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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第845页 > MMSZ5230BT1G
MMSZ5221BT1系列
首选设备
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用，中等电流
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
1
阴极
2
阳极
2
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
1
XX M
G
G
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
热阻，结到铅
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
XX =设备代码（参见第3页）
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMSZ52xxBT1
MMSZ52xxBT1G
MMSZ52xxBT3
MMSZ52xxBT3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 启示录7
出版订单号：
MMSZ5221BT1/D
MMSZ5221BT1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ5221BT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注3和4）
设备
记号
C1
C2
C3
C4
C5
D1
D2
D3
D4
D5
E1
E2
E3
E4
E5
F1
F2
F3
F4
F5
H1
H2
H3
H4
H5
J1
J2
J3
J5
K1
K2
K3
K4
K5
M1
M2
M3
M4
M5
N1
N2
N3
N4
N5
P1
P2
P3
P4
P5
R2
V
Z
（伏）
民
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
104.5
喃
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
110
最大
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
115.5
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.1
齐纳阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
750
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
3000
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
伏
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
84
设备
MMSZ5221BT1 ，G
MMSZ5222BT1 ，G
MMSZ5223BT1 ，G
MMSZ5224BT1 ，G
MMSZ5225BT1 ，G
MMSZ5226BT1 ，G
MMSZ5227BT1 ，G
MMSZ5228BT1 ，G
MMSZ5229BT1 ，G
MMSZ5230BT1 ，G
MMSZ5231BT1 ，G
MMSZ5232BT1 ，G
MMSZ5233BT1 ，G
MMSZ5234BT1 ，G
MMSZ5235BT1 ，G
MMSZ5236BT1 ，G
MMSZ5237BT1 ，G
MMSZ5238BT1 ，G
MMSZ5239BT1 ，G
MMSZ5240BT1 ，G
MMSZ5241BT1 ，G
MMSZ5242BT1 ，G
MMSZ5243BT1 ，G
MMSZ5244BT1 ，G
MMSZ5245BT1 ，G
MMSZ5246BT1 ，G
MMSZ5247BT1 ，G
MMSZ5248BT1 ，G
MMSZ5250BT1 ，G
MMSZ5251BT1 ，G
MMSZ5252BT1 ，G
MMSZ5253BT1 ，G
MMSZ5254BT1 ，G
MMSZ5255BT1 ，G
MMSZ5256BT1,
MMSZ5257BT1,
MMSZ5258BT1,
MMSZ5259BT1,
MMSZ5260BT1,
G
G
G
G
G
MMSZ5261BT1 ，G
MMSZ5262BT1 ，G
MMSZ5263BT1 ，G
MMSZ5264BT1 ，G
MMSZ5265BT1 ，G
MMSZ5266BT1,
MMSZ5267BT1,
MMSZ5268BT1,
MMSZ5269BT1
MMSZ5270BT1,
G
G
G
G
MMSZ5272BT1 ，G
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结
L
= 30°C
$1°C.
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
*在“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
MMSZ5221BT1系列
典型特征
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
P
pk
，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
，动态阻抗（ W）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
I
F
，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZ5221BT1系列
典型特征
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25°C
I
R
，漏电流（mA ）
1000
100
10
1
0.1
0.01
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
+150°C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
100
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
http://onsemi.com
5
MMSZ5221BT1系列
首选设备
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用，中等电流
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
xx
M
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注2 ）
结到环境
热阻（注2 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
MMSZ52xxBT3
°C
MMSZ52xxBT3G
最大
单位
订购信息
设备**
MMSZ52xxBT1
MMSZ52xxBT1G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 修订版5
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ5221BT1/D
MMSZ5221BT1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ5221BT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注3和4）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
喃
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
mA
漏电流
I
R
@ V
R
mA
伏
设备
MMSZ5221BT1 ，G
MMSZ5222BT1
MMSZ5223BT1 ，G
MMSZ5224BT1
MMSZ5225BT1
MMSZ5226BT1 ，G
MMSZ5227BT1 ，G
MMSZ5228BT1 ，G
MMSZ5229BT1 ，G
MMSZ5230BT1 ，G
C1
C2
C3
C4
C5
D1
D2
D3
D4
D5
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
MMSZ5231BT1 ，G
MMSZ5232BT1 ，G
MMSZ5233BT1 ，G
MMSZ5234BT1 ，G
MMSZ5235BT1 ，G
MMSZ5236BT1 ，G
MMSZ5237BT1 ，G
MMSZ5238BT1
MMSZ5239BT1 ，G
MMSZ5240BT1 ，G
MMSZ5241BT1
MMSZ5242BT1 ，G
MMSZ5243BT1 ，G
MMSZ5244BT1 ，G
MMSZ5245BT1 ，G
E1
E2
E3
E4
E5
F1
F2
F3
F4
F5
H1
H2
H3
H4
H5
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
MMSZ5246BT1 ，G
MMSZ5247BT1 ，G
MMSZ5248BT1 ，G
MMSZ5250BT1 ，G
MMSZ5251BT1 ，G
MMSZ5252BT1 ，G
MMSZ5253BT1
MMSZ5254BT1 ，G
MMSZ5255BT1 ，G
MMSZ5256BT1 ，G
MMSZ5257BT1 ，G
MMSZ5258BT1 ，G
MMSZ5259BT1 ，G
MMSZ5260BT1 ，G
J1
J2
J3
J5
K1
K2
K3
K4
K5
M1
M2
M3
M4
M5
15.20
16.15
17.10
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
16
17
18
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
16.80
17.85
18.90
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
7.8
7.4
7.0
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
17
19
21
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
12
13
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
MMSZ5261BT1 ，G
MMSZ5262BT1
MMSZ5263BT1
MMSZ5264BT1
MMSZ5265BT1 ，G
MMSZ5266BT1 ，G
MMSZ5267BT1 ，G
MMSZ5268BT1 ，G
MMSZ5269BT1
MMSZ5270BT1 ，G
MMSZ5272BT1
N1
N2
N3
N4
N5
P1
P2
P3
P4
P5
R2
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
104.5
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
110
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
115.5
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.1
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
750
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
84
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结
L
= 30°C
$1°C.
