔV,

VDD ，女

BOOST

分别）。插入允许的最大脉动电压成

式（3）

求解C.一个因素

约1.5包含占电容损失，由于直流电压和温度。

I

（ PVDD

-

VBAT）

C = 1.5

PVDD

D

V

f

BOOST

PVDD

(3)

对于铝或钽电容，

式（4）

显示了升压电容之间的关系，

C，负载电流，负载电压，脉动电压，输入电压和开关频率（我

PVOUT

， PVOUT ，

ΔV,

VDD ，女

BOOST

分别）。插入允许的最大脉动电压成

式（4）

解决梭菌解决

该方程假定的ESR为零。

I

（ PVDD

-

VBAT）

C =

PVDD

D

V

f

BOOST

PVDD

(4)

铝和钽电容器的电容通常是不敏感的施加电压，因此无因子

1.5包含于

公式4 。

然而，在铝和钽电容器的ESR可以是

显著。选择铝或钽电容器的ESR在30毫欧。为了获得最佳性能

与钽电容，至少使用10 V额定电压。需要注意的是钽电容器一般必须使用

在一半的收视率或更低的电压。

2.3

上电

1.确认正确的连接中所描述

第2.1节。

2.确认电源的电压设定为2.5 V至5.2 V，并打开电源

供应量。该EVM的正常工作就开始了。

3.根据需要调整音频信号源。

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本部分包括EVM原理图，电路板布局的参考，及部件清单。

3.1

TPA2025D1EVM示意图

VDD

GND

1

VDD

1

L1

2

GND

2

C3

10ufd/10V

C11

2

0.1ufd/16V

2.2uH

1

C4

2

DNP

1

C5

C1

1

2

GND

C12

2

1

0.1ufd/16V

1

2

TP1 GND

1

外语教学OUT +

R7

DNP

2

22ufd/10V

1

1.0ufd/10V

2

3

1

R4

1.00K

GND

D1

DNP

6.8V

C9

2

4700pfd/50V

2

GND

C2

VBAT B3

SW A2

PVDD A1

1

IN

1

2

1.0ufd/10V

D3

C3

11

FB1

GND

B1

1

2

1

GND

R100

2 1

0.0

1

MPZ2012S101A

OUT +

JP SE

2

1

IN +

OUT +

U1

TPA2025D1YZG

100ohms/4A

C6

2

DNP

C7

AGC

GND

22

33

B2

B2 AGC

2

1000pfd/50V

BGND

保护地

AGND

OUT-

C1

1

2

1

C2

FB2

MPZ2012S101A

GND

2

C8

R101

1

2 1

1000pfd/50V

EN

D1

D2

A3

OUT-

GND

TP2 GND

100ohms/4A

0.0

TVS1

DNP

TVS2

DNP

GND

VDD

1

FLT OUT-

R8

DNP

2

1

R5

100K

1

GND

2

GND

2

C10

4700pfd/50V

2

GND

S1

支座硬件

0.5in

GND GND GND GND

0.5in

0.5英寸0.5英寸0.5英寸

图1. TPA2025D1EVM示意图

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