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
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3
MMSZ5221BT1系列
典型特征
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
P
pk
，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
，动态阻抗（ W）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
I
F
，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZ5221BT1系列
典型特征
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25°C
I
R
，漏电流（mA ）
1000
100
10
1
0.1
0.01
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
+150°C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
100
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
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5
MMSZ5221BT1系列
首选设备
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
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500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用，中等电流
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
xx
M
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注2 ）
结到环境
热阻（注2 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
MMSZ52xxBT3
°C
MMSZ52xxBT3G
最大
单位
订购信息
设备**
MMSZ52xxBT1
MMSZ52xxBT1G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 修订版5
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ5221BT1/D
MMSZ5221BT1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ5221BT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注3和4）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
喃
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
mA
漏电流
I
R
@ V
R
mA
伏
设备
MMSZ5221BT1 ，G
MMSZ5222BT1
MMSZ5223BT1 ，G
MMSZ5224BT1
MMSZ5225BT1
MMSZ5226BT1 ，G
MMSZ5227BT1 ，G
MMSZ5228BT1 ，G
MMSZ5229BT1 ，G
MMSZ5230BT1 ，G
C1
C2
C3
C4
C5
D1
D2
D3
D4
D5
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
MMSZ5231BT1 ，G
MMSZ5232BT1 ，G
MMSZ5233BT1 ，G
MMSZ5234BT1 ，G
MMSZ5235BT1 ，G
MMSZ5236BT1 ，G
MMSZ5237BT1 ，G
MMSZ5238BT1
MMSZ5239BT1 ，G
MMSZ5240BT1 ，G
MMSZ5241BT1
MMSZ5242BT1 ，G
MMSZ5243BT1 ，G
MMSZ5244BT1 ，G
MMSZ5245BT1 ，G
E1
E2
E3
E4
E5
F1
F2
F3
F4
F5
H1
H2
H3
H4
H5
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
MMSZ5246BT1 ，G
MMSZ5247BT1 ，G
MMSZ5248BT1 ，G
MMSZ5250BT1 ，G
MMSZ5251BT1 ，G
MMSZ5252BT1 ，G
MMSZ5253BT1
MMSZ5254BT1 ，G
MMSZ5255BT1 ，G
MMSZ5256BT1 ，G
MMSZ5257BT1 ，G
MMSZ5258BT1 ，G
MMSZ5259BT1 ，G
MMSZ5260BT1 ，G
J1
J2
J3
J5
K1
K2
K3
K4
K5
M1
M2
M3
M4
M5
15.20
16.15
17.10
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
16
17
18
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
16.80
17.85
18.90
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
7.8
7.4
7.0
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
17
19
21
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
12
13
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
MMSZ5261BT1 ，G
MMSZ5262BT1
MMSZ5263BT1
MMSZ5264BT1
MMSZ5265BT1 ，G
MMSZ5266BT1 ，G
MMSZ5267BT1 ，G
MMSZ5268BT1 ，G
MMSZ5269BT1
MMSZ5270BT1 ，G
MMSZ5272BT1
N1
N2
N3
N4
N5
P1
P2
P3
P4
P5
R2
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
104.5
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
110
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
115.5
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.1
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
750
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
84
3所示类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结
L
= 30°C
$1°C.
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
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3
MMSZ5221BT1系列
典型特征
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
P
pk
，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
，动态阻抗（ W）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
I
F
，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZ5221BT1系列
典型特征
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25°C
I
R
，漏电流（mA ）
1000
100
10
1
0.1
0.01
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
+150°C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
100
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
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5
MMSZ52xxxT1G系列，
SZMMSZ52xxxT1G系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
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500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围
2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用，中等电流
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些无铅器件*
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
1
阴极
2
阳极
标记图
1
XX MG
G
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
热阻，结到铅
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
500
6.7
340
150
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
xx
M
G
=设备代码（参见第3页）
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMSZ52xxBT1G,
SZMMSZ52xxBT1G
MMSZ52xxCT1G,
SZMMSZ52xxCT1G
MMSZ52xxBT3G,
SZMMSZ52xxBT3G
MMSZ52xxCT3G,
SZMMSZ52xxCT3G
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年10月
启示录12
1
出版订单号：
MMSZ5221BT1/D
MMSZ52xxxT1G系列， SZMMSZ52xxxT1G系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MMSZ52xxxT1G系列， SZMMSZ52xxxT1G系列
5 ％的容差FG电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注3和4）
设备
记号
C1
C2
C3
C4
C5
D1
D2
D3
D4
D5
E1
E2
E3
E4
E5
F1
F2
F3
F4
F5
H1
H2
H3
H4
H5
J1
J2
J3
J4
J5
K1
K2
K3
K4
K5
M1
M2
M3
M4
M5
N1
N2
N3
N4
N5
P1
P2
P3
P4
P5
R2
V
Z
（伏）
民
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
104.5
喃
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
110
最大
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
115.5
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.1
齐纳阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
750
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
3000
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
租金
I
R
@ V
R
mA
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
伏
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
84
设备*
MMSZ5221BT1G
MMSZ5222BT1G
MMSZ5223BT1G
MMSZ5224BT1G
MMSZ5225BT1G
MMSZ5226BT1G
MMSZ5227BT1G
MMSZ5228BT1G
MMSZ5229BT1G
MMSZ5230BT1G
MMSZ5231BT1G
MMSZ5232BT1G
MMSZ5233BT1G
MMSZ5234BT1G
MMSZ5235BT1G
MMSZ5236BT1G
MMSZ5237BT1G
MMSZ5238BT1G
MMSZ5239BT1G
MMSZ5240BT1G
MMSZ5241BT1G
MMSZ5242BT1G/T3G
MMSZ5243BT1G
MMSZ5244BT1G
MMSZ5245BT1G
MMSZ5246BT1G
MMSZ5247BT1G
MMSZ5248BT1G
MMSZ5249BT1G
MMSZ5250BT1G
MMSZ5251BT1G
MMSZ5252BT1G
MMSZ5253BT1G
MMSZ5254BT1G
MMSZ5255BT1G
MMSZ5256BT1G
MMSZ5257BT1G
MMSZ5258BT1G/T3G
MMSZ5259BT1G
MMSZ5260BT1G
MMSZ5261BT1G
MMSZ5262BT1G
MMSZ5263BT1G
MMSZ5264BT1G
MMSZ5265BT1G
MMSZ5266BT1G
MMSZ5267BT1G
MMSZ5268BT1G
MMSZ5269BT1G
MMSZ5270BT1G
MMSZ5272BT1G/T3G
3， “B”后缀型号数字显示有一个标准公差
±5%
上标称齐纳电压。
4.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结
L
= 30°C
±1°C.
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
MMSZ52xxxT1G系列， SZMMSZ52xxxT1G系列
2 ％的误差FG电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注6及7 ）
设备
记号
TD
TG
TH
TK
TL
TN
TQ
TW
V
Z
（伏）
民
3.234
4.998
5.488
14.70
17.64
19.60
23.52
29.40
喃
3.3
5.1
5.6
15
18
20
24
30
最大
3.366
5.202
5.712
15.30
18.36
20.40
24.48
30.60
@ I
ZT
mA
20
20
20
8.5
7.0
6.2
5.2
4.2
齐纳阻抗
（注8）
Z
ZT
@ I
ZT
W
28
17
11
16
21
25
33
49
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
1600
1600
600
600
600
600
600
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
租金
I
R
@ V
R
mA
25
5
5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
伏
1
2
3
11
14
15
18
23
设备*
MMSZ5226CT1G
MMSZ5231CT1G
MMSZ5232CT1G
MMSZ5245CT1G
MMSZ5248CT1G
MMSZ5250CT1G
MMSZ5252CT1G
MMSZ5256CT1G
6. “C”类后缀的数字显示有一个标准公差
±2%
上标称齐纳电压。
7.标称稳压电压测量在T的热平衡器件的结
L
= 30°C
±1°C.
8. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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4
MMSZ52xxxT1G系列， SZMMSZ52xxxT1G系列
典型特征
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ52xxBT1G系列，
SZMMSZ52xxBT1G系列
V
Z
@ I
ZT
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
1000
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ52xxBT1G系列，
SZMMSZ52xxBT1G系列
100
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
200
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
P
D
与牛逼
A
P
D
与牛逼
L
1000
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
P
pk
，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
10
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
，动态阻抗（ W）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
I
F
，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1G ）
91 V（ MMSZ5270BT1G ）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
100
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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